Claims (10)
1. กระบวนการสำหรับการเตรียมพทาลิกแอนไฮดรายด์เป็นไปตามข้อกำหนดโดยการทำให้ บริสุทธิ์โดยการกลั่นของพทาลิกแอนไฮดรายด์ ดิบ, ซึ่งพทาลิกแอนไฮดรายด์ดิบถูกนำเข้าสู่ คอลัมน์ การกลั่นซึ่งปฏิบัติการที่ความดันต่ำ, สาร มีจุดเดือดต่ำถูกแยกออกที่ส่วนบนหรือใน บริเวณส่วนบนของ คอลัมน์การกลั่นและพทาลิก แอนไฮดรายด์เป็นไปตามข้อกำหนดถูกแยกออก จากคอลัมน์โดยผ่านทาง ช่องนำสารออกด้านข้าง คอลัมน์การกลั่น1. The process for preparing phthalic anhydride complies with requirements by purifying the crude phthalic anhydride through distillation. The crude phthalic anhydride is introduced into a distillation column operating at low pressure. Substances with low boiling points are separated at the top or in the upper region of the distillation column, and the phthalic anhydride that meets the requirements is separated from the column through the side discharge port of the distillation column.
2. กระบวนการดังถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 1, โดยการกลั่นกระทำที่ความ ดันที่ส่วนบนของ คอลัมน์จาก 0.05-0.5 บาร์2. The process is in accordance with claim 1, by distillation performed at a pressure at the top of the column of 0.05-0.5 bar.
3. กระบวนการดังถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือข้อที่ 2, โดยการกลั่นกระทำในคอลัมน์ แบบมีชั้นกลั่นแยก3. The process shall be in accordance with claim 1 or 2, by column distillation with separate distillation layers.
4. กระบวนการดังถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 3, โดยชั้น กลั่นแยกต่ำกว่าและชั้นกลั่นแยกเหนือ จุดซึ่งจุดนำสารออก ด้านข้างติดตั้งเป็นระยะทางห่างออกไปซึ่งมากกว่าระยะปกติ ระหว่างชั้นกลั่นแยก ในคอลัมน์4. The process is entitled to claim in claim 3, where the lower and upper distillation layers, at which the lateral discharge point is installed, are spaced further apart than the normal distance between distillation layers in the column.
5. กระบวนการดังถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 4, โดยจุดนำ สารออกด้านข้างนิยมติดตั้งอยู่ใกล้ กับส่วนของชั้นกลั่นแยก ทั้งสอง5. The process is governed by claim number 4, with the lateral discharge point typically installed near the two distillation layers.
6. กระบวนการการดังถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ถึงข้อที่ 5 ข้อใดข้อ หนึ่ง, โดยพทาลิกแอน- ไฮดรายด์เป็นไปตามข้อกำหนดถูกแยกออกจาก คอลัมน์ในรูปแบบที่เป็นก๊าซผ่านทางจุดนำสารออก ด้านข้าง6. The process for claiming any one of claims 1 through 5, whereby the phthalic anhydride complies with the requirements, is separated from the column in gaseous form via a side discharge point.
7. กระบวนการดังถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 3 ถึงข้อที่ 6 ข้อใดข้อหนึ่ง, โดยชั้นกลั่นแยก ต่ำที่สุดถูกจัดเรียงสูงขึ้น โดยปริมาณจาก 1-6, นิยมจาก 2-4, นิยมโดยเฉพาะ 3,เท่าของระยะ ทาง ระหว่างชั้นกลั่นแยกในคอลัมน์, เปรียบเทียบกับตำแหน่ง ปกติในคอลัมน์7. The process claims any one of claims 3 through 6, with the lowest separation layer being arranged higher in order from 1-6, preferably from 2-4, and particularly preferably 3, times the distance between separation layers in the column, compared to the normal position in the column.
8. กระบวนการดังถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 3 ถึงข้อที่ 6 ข้อใดข้อหนึ่ง, โดยอย่างน้อยที่สุด ชั้นกลั่นแยกต่ำที่สุด 1-6, นิยม 2-4, นิยมโดยเฉพาะ 3, ชั้นกลั่นแยกในรูปของชั้นกลั่น แยกไหลสองทาง8. The process shall be entitled to any one of the claims under claims 3 through 6, with at least the lowest distillation strata 1-6, preferred 2-4, particularly preferred 3, and the strata in the form of a biflow distillation strata.
9.กระบวนการดังถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 8, โดยอย่าง น้อยที่สุดชั้นกลั่นแยกต่ำกว่า จุดนำสารออกด้านข้างอยู่ใน รูปของชั้นกลั่นแยกไหลสองทาง9. The process as claimed in claim 8, at least, has a distillation layer below the lateral discharge point in the form of a bidirectional distillation layer.
10. กระบวนการดังถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ถึงข้อที่ 9 ข้อใดข้อ หนึ่ง, โดยเครื่องระเหย ฟิล์มตกถูกใช้เป็นเครื่องระเหยส่วน ล่างสำหรับคอลัมน์การกลั่น10. The process shall claim any one of the claims 1 through 9, with a falling film evaporator used as the lower evaporator for the distillation column.