TH52827A - การออกแบบหัวพ่นหมึกที่มีความสมดุลทางพลังงาน - Google Patents

Abstract

DC60 (08/03/45) หัวพิมพ์แบบพ่นหมึกที่แคบ (100A, 100B) ซึ่งมีวงจรขับดัน FET ที่มีประสิทธิภาพ (85) ซึ่งจะถูกจัดโครงแบบเพื่อชดเชยความต้านทานที่เป็นปรสิตของรอยตามกำลัง (86a, 86b, 86c, 86d, 181) หัวพิมพ์แบบพ่นหมึกนี้ยังรวมถึงส่วนที่เป็นกราวด์บัส (181) ซึ่งจะ ซ้อนทับบริเวณที่แอคทีฟของวงจรขับดัน FET หัวพิมพ์แบบพ่นหมึกที่แคบ (100A, 100B) ซึ่งมีวงจรขับดัน FET ที่มีประสิทธิภาพ (85) ซึ่งจะถูกจัดโครงแบบเพื่อชดเชยความต้านทานที่เป็นปรสิตของรอยตามกำลัง (86a, 86b, 86c, 86d, 181) หัวพิมพ์แบบพ่นหมึกนี้ยังรวมถึงส่วนที่เป็นกราวด์บัส (181) ซึ่งจะ ซ้อนทับบริเวณที่แอคทีฟของวงจรขับดัน FET

Claims (1)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1. หัวพิมพ์แบบพ่นหมึกซึ่งประกอบด้วย สับสเตรตหัวพิมพ์ ที่รวมถึงส่วนที่เป็นชั้นแผ่นฟิล์มบาง แถวลำดับที่มีรูปทรงเหมือนเสา ของตัวสร้างหยดหมึก ที่ถูกจำกัดขอบเขตใน สับสเตรตหัวพิมพ์ดังกล่าวและทอดออกไปตามแนวแกนตามยาว L ตัวสร้างหยดหมึกแต่ละตัวที่มีตัวต้านทานของตัวให้ความร้อน ซึ่งมีความต้านทานที่มีค่า อย่างน้อยที่สุด 100 โอห์ม แถวลำดับที่มีรูปทรงเหมือนเสา ของวงจร FET ที่สร้างขึ้นในสับสเตรต หัวพิมพ์ดังกล่าวและต่อเข้ากับตัวสร้างหยดหมึกดังกล่าวตามลำดับ โดยที่วงจร FET ดังกล่าวจะรวมถึงส่วนที่เป็นบริเวณที่แอคทัฟแต่ละบริเวณซึ่งประกอบด้วยบริเวณของเดรน, บริเวณของซอร์ส และวงจรเกต ที่ถูกจัดวางไว้บนชั้นออกไซด์ของเกต วงจร FET แต่ละวงจร จะมีความต้านทานเมื่อเปิดทำงานน้อยกว่า (250,000 โอห์ม-ไมโครเมตร2) /A โดยที่ A เป็น พื้นที่ของวงจร FET ดังกล่าวในหน่วยไมโครเมตร2 รอยตามกำลัง ที่ต่อเข้ากับตัวสร้างหยดหมึกดังกล่าวและวงจรขับดัน FET ดังกล่าว และ วงจรขับดัน FET ดังกล่าวที่ถูกจัดโครงแบบเพื่อชดเชยการแปรผันในความต้านทาน ปรสิตที่ส่งให้โดยรอยตามกำลังดังกล่าว 2. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ชั้นออกไซด์ของเกตดังกล่าวมีความหนาที่มี ค่าอย่างมากที่สุด 800 อังสตรอม 3. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่วงจร FET ดังกล่าวแต่ละวงจรมีความยาวของ เกตน้อยกว่า 4 ไมโครเมตร 4. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่วงจร FET ดังกล่าวแต่ละวงจรมีค่าความต้านทาน เมื่อเปิดทำงานอย่างมากที่สุด 16 โอห์ม 5. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่วงจร FET ดังกล่าวแต่ละวงจรมีค่าความต้านทาน เมื่อเปิดทำงานอย่างมากที่สุด 14 โอห์ม 6. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่แถวลำดับที่มีรูปทรงเหมือนเสาดังกล่าว ของวงจร FET จะใส่ไว้ในบริเวณ FET ซึ่งมีความกว้างทำมุมฉากกับแกนตามยาวดังกล่าว L โดยที่มีความกว้างดังกล่าวอย่างมากที่สุด 350 ไมโครเมตร 7. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่แถวลำดับที่มีรูปทรงเหมือนเสาดังกล่าว ของวงจร FET จะใส่ไว้ในบริเวณ FET ซึ่งมีความกว้างทำมุมฉากกับแกนตามยาวดังกล่าว L โดยที่มีความกว้างดังกล่าวเป็นอย่างมากที่สุด 250 ไมโครเมตร 8. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่รอยตามกำลังดังกล่าวจะรวมถึงส่วนที่เป็น กราวด์บัส ซึ่งจะซ้อนทับแถวลำกับที่มีรูปทรงเหมือนเสาดังกล่าวของวงจรขับดัน FET 9. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 8 โดยที่กราวด์บัสดังกล่าวจะมีความกว้างตามขวาง ไปยังแกนอิงตามแนวยาว L ซึ่งจะแปรผันตามแนวแกนอ้างอิงตามแนวยาว L 1 0. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่แถวลำดับที่มีรูปทรงเหมือนเสาดังกล่าว แต่ละแถวของตัวสร้างหยดหมึกจะถูกจัดระบบให้เป็นกลุ่มปฐมฐาน M และโดยที่รอยตาม กำลังดังกล่าวจะรวมถึงส่วนที่เป็นรอยการเลือกปฐมฐาน M ที่ถูกเชื่อมต่อตามลำดับกับกลุ่ม ปฐมฐาน M ดังกล่าว 1 1. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 10 โดยที่สเตรตหัวพิมพ์ดังกล่าวจะรวมถึงส่วนที่ เป็นปลายที่แยกออกไปตามยาวโดยที่ M เป็นจำนวนคู๋และโดยที่ M/2 ของรอยการเลือก ปฐมฐาน M ดังกล่าวจะถูกเชื่อมต่อกับแผ่นยึดประสาน ทางไฟฟ้าที่ปลายหนึ่งดังกล่าวและ โดยที่ M/2 อีกอันหนึ่งของรอยการเลือกปฐมฐาน M ดังกล่าว จะถูกเชื่อมต่อกับ แผ่นยึดประสาน อีกอันหนึ่งของปลายดังกล่าวทางไฟฟ้า 1 2. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 11 โดยที่ M มีค่าเท่ากับสี่ 1 3. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 10 โดยที่รอยการเลือกปฐมฐาน M ดังกล่าวจะ วางตัวอยู่เหนือแถวลำดับที่มีรูปทรงเหมือนเสาดังกล่าวของวงจรขับดัน FET 1 4. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ตัวสร้างหยดหมึกดังกล่าวจะถูกเว้นช่วง ออกจากกันอย่างน้อย 1/600 นิ้วตามแนวแกนอ้างอิงตามแนวยาว L 1 5. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 14 โดยที่ตัวสร้างหยดหมึกดังกล่าวจะถูกเว้นช่วง ออกจากกันโดย 1/300 นิ้วตามแนวแกนอ้างอิงตามแนวยาว L 1 6. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ความต้านทานตัวต้านทานของตัวให้ ความร้อนดังกล่าวจะมีค่าอย่างน้อยที่สุด 120 โอห์ม 1 7. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ความต้านทานตัวต้านทานของตัวให้ ความร้อนดังกล่าวจะมีค่าอย่างน้อยที่สุด 130 โอห์ม 1 8. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ความต้านทานเมื่อเปิดทำงานที่สอดคล้องกัน ของวงจร FET ดังกล่าวจะถูกเลือกเพื่อชดเชยการแปรผันของความต้านทานปรสิตที่ส่งให้ โดยรอยตามกำลังดังกล่าว 1 9. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 18 โดยที่ขนาดวงจร FET ดังกล่าวแต่ละวงจรจะถูก เลือกเพื่อตั้งความต้านทานเมื่อเปิดทำงานดังกล่าว 2 0. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 18 โดยที่วงจร FET ดังกล่าวแต่ละวงจรจะรวมถึง ขั้วไฟฟ้าที่เป็นเดรน หน้าสัมผัสเดรน ที่เชื่อมต่อทางไฟฟ้าขั้วไฟฟ้าที่เป็นเดรนดังกล่าวกับบริเวณของเดรน ดังกล่าว ขั้วไฟฟ้าที่เป็นซอร์ส หน้าสัมผัสซอร์ส ที่เชื่อมต่อขั้วไฟฟ้าที่เป็นซอร์สดังกล่าวกับบริเวณของซอร์สดังกล่าว ทางไฟฟ้า และ โดยที่บริเวณของเดรนดังกล่าวจะถูกจัดโครงแบบเพื่อตั้งความต้านทานเมื่อเปิด ทำงานของวงจร FET แต่ละวงจรดังกล่าวเพื่อชดเชยการแปรผันของความต้านทานปรสิตที่ส่ง ให้โดยรอบตามกำลังดังล่าว 2

1. หัวพิมพ์ดังระบุในข้อถือสิทธิ 20 โดยที่บริเวณของเดรนดังกล่าวจะประกอบด้วย แต่ละบริเวณของเดรนทรงยาว รวมถึงส่วนที่เป็นส่วนที่ไม่มีการสัมผัสอย่างต่อเนื่องซึ่งมีความ ยาวซึ่งจะถูกเลือกเพื่อตั้งความต้านทาเมื่อเปิดทำงานดังกล่าว