TH49692A - สารช่วยให้การซินเทอร์ ที่มีพื้นฐานเป็นซิลิเกท และวิธีการ - Google Patents
สารช่วยให้การซินเทอร์ ที่มีพื้นฐานเป็นซิลิเกท และวิธีการInfo
- Publication number
- TH49692A TH49692A TH1003168A TH0001003168A TH49692A TH 49692 A TH49692 A TH 49692A TH 1003168 A TH1003168 A TH 1003168A TH 0001003168 A TH0001003168 A TH 0001003168A TH 49692 A TH49692 A TH 49692A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- sintering
- dielectric
- auxiliaries
- sintering auxiliaries
- mixtures
- Prior art date
Links
- 238000005245 sintering Methods 0.000 title claims abstract 16
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims 1
- 235000015096 spirit Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 abstract 2
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (12/09/43) การประดิษฐ์ครั้งนี้จะมุ่งตรง ไปที่ สารช่วยให้การซินเทอร์ ที่มีพื้นฐานเป็น ซิลิเกท และ วิธีการสำหรับ การผลิต สารช่วยให้การซินเทอร์ สารช่วยให้การซินเทอร์, หรือ ฟริท, อาจทำ การเติมที่ สารผสมไดอิเลคทริค, ที่รวมถึง สารผสมที่มีพื้นฐานเป็น แบเรียม ไททาเนท,เพื่อลด อุณหภูมิ ให้การซินเทอร์ สารช่วยให้การวินเทอร์ อาจอยู่ ในรูป ซิลิเกท องค์ประกอบเดี่ยว หรือ ร่วม ที่ผลิตผ่าน ปฏิกิริยาการตกตะกอน โดยการผสมสารละลาย ที่รวมถึง ซิลิคอน สปีชีส์ และ โลหะ อัลคาไลน์ เอริธ์ สปีชีส์ สารช่วยให้การซินเทอร์ สามารถทำการผลิต ในรูปอนุภาคขนาด นาโนเมตร,หรือ ในรูปสารเคลือบ บนพื้นผิว ของอนุภาค ไดอิเลคทริค ที่ได้ฟอร์มขึ้นไว้ก่อน สารผสม ไดอิเลคทริค ที่รวมเข้าไปถึงสารช่วยให้การซินเทอร์ อาจทำการใช้เพื่อฟอร์ม ชั้นไดอิ เลคทริค ใน MLCCs และ,โดยเฉพาะ,ชั้นไดอิเลคทริค บาง-อัลตร้า การประดิษฐ์ครั้งนี้จะมุ่งตรง ไปที่ สารช่วยให้การซินเทอร์ ที่มีพื้นฐานเป็น ซิลิเกท และ วิธีการสำหรับ การผลิต สารช่วยให้การซินเทอร์ สารช่วยให้การซินเทอร์, หรือ ฟริท, อาจทำ การเติมที่ สารผสมไดอิเลคทริค, ที่รวมถึง สารผสมที่มีพื้นฐานเป็น แบเรียม ไททาเนท,เพื่อลด อุณหภูมิ ให้การซินเทอร์ สารช่วยให้การวินเทอร์ อาจอยู่ ในรูป ซิลิเกท องค์ประกอบเดี่ยว หรือ ร่วม ที่ผลิตผ่าน ปฏิกิริยาการตกตะกอน โดยการผสมสารละลาย ที่รวมถึง ซิลิคอน สปีชีส์ และ โลหะ อัลคาไลน์ เอริธ์ สปีชีส์ สารช่วยให้การซินเทอร์ สามารถทำการผลิต ในรูปอนุภาคขนาด นาโนเมตร,หรือ ในรูปสารเคลือบ บนพื้นผิว ของอนุภาค ไดอิเลคทริค ที่ได้ฟอร์มขึ้นไว้ก่อน สารผสม ไดอิเลคทริค ที่รวมเข้าไปถึงสารช่วยให้การซินเทอร์ อาจทำการใช้เพื่อฟอร์ม ชั้นไดอิ เลคทริค ใน MLCCs และ,โดยเฉพาะ,ชั้นไดอิเลคทริค บาง-อัลตร้า
Claims (2)
1.วิธีการของการเตรียมสารช่วยให้การซินเทอร์ ประกอบด้วย: การผสม สารละลายแรกที่ประกอบด้วย ซิลิคอน ไอออนิค สปีซี่ส์ กับสารละลายที่สอง ที่ ประกอบด้วย โลหะ อัลคาไลน์ เอริธิ์ ไอออนิค สปีซีส์; และ การทำปฏิกิริยาของ ซิลิคอน ไอออนิค สปีชีส์ กับ โลหะ อัลคาไลน์ เอริธิ์ ไอออนิค สปีชีส์ เพื่อ ฟอร์ม สารช่วยให้การซินเทอร์ ที่มีพื้นฐานเป็นซิลิเกท
2.วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 1, โดยที่ สารช่วยให้การซินเทอร์ ที่มีพื้นฐานเป็นซิลิเกท ประกอบด้วยอนุภาคที่มีพื้นฐานเป็นซิลิเกท แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH49692A true TH49692A (th) | 2002-02-28 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2002062727A1 (fr) | Ceramique poreuse, procede de preparation et substrat a microbande | |
| TW200502296A (en) | A process for the preparation of a pigment comprising a core material and at least one dielectric layer | |
| EP0800229A3 (en) | Chip Antenna and method of making same | |
| RU5053053A (ru) | Способ получения керамического диэлектрического состава, улучшенный керамический диэлектрический состав и состав пасты | |
| WO1999012189A3 (en) | Method of making two-component nanospheres and their use as a low dielectric constant material for semiconductor devices | |
| SE0000454D0 (sv) | Iron powder and method for the preparaton thereof | |
| DK1365856T3 (da) | Fremstilling af partikler, som indeholder metalion | |
| FR2833937B1 (fr) | Silices a faible reprise en eau | |
| WO2003001594A3 (de) | Hochspannungsmodul und verfahren zu dessen herstellung | |
| BRPI0411618A (pt) | eletrodo, processo para sua fabricação e uso do mesmo | |
| WO2002072571A3 (en) | Pyridinyl pyrazoles useful for the treatment of copd | |
| TW200504137A (en) | Water-absorbent resin composition and method for producing thereof, and absorbent material and absorbent product using thereof | |
| TH49692A (th) | สารช่วยให้การซินเทอร์ ที่มีพื้นฐานเป็นซิลิเกท และวิธีการ | |
| EP1341189A4 (en) | MICROWAVE-DIELECTRIC PORCELAIN COMPOSITION AND DIELECTRIC RESONATOR | |
| CN1162328C (zh) | 纳米氧化钇粉体的制造方法 | |
| EP1164632A3 (en) | Method of forming a fluoro-organosilicate layer on a substrate | |
| CN104844210B (zh) | 温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷CaLaV3O10 | |
| JP3098387B2 (ja) | 釉薬用抗菌性添加物、抗菌性陶磁器又は琺瑯製品 | |
| JPH05112419A (ja) | 可延性、高多孔性皮膜を製造するための金含有製剤及び該皮膜の製造方法 | |
| JPWO2014132915A1 (ja) | 多孔質物品及びその製造方法 | |
| US1471466A (en) | Etching compound | |
| DE60228319D1 (de) | Wässrige dispersionen von ionischen polymerpartikeln mit interner mesophase, ihre herstelllung und verwendung | |
| WO2003054994A3 (en) | Amine oxide coating compositions | |
| CN104744040A (zh) | 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiNd2VO6 | |
| CN104817324A (zh) | 温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2LaVO5 |