TH52620A - วงจรสวิทชิ่งสัญญาณความถี่สูงที่ขจัดความเพี้ยนสัญญาณความถี่สูง - Google Patents

วงจรสวิทชิ่งสัญญาณความถี่สูงที่ขจัดความเพี้ยนสัญญาณความถี่สูง

Info

Publication number
TH52620A
TH52620A TH201000060A TH0201000060A TH52620A TH 52620 A TH52620 A TH 52620A TH 201000060 A TH201000060 A TH 201000060A TH 0201000060 A TH0201000060 A TH 0201000060A TH 52620 A TH52620 A TH 52620A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
high frequency
frequency signal
diode
switching
amplifier box
Prior art date
Application number
TH201000060A
Other languages
English (en)
Inventor
ยามาโมโตะ นายมาซากิ
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH52620A publication Critical patent/TH52620A/th

Links

Abstract

DC60 (02/04/45) วงจรสวิทชิ่งสัญญาณความถี่สูง รวมทั้งเส้นทางสัญญาณความถี่สูงอันแรกซึ่ง รวมทั้งกล่องตัวขยายความถี่สูง ไดโอดตัวแรก เชื่อมต่อแบบอนุกรมกับปลายอินพุทของ กล่องตัวขยายสัญญาณความ ถี่สูง และไดโอดตัวที่สองเชื่อมต่อแบบอนุกรมกับปลาย เอาท์ พุทของกล่องตัวขยายสัญญาณความถี่สูง เส้นทางสัญญาณความถี่ สูงอันที่สองขึ้นรูป ของไดโอดตัวที่สามที่เชื่อมต่อแบบขนาน กับเส้นทางสัญญาณความถี่สูงอันแรก และส่วน จ่ายไฟสวิทชิ่ง โวล เตจสำหรับสวิทชิ่งกล่องตัวขยายความถี่สูงระหว่างสภาวะการทำงาน และสภาวะที่ไม่ทำงาน และสำหรับสวิทชิ่งไดโอดตัวแรกกับตัวที่สามระหว่างสภาวะเปิด และสภาวะปิด เมื่อสวิทชิ่งโวลเตจของส่วนจ่ายไฟสวิทชิ่งโวลเตจมีโพลาริตี้อันแรก กล่องตัวขยายความถี่สูงอยู่ในสภาวะการทำงาน ไดโอดตัวแรกและตัวที่สองอยู่ในสภาวะ เปิด และไดโอดตัวที่สามอยู่ใน สภาวะปิด เพื่อว่าสัญญาณความถี่สูงถูกส่งถ่ายผ่านเส้นทาง สัญญาณความถี่สูงอันแรก และเมื่อสวิทชิ่งโวลเตจของส่วนจ่าย ไฟสวิทชิ่งโวลเตจมีโพลา ริตี้อันที่สอง กล่องตัวขยายความถี่ สูงอยู่ในสภาวะไม่ทำงาน ไดโอดตัวแรกและตัวที่สอง อยู่ใน สภาวะปิด และได โอดตัวที่สามอยู่ในสภาวะเปิด เพื่อว่าสัญญาณความถี่สูงถูก ส่งถ่าย ผ่านเส้นทางสัญญาณความถี่สูงอันที่สอง วงจรสวิทชิ่งสัญญาณความถี่สูง รวมทั้งเส้นทางสัญญาณความถี่สูงอันแรกซึ่ง รวมทั้งกล่องตัวขยายความถี่สูง ไดโอดตัวแรก เชื่อมต่อแบบอนุกรมกับปลายอินพุทของ กล่องตัวขยายสัญญาณความ ถี่สูง และไดโอดตัวที่สองเชื่อมต่อแบบอนุกรมกับปลาย เอาท์ พุทของกล่องตัวขยายสัญญาณความถี่สูง เส้นทางสัญญาณความถี่ สูงอันที่สองขึ้นรูป ของไดโอดตัวที่สามที่เชื่อมต่อแบบขนาน กับเส้นทางสัญญารความถี่สูงอันแรก และส่วน จ่ายไฟสวิทชิ่ง โวล แตจสำหรับสวิทชิ่งกล่องตัวขยายความถี่สูงระหว่างสภาวะการทำงาน และสภาวะที่ไม่ทำงาน และสำหรับสวิทชิ่นไดโอดตัวแรกตัวที่สามระหว่างสภาวะเปิด และสภาวะปิด เมื่อสวิทชิ่นโวลเตจของส่วนจ่ายไฟสวิทชิ่นโวลเตจมีโพลาริตี้อันแรก กล่องตัวขยายความถี่สูงอยู่ในสภาวะการทำงาน ไดโอดตัวแรกและตัวที่สองอยู่ในสภาวะ เปิด และไดโอดตัวที่สามอยู่ใน สภาวะปิด เพื่อว่าสัญญาณความถี่สูงถูกส่งถ่ายผ่านเส้นทาง สัญญาณความถี่สูงอันแรก และเมื่อสวิทชิ่งโวบเตจของส่วนจ่าย ไฟสวิทชิ่งโวลเตจมีโพลา ริตี้อันที่สอง กล่องตัวขยายความถี่ สูงอยู่ในสภาวะไม่ทำงาน ไดโอดตัวแรกและตัวที่สอง อยู่ใน สภาวะปิด และได โอดตัวที่สามอยู่ในสภาวะเปิด เพื่อว่าสัญญาณความถี่สูงถูก ส่งถ่าย ผ่านเส้นทางสัญญาณความถี่สูงอันที่สอง

Claims (1)

1. วงจรสวิทชิ่งสัญญาณความถี่สูง ประกอบด้วย เส้นทางสัญญาณความถี่สูงอันแรก ประกอบด้วย กล่องตัวขยายความถี่สูง ไดโอดตัวแรก เชื่อมต่ออนุกรมระหว่างปลายอินพุทสัญญาณความถี่ สูง และปลายอินพุทของกล่องตัวขยายความถึ่สูง และ ไดโอดตัวที่สอง เชื่อมต่ออนุกรมระหว่างปลายเอาท์พุทสัญญาณความ ถี่ สูง และปลายเอาท์พุทของกล่องตัวขยายความถี่สูง เส้นทางสัญญาณความถี่สูงอันที่สอง ประกอบด้วยไดโอดตัววที่ สามแท็ก :
TH201000060A 2002-01-08 วงจรสวิทชิ่งสัญญาณความถี่สูงที่ขจัดความเพี้ยนสัญญาณความถี่สูง TH52620A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH52620A true TH52620A (th) 2002-08-21

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1605589A4 (en) COMPARISON CIRCUIT
ATE325462T1 (de) Schaltnetzteil
NO20080663L (no) Totrinns mikrobolge klasse E effektforsterker
EP1748487A3 (en) Semiconductor power device and RF signal amplifier
EP1705805A3 (en) High-Frequency switch circuit and mobile telecommunications terminal device using the same
TW200616317A (en) Method and apparatus for intelligently setting dead time
ATE543252T1 (de) Hf-leistungsverstärker mit vorspannungsschaltungstopologien zur minimierung von hf-verstärker-memory-effekten
WO2003079406A3 (en) Voltage-limited distributed current source for ultra-broadband impedance termination
WO2004047351A3 (en) Radio frequency power amplifier adaptive bias control circuit
EP1447908A4 (en) POWER CONVERTERS
CN106531140B (zh) 一种压电式蜂鸣器驱动电路
MY159147A (en) An rfid tag
DE502005010477D1 (de) Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines elektrischen Leistungsschalters auf hohem Spannungspotenzial
MY137107A (en) Power amplifier
JP2007028178A (ja) 半導体装置およびその制御方法
ATE415688T1 (de) Schaltung zum aufheben der thermischen hysterese in einem stromschalter
TW200640132A (en) Delay circuit and ring oscillator
WO2002082248A3 (de) Integrierte schaltung mit geringem energieverbrauch in einem stromsparmodus
DE60036696D1 (de) Vorspannungsvorrichtungfür feldeffekttransistoren
TH52620A (th) วงจรสวิทชิ่งสัญญาณความถี่สูงที่ขจัดความเพี้ยนสัญญาณความถี่สูง
WO2002071596A3 (en) High-frequency amplifier circuit having a directly-connected bias circuit
ATE390722T1 (de) Hochfrequenz-schaltvorrichtung
EP1833166A8 (en) High-frequency electronic switch, bust wave generation device using the same, and short pulse radar using the same
AU2003201054A1 (en) Circuits with improved power supply rejection
DE59901961D1 (de) Energieversorgungseinrichtung und schaltungsanordnung mit dieser energieversorgungseinrichtung