TH49691A - การควบคุมกระบวนการทางเคมีกลอย่างเหมาะสมด้วยการใช้ระบบ cld ตรวจจับรอยต่อของออกไซด์ /ไนไทรด์ - Google Patents
การควบคุมกระบวนการทางเคมีกลอย่างเหมาะสมด้วยการใช้ระบบ cld ตรวจจับรอยต่อของออกไซด์ /ไนไทรด์Info
- Publication number
- TH49691A TH49691A TH1003148A TH0001003148A TH49691A TH 49691 A TH49691 A TH 49691A TH 1003148 A TH1003148 A TH 1003148A TH 0001003148 A TH0001003148 A TH 0001003148A TH 49691 A TH49691 A TH 49691A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- mixture
- layer
- reaction product
- circuit board
- reference point
- Prior art date
Links
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 title 1
- 230000005226 mechanical processes and functions Effects 0.000 title 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract 5
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims 1
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 claims 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 2
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000000047 product Substances 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (20/10/43) วิธีการที่ได้ให้ไว้จะควบคุมกระบวนการทำให้แผ่นวงจรเรียบทางเคมีกลอย่างเหมาะสม แผ่น วงจรจะมีชั้นที่เป็นเป้าหมายของการขจัดและชั้นที่จะหยุด จะมีการเติมส่วนผสมลงบนโต๊ะขัดซึ่ง ประกอบด้วยแผ่นขัดและแท่นหมุนและปล่อยให้ส่วนผสมส่วนหนึ่งปกคลุมพื้นที่สัมผัสระหว่างแผ่น ขัดและแผ่นวงจร จะมีการสกัดแก๊สตัวอย่างจากส่วนผสมอย่างต่อเนื่องและส่งแก๊สตัวอย่างซึ่งมี ผลิตภัณฑ์จากปฏิกิริยาที่เกิดขึ้นเมื่อแผ่นขัดสัมผัสกับชั้นที่จะหยุดไปยังเครื่องตรวจจับผลิตภัณฑ์จาก ปฏิกิริยา จะมีการหาเวลาที่หนึ่งซึ่งตรงกับการเริ่มตรวจพบผลิตภัณฑ์จากปฏิกิริยาในส่วนผสมเพื่อก่อ ให้เกิดจุดอ้างอิงที่หนึ่ง และเวลาที่สองซึ่งตรงกับการตรวจพบปริมาณสูงสุดของผลิตภัณฑ์จาก ปฏิกิริยาในส่วนผสมเพื่อก่อให้เกิดจุดอ้างอิงที่สอง จากนั้นจะมีการประมวลจุดอ้างอิงที่หนึ่งและที่ สองเพื่อหาสัญญาณซึ่งสะท้อนถึงความสม่ำเสมอของการขจัดชั้นที่มีผลิตภัณฑ์จากปฏิกิริยา วิธีการที่ได้ให้ไว้จะควบคุมกระบวนการทำให้แผ่นวงจรเรียบทางเคมีกลอย่างเหมาะสม แผ่น วงจรจะมีชั้นที่เป็นเป้าหมายของการขจัดและชั้นที่จะหยุด จะมีการเติมส่วนผสมลงบนโต๊ะขัดซึ่ง ประกอบด้วยแผ่นขัดและแท่นหมุนและปล่อยให้ส่วนผสมส่วนหนึ่งปกคลุมพื้นที่สัมผัสระหว่างแผ่น ขัดและแผ่นวงจร จะมีการสกัดแก๊สตัวอย่างจากส่วนผสมอย่างต่อเนื่องและส่งแก๊สตัวอย่างซึ่งมี ผลิตภัณฑ์จากปฏิกิริยาที่เกิดขึ้นเมื่อแผ่นขัดสัมผัสกับชั้นที่จะหยุดไปยังเครื่องตรวจจับผลิตภัณฑ์จาก ปฏิกิริยา จะมีการหาเวลาที่หนึ่งซึ่งตรงกับการเริ่มตรวจพบผลิตภัณฑ์จากปฏิกิริยาในส่วนผสมเพื่อก่อ ให้เกิดจุดอ้างอิงที่หนึ่ง และเวลาที่สองซึ่งตรงกับการตรวจพบปริมาณสูงสุดของผลิตภัณฑ์จาก ปฏิกิริยาในส่วนผสมเพื่อก่อให้เกิดจุดอ้างอิงที่สอง จากนั้นจะมีการประมวลจุดอ้างอิงที่หนึ่งและที่ สองเพื่อหาสัญญาณซึ่งสะท้อนถึงความสม่ำเสมอของการขจัดชั้นที่มีผลิตภัณฑ์จากปฏิกิริยา
Claims (1)
1. วิธีการในการควบคุมกระบวนการทำให้แผ่นวงจรเรียบทางเคมีกลอย่างเหมาะสม แผ่นวงจรดังกล่าวมีชั้นที่เป็นเป้าหมายของการขจัดและชั้นที่จะหยุด วิธีการดังกล่าวประกอบด้วยขั้น ตอนดังนี้ คือ : การเติมส่วนผสมของของเหลวกับของแข็งลงบนโต๊ะขัดซึ่งประกอบด้วยแผ่นขัดและแท่น หมุน การปล่อยให้ส่วนผสมดังกล่าวส่วนหนึ่งปกคลุมพื้นที่สัมผัสระหว่างแผ่นขัดดังกล่าวและแผ่น วงจรดังกล่าว การสกัดแก๊สตัวอย่างจากส่วนผสมดังกล่าวอย่างต่อเนื่อง แก๊สตัวอย่างดังกล่าวมีผลิตภัณฑ์ จากปฏิกิริยาที่เกิดขึ้แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH49691A true TH49691A (th) | 2002-02-28 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MY128145A (en) | In-situ method and apparatus for end point detection in chemical mechanical polishing | |
| DE69809437D1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur endpunktbestimmung beim chemischen polieren von halbleiterwafern | |
| US6939198B1 (en) | Polishing system with in-line and in-situ metrology | |
| EP1116552A3 (en) | Polishing apparatus with thickness measuring means | |
| US6258205B1 (en) | Endpoint detection method and apparatus which utilize an endpoint polishing layer of catalyst material | |
| WO2003066282A3 (en) | Systems and methods for characterizing a polishing process | |
| AU1670597A (en) | Cerium oxide abrasive, semiconductor chip, semiconductor device, process for the production of them, and method for the polishing of substrates | |
| SG108491A1 (en) | Method for chemical mechanical polishing (cmp) of low-k dielectric materials | |
| EP1120194A3 (en) | Optical monitoring in a two-step chemical mechanical polishing process | |
| WO2003009349A3 (en) | Methods and compositions for chemical mechanical polishing substrates covered with at least two dielectric materials | |
| GB2337476B (en) | Method and apparatus for cleaning workpiece surfaces and monitoring probes during workpiece processing | |
| ATE240817T1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur schichtdickenbestimmung beim wafertransportsystem | |
| WO2001086698A3 (en) | Method and system for detecting metal contamination on a semiconductor wafer | |
| SG99365A1 (en) | Reliable metal bumps on top of i/o pads with test probe marks | |
| EP1188518A3 (en) | Use of acoustic spectral analysis for monitoring/control of CMP processes | |
| EP0870577A3 (en) | Method for dressing a polishing pad, polishing apparatus, and method for manufacturing a semiconductor apparatus | |
| US6121147A (en) | Apparatus and method of detecting a polishing endpoint layer of a semiconductor wafer which includes a metallic reporting substance | |
| US6254453B1 (en) | Optimization of chemical mechanical process by detection of oxide/nitride interface using CLD system | |
| ATE313412T1 (de) | System zur endpunktbestimmung beim chemisch- mechanischen polieren | |
| TH49691A (th) | การควบคุมกระบวนการทางเคมีกลอย่างเหมาะสมด้วยการใช้ระบบ cld ตรวจจับรอยต่อของออกไซด์ /ไนไทรด์ | |
| JP2002083793A (ja) | 化学機械研磨における終点検出方法 | |
| TW356565B (en) | Method and device for removing a semiconductor wafer from a flat substrate | |
| Renteln et al. | An exploration of the copper CMP removal mechanism | |
| EP0796702A3 (en) | Polishing apparatus | |
| US20020072238A1 (en) | Chemical mechanical polishing method for slurry free fixed abrasive pads |