TH45861B - Methods and systems for laminating materials onto supports - Google Patents

Methods and systems for laminating materials onto supports

Info

Publication number
TH45861B
TH45861B TH601001917A TH0601001917A TH45861B TH 45861 B TH45861 B TH 45861B TH 601001917 A TH601001917 A TH 601001917A TH 0601001917 A TH0601001917 A TH 0601001917A TH 45861 B TH45861 B TH 45861B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
chamber
carrier gas
vapor
stated
diffuser assembly
Prior art date
Application number
TH601001917A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH84446A (en
Inventor
อัลเดน โคลแมน นายท็อดด์
ชาร์ลส พอว์เวลล์ นายริคกี้
เคลลี่ เกรย์ นายแอนดรูว์
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์ นางสาวสนธยา สังขพงศ์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
เฟิร์สท โซลาร์
Filing date
Publication date
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์ นางสาวสนธยา สังขพงศ์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์, เฟิร์สท โซลาร์ filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
Publication of TH84446A publication Critical patent/TH84446A/en
Publication of TH45861B publication Critical patent/TH45861B/en

Links

Abstract

DC60 (12/07/49) วิธีการและอุปกรณ์เคลือบฟิล์มลงบนตัวรองรับ ที่ซึ่งประกอบด้วยการนำเอาวัสดุและ ก๊าซตัวพาเข้าไปในห้องร้อน วัสดุอาจจะเป็นวัสดุกึ่งตัวนำ เช่น แคดเมียม คาลโคจีไนด์ ของผสมที่ได้ ของไอและก๊าซตัวพาที่ไม่มีวัสดุที่ไม่มีส่วนใดไม่กลายเป็นไอรวมอยู่ด้วย จะถูกจัดให้มีขึ้น ของผสม ของไอและก๊าซตัวพาจะถูกนำมาผสมซ้ำเข้าด้วยกัน เพื่อที่จะให้ได้เป็นสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มี คุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอด ที่ซึ่งจะถูกส่งเข้าหาผิวของตัวรองรับ เช่น ตัวรองรับประเภทแก้ว โดยในที่นั้น ไอจะถูกเคลือบเกาะในรูปของแผ่นฟิล์มที่มีองค์ประกอบสม่ำเสมอกัน วิธีการและอุปกรณ์เคลือบฟิล์มลงบนตัวรองรับ ที่ซึ่งประกอบด้วยการนำเอาวัสดุและ ก๊าซตัวพาเข้าใปในห้องร้อน วัสดุอาจจะเป็นวัสดุกึ่งตัวนำ เช่น แคดเมียม คาลโคจีไนด์ ของผสมที่ได้ ของไอและก๊าซตัวพาที่ไม่มีวัสดุที่ไม่มีส่วนใดไม่กลายเป็นไอรวมอยู่ด้วย จะถูกจัดให้มีขึ้น ของผสม ของไอและก๊าซตัวพาจะถูกนำมาผสมซ้ำเข้าด้วยกัน เพื่อที่จะให้ได้เป็นสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มี คุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอด ที่ซึ่งจะถูกส่งเข้าหาผิวของตัวรองรับ เช่น ตัวรองรับประเภทแก้ว โดยในที่นั้น ไอจะถูกเคลือบเกาะในรูปของแผ่นฟิล์มที่มีองค์ประกอบสม่ำเสมอกัน DC60 (12/07/49) Method and film coating device onto the support. Which consists of bringing materials and Carrier gas into the hot room The material may be a semiconductor such as cadmium, calcoogenide, a mixture of vapor and carrier gases without any non-vaporizing material. A mixture of vapor and carrier gas is then re-mixed together. In order to obtain a mixture of vapor / carrier gas with The features are always the same. Where it is directed towards the surface of the support such as a glass support where the vapor is coated in the form of a uniform film. Method and device for laminating film onto supports Which consists of bringing materials and Carrier gas into the hot room The material may be a semiconductor such as cadmium, calcoogenide, a mixture of vapor and carrier gases without any non-vaporizing material. A mixture of vapor and carrier gas is then re-mixed together. In order to obtain a mixture of vapor / carrier gas with The features are always the same. Where it is directed towards the surface of the support such as a glass support where the vapor is coated in the form of a uniform film.

Claims (8)

วิธีการเคลือบวัสดุลงบนตัวรองรับที่ซึ่งประกอบด้วย การนำเอาวัสดุและก๊าซตัวพาเข้าไปในห้องที่หนึ่ง; การให้ความร้อนแก่วัสดุในลักษณะที่ว่า ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของวัสดุจะกลาย เป็นไอ; การส่งของผสมของไอและก๊าซตัวพาผ่านห้องที่สอง เพื่อที่จะสร้างเป็นสารผสมของไอ/ ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอดขึ้น; และ การส่งสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอดเข้าหาผิวของตัว รองรับที่มีอุณหภูมิต่ำกว่าไอดังกล่าว 2. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งการให้ความร้อนแก่วัสดุจะประกอบด้วย การส่งกระแสไฟฟ้าไปยังส่วนต่างๆ ของห้องที่ 1 3. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งวัสดุจะเป็นแคดเมียม คาลโคจีไนด์ 4. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 3 ที่ซึ่งวัสดุจะเป็นแคดเมียม เทลลูไรด์ หรือ แคดเมียม ซัลไฟด์ 5. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งการให้ความร้อนจะรวมถึงการทำให้ อุณหภูมิของห้องที่หนึ่งคงที่ที่อย่างน้อยที่สุด 500 องศา C 6. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ซึ่งวัสดุจะเป็นแคดเมียม คาลโคจีไนด์ และการ ให้ความร้อนจะรวมถึงการรักษาอุณหภูมิของห้องที่หนึ่งไว้ที่อย่างน้อยที่สุด 700 องศา C 7. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่งกระจายด้วย 8. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่งกระจาย จำนวนหนึ่ง 9. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งห้องที่สองจะประกอบด้วยรูส่งกระจาย จำนวนหนึ่ง 1 0. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งประกอบต่อไปด้วยการจัดให้มีของผสมของ ไอและก๊าซตัวที่ไม่มีส่วนใด ๆ ของวัสดุที่เป็นของแข็งเลย หลังจากที่ผ่านขั้นตอนของการให้ความ ร้อนวัสดุมาแล้ว ในลักษณะที่ว่าส่วนหนึ่งของวัสดุจะกลายเป็นไอ 1 1. ชุดตัวส่งกระจายที่ซึ่งประกอบด้วย ห้องที่หนึ่งซึ่งเป็นห้องที่วัสดุของแข็งและก๊าซตัวพาจะถูกส่งเข้าไป; ตัวให้ความร้อนวางตัวอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง และจะจัดให้มีอุณหภูมิที่สูงเพียงพอต่อการ ทำให้ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของวัสดุของแข็งกลายเป็นไอ; ห้องที่สองวางตัวอยู่ชิดกับห้องที่หนึ่ง และจัดให้มีการไหลของวัสดุที่เพียงพอต่อการ ผสมไอและก๊าซตัวพาเข้าด้วยกัน เพื่อให้เป็นสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดย ตลอด; และ ช่องทางออกอยู่ใกล้กับห้องที่สอง และมีตำแหน่งอยู่ในลักษณะที่ว่า มันจะเป็นตัวส่งสาร ผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันเข้าหาผิวของตัวรองรับที่อยู่ใกล้ๆ 1 2. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งและห้องที่สองจะเป็น ท่อ และห้องที่เป็นรูปท่อที่หนึ่งจะวางตัวอยู่ภายในห้องที่เป็นรูปท่อที่สองในลักษณะที่ว่า ตัวห้องที่ เป็นรูปท่อที่สองนี้จะมาหุ้มห้องที่เป็นรูปท่อที่หนึ่งไว้ 1 3. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยตัวทำ ความร้อน และมันจะถูกทำให้ร้อน โดยวิธีการใช้ความต้านทานกระแสไฟฟ้า 1 4. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถรักษา ห้องที่หนึ่งให้มีอุณหภูมิไว้ที่อย่างน้อยที่สุด 500 องศา C 1 5. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถรักษา อุณหภูมิของห้องที่หนึ่งไว้ได้ที่อย่างน้อยที่สุด 700 องศา C 1 6. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งะมีรูส่งกระจายด้วย 1 7. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 16 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่ง กระจายจำนวนหนึ่ง 1 8. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งห้องที่สองจะประกอบด้วยรูส่ง กระจายจำนวนหนึ่ง 1 9. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 11 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะถูกจัดสัณฐานใน ลักษณะที่ว่า จะไม่มีวัสดุของแข็งถูกส่งเข้าไปในห้องที่สองเลย 2 0. ระบบเคลือบฟิล์มลงบนตัวรองรับ ที่ซึ่งประกอบด้วย แหล่งวัสดุเชื่อมต่อกับชุดตัวส่งกระจายในลักษณะที่ว่า วัสดุของแข็งและก๊าซตัวพาที่ส่ง ไปโดยแหล่งวัสดุจะถูกส่งเข้าไปในชุดตัวส่งกระจาย ที่ซึ่งชุดตัวส่งกระจายจะประกอบด้วย ห้องที่หนึ่งที่มีลักษณะที่ว่า วัสดุของแข็งและก๊าซตัวพาที่ส่งเข้าไปในชุดตัวส่งกระจาย จะถูกนำเข้าไปในห้องที่หนึ่งนี้; ตัวให้ความร้อนวางตัวอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง และจัดให้มีอุณหภูมิที่สูงเพียงพอต่อการทำ ให้ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของวัสดุของแข็งกลายเป็นไอ; ห้องที่สองวางตัวชิดอยู่กับห้องที่หนึ่ง และจัดให้มีการไหลของวัสดุที่เพียงพอต่อการ ผสมไอและก๊าซตัวพาเข้าด้วยกันให้เป็นสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดย ตลอด; และ ช่องทางออกอยู่ชิดกับห้องที่สอง และมีตำแหน่งอยู่ในลักษณะที่ว่า สารผสมของไอ/ ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอด จะถูกส่งตรงไปยังผิวของตัวรองรับที่อยู่ใกล้ๆ; และ ตัวลำเลียงที่ใช้ส่งตัวรองรับเข้าไปชิดกับชุดตัวส่งกระจายอย่างเพียงพอในลักษณะที่ว่า ไออาจจะถูกนำมาเคลือบเกาะบนตัวรองรับในรูปของฟิล์มได้ 2 1. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งและห้องที่สองจะมีลักษณะเป็น ท่อ และห้องที่เป็นรูปท่อที่หนึ่งจะวางตัวอยู่ภายในห้องที่เป็นรูปท่อที่สองในลักษณะที่ว่า ห้องที่เป็น รูปท่อที่สองจะหุ้มห้องที่เป็นรูปท่อที่หนึ่งไว้ 2 2. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยตัวทำความร้อน และมันจะถูกทำให้ร้อนได้โดยการทำความร้อนด้วยความต้านทานไฟฟ้า 2 3. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถทำให้อุณหภูมิ ของห้องที่หนึ่งคงที่อยู่ที่ 500 องศา C เป็นอย่างน้อยที่สุด 2 4. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 23 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถรักษาอุณหภูมิ ของห้องที่หนึ่งไว้ได้ที่ 700 องศา C เป็นอย่างน้อยที่สุด 2 5. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่งกระจาย 2 6. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 25 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่งกระจาย จำนวนหนึ่ง 2 7. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่ซึ่งห้องที่สองจะประกอบด้วยรูส่งกระจาย จำนวนหนึ่ง 2 8. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 20 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะถูกจัดสัญฐานในลักษณะที่ว่า จะไม่มีวัสดุของแข็งถูกส่งเข้าไปในห้องที่สอง วิธีการเคลือบวัสดุลงบนตัวรองรับ ที่ซึ่งประกอบด้วย การส่งวัสดุและก๊าซตัวพาเข้าไปในห้องที่หนึ่ง; การให้ความร้อนแก่วัสดุในลักษณะที่ว่า ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของวัสดุจะกลาย เป็นไอ; การส่งของผสมของไอและก๊าซตัวพาผ่านห้องที่สอง เพื่อที่จะสร้างเป็นสารผสมของไอ/ ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอดขึ้น; และ การส่งสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกัน โดยตลอดทั้งหมดไปยังผิว ของตัวรองรับที่มีอุณหภูมิต่ำกว่าไอ 2 9. วิธีการเคลือบวัสดุลงบนตัวรองรับ ที่ซึ่งประกอบด้วย การส่งวัสดุและก๊าซตัวพาเข้าไปในห้องที่หนึ่ง; การให้ความร้อนแก่วัสดุในลักษณะที่ว่า ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของวัสดุจะกลาย เป็นไอ; การส่งของผสมของไอและก๊าซตัวพาผ่านตัวกรอง โดยที่จะไม่มีวัสดุที่ไม่ได้กลายเป็น ไอผ่านตัวกรองออกไปได้เลย; การส่งของผสมของไอและก๊าซตัวพาผ่านห้องที่สอง เพื่อที่จะสร้างขึ้นเป็นสารผสมของ ไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอด; และ การส่งสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอด ไปยังผิวของตัว รองรับที่มีอุณหภูมิต่ำกว่าไอ 3 0. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 29 ที่ซึ่งตัวกรองจะวางตัวอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง 3 1. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 30 ที่ซึ่งตัวกรองจะประกอบด้วยตัวกรองที่เป็นรูป ท่อที่ประกอบร่วมกันอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง 3 2. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 29 ที่ซึ่งการให้ความร้อนแก่วัสดุจะประกอบด้วย การส่งกระแสไฟฟ้าไปยังส่วนต่าง ๆ ที่เป็นชิ้นส่วนประกอบของห้องที่หนึ่ง 3 3. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 29 ที่ซึ่งวัสดุจะเป็นแคดเมียม คาลโคจีไนด์ 3 4. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 33 ที่ซึ่งวัสดุจะเป็นแคดเมียม เทลลูไรด์ หรือ แคดเมียมซัลไฟด์ 3 5. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 33 ที่ซึ่งการให้ความร้อนจะประกอบด้วยการทำให้ ห้องที่หนึ่งจะมีความร้อนอยู่ที่ 500 องศา C เป็นอย่างน้อยที่สุด 3 6. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 35 ที่ซึ่งการให้ความร้อนจะรวมถึงการทำให้ห้องที่ หนึ่งมีอุณหภูมิอยู่ที่ 700 องศา C เป็นอย่างน้อยที่สุด 3 7. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 29 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่งกระจาย จำนวนหนึ่ง 3 8. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 31 ที่ซึ่งตัวกรองที่เป็นรูปท่อที่ประกอบร่วมกันอยู่ จะถูกทำให้ร้อนโดยใช้ความต้านทานไฟฟ้า 3 9. ชุดตัวส่งกระจายที่ซึ่งประกอบด้วย ห้องที่หนึ่ง ซึ่งเป็นห้องที่วัสดุของแข็งและก๊าซตัวพาจะถูกใส่เข้าไป; ตัวให้ความร้อนที่มีตำแหน่งวางตัวอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง และจัดให้มีอุณหภูมิที่สูงเพียง พอต่อการทำให้ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของวัสอุของแข็งกลายเป็นไอ; ตัวกรองที่มีตำแหน่งวางตัวอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง เพื่อที่จะปล่อยให้ไอและก๊าซตัวพาไหล ผ่านตัวมันไปได้ แต่จะไม่ยอมให้วัสดุของแข็งไหลผ่านไปได้เลย; ห้องที่สองที่อยู่ชิดกับห้องที่หนึ่ง และจัดให้มีการไหลของวัดสุที่ไหลได้อย่างเพียงพอต่อ การผสมไอและก๊าซตัวพาเข้าด้วยกันให้เป็นสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดย ตลอด; และ ช่องทางออกอยู่ชิดกับห้องที่สอง และมีตำแหน่งอยู่ในลักษณะที่ว่า มันจะทำหน้าที่ส่ง สารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันไปยังผิวของตัวรองรับที่อยู่ใกล้ๆ 4 0. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 39 ที่ซึ่งตัวกรองจะถูกจัดวางไว้ภายใน ห้องที่หนึ่ง 4 1. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 40 ที่ซึ่งตัวกรองจะประกอบด้วยตัวกรอง ที่เป็นรูปท่อที่ประกอบร่วมอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง 4 2. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 39 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยตัวให้ ความร้อน และมันจะถูกทำให้ร้อนโดยอาศัยความต้านทานไฟฟ้า 4 3. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 39 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถทำ ให้ห้องที่หนึ่งมีอุณหภูมิอยู่ที่ 500 อาศา C เป็นอย่างน้อยที่สุด 4 4. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 39 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถทำให้ ห้องที่หนึ่งมีอุณหภูมิอยู่ที่ 700 อาศา C เป็นอย่างน้อยที่สุด 4 5. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 39 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่ง กระจายจำนวนหนึ่ง 4 6. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 39 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งและห้องที่สองจะเป็น ท่อ และห้องที่หนึ่งจะมีตำแหน่งวางตัวอยู่ภายในห้องที่สองโดยที่ห้องที่เป็นรูปท่อที่สองจะหุ้มห้องที่ เป็นรูปท่อที่หนึ่งไว้ 4 7. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 41 ที่ซึ่ง ตัวกรองที่เป็นรูปท่อที่ประกอบ ร่วมกันอยู่จะประกอบด้วยตัวให้ความร้อน และมันจะถูกทำให้ร้อนโดยวิธีการทำความร้อนโดยอาศัย ความต้านทานไฟฟ้า 4 8. ระบบเคลือบฟิล์มลงบนตัวรองรับที่ซึ่งประกอบด้วย แหล่งวัสดุเชื่อมต่อกับชุดตัวส่งกระจายในลักษณะที่ว่า วัสดุของแข็งและก๊าซตัวพาที่ส่ง ไปในแหล่งวัสดุจะถูกส่งเข้าไปในชุดตัวส่งกระจาย ที่ซึ่งชุดตัวส่งกระจายจะประกอบด้วย ห้องที่หนึ่งที่ซึ่งวัสดุของแข็งและก๊าซตัวพาที่ส่งเข้าไปในชุดตัวส่งกระจายจะถูกส่งเข้า ไปในห้องที่หนึ่งนี้; ตัวให้ความร้อนที่มีตำแหน่งวางตัวอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง และจัดให้มีอุณหภูมิที่สูงเพียง พอต่อการทำให้ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของวัสดุของแข็งกลายเป็นไอ; ตัวกรองวางตัวอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง และใช้เป็นทางไหลผ่านของไอและก๊าซตัวพา โดยที่วัสดุของแข็งจะไม่สามารถไหลผ่านได้เลย; ห้องที่สองอยู่ชิดกับห้องที่หนึ่ง และจัดให้มีการไหลของวัสดุที่เพียงพอต่อการทำให้ไอ และก๊าซตัวพาผสมกันเป็นสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอด; และ ช่องทางออกอยู่ชิดกับห้องที่สอง และมีตำแหน่งอยู่ในลักษณะที่ว่า สารผสมของไอ/ ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอด จะถูกส่งไปยังผิวของตัวรองรับที่อยู่ใกล้ๆ; และ ตัวลำเลียงที่ใช้ส่งตัวรองรับเข้าไปชิดกับชุดตัวส่งกระจายได้อย่างเพียงพอในลักษณะที่ ว่า ไอออนจะถูกนำมาเคลือบบนตัวรองรับในรูปของฟิล์ม 4 9. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 48 ที่ซึ่งตัวกรองจะมีตำแหน่งอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง 5 0. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 49 ที่ซึ่งตัวกรองจะประกอบด้วยตัวกรองที่เป็นรูป ท่อที่ประกอบร่วมกันอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง 5 1. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 48 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยตัวให้ความร้อน และมันจะถูกทำให้ร้อนโดยวิธีการทำความร้อนโดยอาศัยความต้านทานไฟฟ้า 5 2. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 48 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถทำให้อุณหภูมิ ในห้องที่หนึ่งอยู่ที่ 500 องศา C เป็นอย่างน้อยที่สุด 5 3. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 48 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถทำให้อุณหภูมิ ในห้องที่หนึ่งอยู่ที่ 700 องศา C เป็นอย่างน้อยที่สุด 5 4. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 48 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่งกระจาย จำนวนหนึ่ง 5 5. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 48 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งและห้องที่สองจะเป็นท่อ และ ห้องที่หนึ่งจะมีตำแหน่งอยู่ภายในห้องที่สอง โดยที่ห้องที่เป็นรูปท่อที่สองจะหุ้มห้องที่เป็นรูปท่อที่ หนึ่งไว้ 5 6. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 50 ที่ซึ่งตัวกรองที่เป็นรูปท่อที่ประกอบร่วมกันอยู่ จะประกอบด้วยตัวให้ความร้อน และมันจะถูกทำให้ร้อนโดยวิธีการทำความร้อนที่อาศัยความต้าน ทานไฟฟ้า 5 7. วิธีการเคลือบวัสดุลงบนตัวรองรับที่ซึ่งประกอบด้วย การนำเอาวัสดุและก๊าซตัวพาใส่เข้าไปในห้องที่หนึ่ง; การให้ความร้อนแก่วัสดุในลักษณะที่ว่า ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของวัสดุจะกลาย เป็นไอ; การส่งของผสมของไอและก๊าซตัวพาผ่านเส้นทางการไหลที่หนึ่ง เพื่อที่จะสร้างเป็นสาร ผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอดขึ้น; การส่งของผสมของไอและก๊าซตัวพาผ่านเส้นทางการไหลที่สอง เพื่อที่จะรักษาคุณ ลักษณะที่เหมือนกันโดยตลอดของสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาไว้; และ การส่งสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอดไปยังผิวของตัว รองรับที่มีอุณหภูมิต่ำกว่าไอ 5 8. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 57 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะเป็นท่อ และที่ซึ่งเส้นทางการ ไหลจะถูกกำหนดโดยห้องที่หนึ่งและห้องที่เป็นรูปท่อที่สอง 5 9. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 57 ที่ซึ่งเส้นทางการไหลจะถูกกำหนดโดยห้องที่ ไม่เป็นรูปท่อ 6 0. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 57 ที่ซึ่งการให้ความร้อนแก่วัสดุจะประกอบด้วย การส่งกระแสไฟฟ้าไปยังส่วนประกอบต่าง ๆ ของห้องที่หนึ่ง 6 1. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 60 ที่ซึ่งวัสดุจะเป็นแคดเมียม คาลโคจีไนด์ 6 2. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 61 ที่ซึ่งแคดเมียม คาลโคจีไนด์จะเป็น แคดเมียมเทลลูไรด์ หรือแคดเมียม ซัลไฟด์ 6 3. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 57 ที่ซึ่งการให้ความร้อนแก่วัสดุจะประกอบด้วย การทำให้อุณหภูมิคงที่อยู่ที่ 500 องศา C เป็นอย่างน้อยที่สุด 6 4. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 63 ที่ซึ่งการให้ความร้อนแก่วัสดุจะประกอบด้วย การรักษาอุณหภูมิไว้ที่ประมาณ 500 องศา C ถึงประมาณ 700 องศา C 6 5. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 61 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่งกระจาย จำนวนหนึ่ง 6 6. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 57 ที่ซึ่งประกอบต่อไปด้วยการจัดให้มีของผสม ของไอและก๊าซตัวพาที่ไม่มีส่วนใด ๆ ของวัสดุของแข็งเลย หลังจากที่ผ่านขั้นตอนของการให้ความ ร้อนแก่ตัววัสดุมาแล้ว ในลักษณะที่ว่า ส่วนหนึ่งของวัสดุจะกลายเป็นไอ 6 7. ชุดตัวส่งกระจายที่ซึ่งประกอบด้วย ห้องที่หนึ่ง ที่ซึ่งวัสดุของแข็งและก๊าซตัวพาจะถูกใส่เข้าไปในห้องนี้ ; ตัวให้ความร้อนที่มีตำแหน่งวางตัวอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง และจัดให้มีอุณหภูมิที่สูงเพียง พอต่อการทำให้ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของวัสดุของแข็งกลายเป็นไอ; เส้นทางการไหลที่หนึ่งอยู่ชิดกับห้องที่หนึ่ง และจัดให้มีการไหลของวัสดุที่เพียงพอต่อ การทำให้ไอและก๊าซตัวพามาผสมกันเป็นสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดย ตลอด; เส้นทางการไหลที่สองอยู่ชิดกับเส้นทางการไหลที่หนึ่ง และจัดให้มีการไหลของวัสดุที่ เพียงพอต่อการรักษาคุณลักษณะที่เหมือนกันโดยตลอดของสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาไว้ ; และ ช่องทางออกอยู่ชิดกับเส้นทางการไหลที่สอง และมีตำแหน่งอยู่ในลักษณะที่ว่า มันจะส่ง สารผสมของไอ/ ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอดไปยังผิวของตัวรองรับที่อยู่ใกล้ๆ 6 8. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 67 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะเป็นท่อ และที่ซึ่ง เส้นทางการไหลจะถูกกำหนดโดยห้องที่หนึ่งและห้องที่เป็นรูปท่อที่สอง 6 9. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 67 ที่ซึ่งเส้นทางการไหลที่หนึ่ง และเส้น ทางการไหลที่สองอย่างใดอย่างหนึ่งเป็นอย่างรน้อยที่สุด จะถูกกำหนดขึ้นจากห้องที่ไม่เป็นรูปท่อ 7 0. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 67 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยตัวทำ ความร้อน ซึ่งจะถูกทำให้ร้อนโดยวิธีการทำความร้อนโดยอาศัยความต้านทานไฟฟ้า 7 1. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 67 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถทำให้ ห้องที่หนึ่งมีอุณหภูมิคงที่อยู่ที่ 500 องศา C ได้เป็นอย่างน้อยที่สุด 7 2. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 71 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถทำให้ อุณหภูมิในห้องที่หนึ่งคงที่อยู่ที่ประมาณ 500 องศา C จนถึงประมาณ 700 องศา C ได้โดยตลอด 7 3. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 67 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่ง กระจายจำนวนหนึ่ง 7 4. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 67 ที่ซึ่งประกอบต่อไปด้วยห้องที่สองที่ มีรูส่งกระจายจำนวนหนึ่ง 7 5. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 67 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะถูกจัดสัณฐานใน ลักษณะที่ว่า จะไม่มีวัสดุของแข็งถูกส่งไปยังห้องที่สองเลย 7 6. ระบบเคลือบฟิล์มลงบนตัวรองรับที่ซึ่งประกอบด้วย แหล่งวัสดุเชื่อมต่อกับชุดตัวส่งกระจายในลักษณะที่ว่า วัสดุของแข็งและก๊าซตัวพาที่ส่ง ไปโดยแหล่งวัสดุจะถูกส่งเข้าไปในชุดตัวส่งกระจาย ที่ซึ่งชุดตัวส่งกระจายจะประกอบด้วย ห้องที่หนึ่งที่อยู่ในลักษณะที่ว่า วัสดุของแข็งและก๊าซตัวพาที่ส่งเข้าไปในชุดตัวส่ง กระจายจะถูกส่งเข้าไปในห้องที่หนึ่ง; ตัวให้ความร้อนที่มีตำแหน่งอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง และจัดให้มีอุณหภูมิสูงเพียงพอต่อการ ทำให้ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของวัสดุของแข็งกลายเป็นไอ; เส้นทางการไหลที่หนึ่งที่อยู่ชิดกับห้องที่หนึ่ง และจัดให้มีการไหลของวัสดุที่เพียงพอต่อ การผสมไอและก๊าซตัวพาให้เป็นสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอด; เส้นทางการไหลที่สองอยู่ชิดกับเส้นทางการไหลที่หนึ่ง และจัดให้มีการไหลของวัสดุที่ เพียงพอต่อการทำให้คุณลักษณะที่เหมือนกันโดยตลอดของสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาคงที่โดย ตลอด ; และ ช่องทางออกอยู่ชิดกับเส้นทางการไหลที่สอง และมีตำแหน่งอยู่ในลักษณะที่ว่า สารผสม ของไอ/ ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกัน จะถูกส่งตรงไปยังผิวของตัวรองรับที่อยู่ใกล้ๆ; และ ตัวลำเลียงที่ใช้ส่งตัวรองรับเข้าไปชิดอยู่กับชุดตัวส่งกระจายได้อย่างเพียงพอในลักษณะ ที่ว่า ไออาจจะถูกนำไปเคลือบเกาะบนตัวรองรับในรูปของฟิล์ม 7 7. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 76 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะเป็นท่อ และที่ซึ่งเส้นทางการ ไหลจะถูกกำหนดโดยห้องที่หนึ่งและห้องที่เป็นรูปท่อที่สอง 7 8. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 76 ที่ซึ่งเส้นทางการไหลที่หนึ่งละเส้นทางการไหล ที่สองเส้นใดเส้นหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุด จะถูกกำหนดขึ้นโดยห้องที่ไม่เป็นรูปท่อ 7 9. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 76 ที่ซึ่ง ห้องที่หนึ่งประกอบด้วยตัวทำความร้อน และมันจะถูกทำให้ร้อน โดยวิธีการทำความร้อนโดยอาศัยความต้านทานไฟฟ้า 8 0. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 76 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถให้ห้องที่ หนึ่งมีอุณหภูมิคงที่อยู่ที่ 500 องศา C เป็นอย่างน้อยที่สุดได้ 8 1. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 81 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถทำให้ห้องที่ หนึ่งมีอุณหภูมิคงที่ที่ประมาณ 500 องศา C ถึงประมาณ 700 องศา C ได้โดยตลอด 8 2. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 76 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่งกระจาย จำนวนหนึ่ง 8 3. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 76 ที่ซึ่งประกอบต่อไปด้วยห้องที่สองที่มีรูส่ง กระจายจำนวนหนึ่ง 8 4. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 76 ทีซึ่งห้องที่หนึ่งจะถูกจัดสัณฐานในลักษณะที่ว่า จะไม่มีวัสดุของแข็งถูกส่งเข้าไปในห้องที่สองแต่อย่างใด 8 2. วิธีการเคลือบวัสดุลงบนตัวรองรับซึ่งประกอบด้วย การส่งวัสดุและก๊าซตัวพาเข้าไปในห้องที่หนึ่ง; การให้ความร้อนวัสดุในลักษณะที่ว่า ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของวัสดุจะกลายเป็น ไอ; การส่งของผสมของไอและก๊าซตัวพาผ่านห้องที่สอง เพื่อสร้างเป็นสารผสมของไอ/ก๊าซ ตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอด; และ การส่งสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอดเข้าไปชิดกับตัว ให้ความร้อนด้านนอก และเข้าหาผิวของตัวรองรับที่มีอุณหภูมิต่ำกว่าไอ 8 6. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 85 ที่ซึ่งการให้ความร้อนวัสดุจะประกอบด้วยการ ส่งกระแสไฟฟ้าไปยังส่วนประกอบต่างๆ ของห้องที่หนึ่ง 8 7. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 85 ที่ซึ่งวัสดุจะเป็นแคดเมียม คาลโคจีไนด์ และ การให้ความร้อนจะรวมถึงการทำให้ห้องที่หนึ่งมีอุณหภูมิคงที่ที่ 500 องศา C เป็นอย่างน้อยที่สุด 8 8. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 87 ที่ซึ่งการให้ความร้อนจะรวมถึงการทำให้ห้องที่ หนึ่งมีอุณหภูมิคงที่ที่อย่างน้อยที่สุด 700 องศา C 8 9. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 85 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนด้านนอกจะถูกทำให้ร้อน โดยการส่งกระแสไฟฟ้าเข้าไปยังตัวทำความร้อนด้านนอก 9 0. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 85 ที่ซึ่งวัสดุจะเป็นแคดเมียม คาลโคจีไนด์ และตัว ให้ความร้อนด้านนอกจะมีอุณหภูมิคงที่ที่อย่างน้อยที่สุด 500 องศา C 9 1. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 85 ที่ซึ่งสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะ เหมือนกันโดยตลอด จะถูกส่งตรงเข้าไปชิดกับตัวให้ความร้อนด้านนอกทั้งสองตัว 9 2. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 91 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนด้านนอกจะเป็นตัวสร้าง เส้นทางที่ใช้ส่งสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอด ไปยังผิวของตัวรอง รับ 9 3. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 85 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่งกระจาย จำนวนหนึ่ง 9 4. วิธีการตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 85 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งดังกล่าวจะประกอบด้วยรูส่ง กระจายจำนวนหนึ่ง 9 5. ชุดตัวส่งกระจายที่ซึ่งประกอบด้วย ห้องที่หนึ่งที่เป็นห้องที่ใส่วัสดุของแข็งและก๊าซตัวพา; ตัวให้ความร้อนที่มีตำแหน่งวางตัวอยู่ภายในห้องที่หนึ่ง และจัดให้มีอุณหภูมิที่สูงเพียง พอต่อการทำให้ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของวัสดุของแข็งกลายเป็นไอ; ห้องที่สองอยู่ชิดกับห้องที่หนึ่ง และจัดให้มีการไหลของวัสดุที่เพียงพอต่อการผสมไอ และก๊าซตัวพาให้เป็นสารผสมของไอ/ ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอด; ช่องทางออกอยู่ชิดกับห้องที่สองและมีตำแหน่งอยู่ในลักษณะที่ว่า มันจะส่งสารผสมของ ไอ/ ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันไปยังผิวของตัวรองรับที่อยู่ใกล้ๆ; ตัวให้ความร้อนด้านนอกที่อยู่ชิดกับช่องทางออก 9 6. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 95 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยตัวทำ ความร้อน และมันจะถูกทำให้ร้อนโดยวิธีการทำความร้อนที่อาศัยความต้านทานไฟฟ้า 9 7. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 95 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถทำให้ ห้องที่หนึ่งมีอุณหภูมิคงที่ที่อย่างน้อยที่สุด 500 องศา C 9 8. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 95 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถทำให้ ห้องที่หนึ่งมีอุณหภูมิคงที่ที่อย่างน้อยที่สุด 700 องศา C 9 9. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 95 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนด้านนอกจะถูก ให้ความร้อนโดยวิธีการทำความร้อนที่อาศัยความต้านทานไฟฟ้า 10 0. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 95 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนด้านนอกจะ สามารถรักษาอุณหภูมิที่อย่างน้อยที่สุด 500 องศา C ไว้ได้ 10 1. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 95 ที่ซึ่งประกอบด้วยตัวให้ความร้อน ด้านนอกสองตัววางตัวอยู่ชิดกับช่องทางออก 10 2. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 101 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนด้านนอกจะ เป็นตัวสร้างเส้นทางที่ใช้ส่งสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันตลอดไปยังผิวของ ตัวรองรับ 10 3. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 102 ที่ซึ่งเส้นทางที่เกิดจากตัวให้ ความร้อนด้านนอกจะเป็นเส้นทางตรงที่เป็นตัวรักษาทิศทางการไหลของสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่ มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอดที่ออกจากช่องทางออก 10 4. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 102 ที่ซึ่งเส้นทางที่เกิดจากตัวให้ ความร้อนด้านนอกจะเป็นเส้นทางโค้งทีปรับทิศทางการไหลของสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณ ลักษณะเหมือนกันโดยตลอดที่ออกจากช่องทางออก 10 5. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 95 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่ง กระจายจำนวนหนึ่ง 10 6. ชุดตัวส่งกระจายตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 95 ที่ซึ่งห้องที่อสองจะประกอบด้วยรูส่ง กระจายจำนวนหนึ่ง 10 7. ระบบเคลือบฟิล์มลงบนตัวรองรับที่ซึ่งประกอบด้วย แหล่งวัสดุเชื่อมต่อกับชุดตัวส่งกระจายในลักษณะที่ว่า วัสดุของแข็งและก๊าซตัวพาที่ส่ง ไปโดยแหล่งวัสดุจะถูกส่งเข้าไปในชุดตัวส่งกระจาย ที่ซึ่งชุดตัวส่งกระจายจะประกอบด้วย ห้องที่หนึ่งที่ซึ่งวัสดุของแข็งและก๊าซตัวพาที่ส่งเข้าไปในชุดตัวส่งกระจาย จะถูกส่งเข้า ไปในห้องที่หนึ่ง; ตัวให้ความร้อนที่มีตำแหน่งวางตัวอยู่ภายในห้องที่หนึ่งและจัดให้มีอุณหภูมิที่สูงเพียง พอต่อการทำให้ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของวัสดุของแข็งกลายเป็นไอ; ห้องที่สองอยู่ชิดกับห้องที่หนึ่งและจัดให้มีการไหลของวัสดุที่ไหลโค้งอย่างเพียงพอต่อ การผสมไอและก๊าซตัวพาเข้าด้วยกันให้เป็นสารผสมของไอ/ ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดย ตลอด; ช่องทางออกอยู่ชิดกับห้องที่สอง และมีตำแหน่งอยู่ในลักษณะที่ว่า สารผสมของไอ/ ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอดจะถูกส่งไปยังผิวของซับสเตรทที่อยู่ชิดกัน; และ ตัวให้ความร้อนด้านนอกที่วางตัวอยู่ชิดกับช่องทางออก; และ ตัวลำเลียงที่ใช้ส่งตัวรองรับเข้าไปชิดกับชุดตัวส่งกระจายได้อย่างเพียงพอในลักษณะที่ ว่า ไออาจจะถูกนำมาเคลือบลงบนตัวรองรับเป็นแผ่นฟิล์ม 10 8. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 107 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยตัวทำ ความร้อน และมันจะถูกทำให้ร้อนโดยวิธีการทำความร้อนที่อาศัยความต้านทานไฟฟ้า 10 9. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 107 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถรักษาอุณหภูมิ ของห้องที่หนึ่งไว้ได้ที่ 500 องศา C เป็นอย่างน้อยที่สุด 11 0. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 107 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนจะสามารถรักษาอุณหภูมิ ของห้องที่หนึ่งไว้ที่ 700 องศา C เป็นอย่างน้อยที่สุด 11 A method of coating material onto a support, comprising: introducing the material and a carrier gas into a first chamber; heating the material such that at least a portion of the material is vaporized; passing the mixture of vapor and carrier gas through a second chamber so as to form a uniform vapor/carrier gas mixture throughout; and passing the uniform vapor/carrier gas mixture throughout to a surface of the support having a temperature lower than the vapor. 2. The method as stated in claim 1, wherein heating the material comprises passing an electric current to various parts of chamber 1. 3. The method as stated in claim 1, wherein the material is cadmium chalcogenide. 4. The method as stated in claim 3, wherein the material is cadmium telluride or cadmium sulfide. 5. The method as stated in claim 1, wherein heating includes heating The temperature of the first chamber is maintained at at least 500°C. 6. The method as stated in claim 5, wherein the material is cadmium chalcogenide, and the heating includes maintaining the temperature of the first chamber at at least 700°C. 7. The method as stated in claim 1, wherein the first chamber also comprises a diffuser hole. 8. The method as stated in claim 7, wherein the first chamber also comprises a plurality of diffuser holes. 9. The method as stated in claim 1, wherein the second chamber also comprises a plurality of diffuser holes. 1 0. The method as stated in claim 1, further comprising providing a mixture of vapor and gas containing no solid material after the step of heating the material, such that a portion of the material vaporizes. 1 1. The diffuser assembly comprising a first chamber into which the solid material and a carrier gas are introduced; a heater placed within the first chamber and providing a temperature sufficient to vaporize at least a portion of the solid material; The second chamber is placed adjacent to the first chamber and provides a flow of material sufficient to mix the vapor and carrier gas to form a uniform vapor/carrier gas mixture throughout; and the outlet is adjacent to the second chamber and is positioned such that it will convey the uniform vapor/carrier gas mixture to the surface of the adjacent support 1 . 2. The diffuser assembly as described in claim 11, wherein the first and second chambers are tubular, and the first tubular chamber is placed within the second tubular chamber such that the second tubular chamber encloses the first tubular chamber 1 . 3. The diffuser assembly as described in claim 11, wherein the first chamber comprises a heater and is heated by means of an electrical resistance 1 . 4. The diffuser assembly as described in claim 11, wherein the heater is capable of maintaining the first chamber at a temperature of at least 500°C 1 . 5. The diffuser assembly as described in claim 14, wherein the heater is capable of maintaining The temperature of the first chamber is maintained at least 700°C. 1 6. The diffuser assembly as described in claim 11, wherein the first chamber has a diffuser hole. 1 7. The diffuser assembly as described in claim 16, wherein the first chamber comprises a plurality of diffuser holes. 1 8. The diffuser assembly as described in claim 11, wherein the second chamber comprises a plurality of diffuser holes. 1 9. The diffuser assembly as described in claim 11, wherein the first chamber is arranged such that no solid material is supplied to the second chamber. 2 0. The film coating system on a support, comprising a material source connected to the diffuser assembly such that the solid material and carrier gas delivered by the material source are supplied to the diffuser assembly, wherein the diffuser assembly comprises a first chamber such that the solid material and carrier gas delivered to the diffuser assembly are supplied to the first chamber; a heater placed within the first chamber and provided with a temperature sufficient to The second chamber is adjacent to the first chamber and provides sufficient material flow to mix the vapor and carrier gas to form a uniform vapor/carrier gas mixture throughout; and the outlet is adjacent to the second chamber and is positioned such that the uniform vapor/carrier gas mixture is directed to the surface of the adjacent support; and the conveyor used to deliver the support is sufficiently adjacent to the dispersing unit such that the vapor may be deposited on the support in the form of a film. 2 1. The system as stated in claim 20, wherein the first and second chambers are tubular, and the first tubular chamber is placed within the second tubular chamber such that the second tubular chamber encloses the first tubular chamber. 2 2. The system as stated in claim 20, wherein the first chamber comprises a heater, and it is heated by electrical resistance heating. 2 3. The system as stated in claim 20, wherein the heater is capable of raising the temperature 4. The system as stated in claim 23, wherein the heater is capable of maintaining the temperature of the first chamber at least 700 degrees C. 2 5. The system as stated in claim 20, wherein the first chamber comprises 2 diffuser holes. 6. The system as stated in claim 25, wherein the first chamber comprises 2 diffuser holes. 7. The system as stated in claim 20, wherein the second chamber comprises 2 diffuser holes. 8. The system according to claim 20, wherein the first chamber is arranged such that no solid material is introduced into the second chamber. The method of coating the material onto a support, comprising: introducing the material and a carrier gas into the first chamber; heating the material such that at least a portion of the material is vaporized; passing the mixture of vapor and carrier gas through the second chamber so as to form a uniform vapor/carrier gas mixture throughout; and delivering the uniform vapor/carrier gas mixture throughout to a surface of the support having a temperature lower than the vapor. 2. 9. The method of coating the material onto a support, comprising: introducing the material and a carrier gas into the first chamber; heating the material such that at least a portion of the material is vaporized; passing the mixture of vapor and carrier gas through a filter such that no unvaporized material passes through the filter; passing the mixture of vapor and carrier gas through the second chamber so as to form a uniform vapor/carrier gas mixture throughout; and delivering the mixture of vapor/carrier gas throughout. to the surface of the support having a temperature lower than the vapor 3 0. The method as stated in claim 29, wherein the filter is placed within a first chamber 3 1. The method as stated in claim 30, wherein the filter comprises a tubular filter assembled within a first chamber 3 2. The method as stated in claim 29, wherein heating the material comprises passing an electric current to various components of the first chamber 3 3. The method as stated in claim 29, wherein the material is cadmium chalcogenide 3 4. The method as stated in claim 33, wherein the material is cadmium telluride or cadmium sulfide 3 5. The method as stated in claim 33, wherein the heating comprises heating the first chamber to at least 500°C 3 6. The method as stated in claim 35, wherein the heating comprises heating the chamber One having a temperature of at least 700°C. 3 7. The method as stated in claim 29, wherein the first chamber comprises a plurality of diffuser holes. 3 8. The method as stated in claim 31, wherein the combined tubular filters are heated by means of an electrical resistance. 3 9. The diffuser assembly comprising: a first chamber into which the solid material and carrier gas are introduced; a heater positioned within the first chamber and providing a temperature sufficient to vaporize at least a portion of the solid material; a filter positioned within the first chamber so as to permit the vapor and carrier gas to pass through it but not the solid material to pass through at all; a second chamber adjacent to the first chamber and providing a flow rate sufficient to mix the vapor and carrier gas into a uniform vapor/carrier gas mixture throughout; and an outlet adjacent to the second chamber and positioned so as to vaporize at least a portion of the solid material. 1. The diffuser assembly as described in claim 40, wherein the filter comprises a tubular filter integrated within a first chamber 4. 2. The diffuser assembly as described in claim 39, wherein the first chamber comprises a heater and it is heated by means of an electrical resistance 4. 3. The diffuser assembly as described in claim 39, wherein the heater is capable of bringing the first chamber to a temperature of at least 500 degrees C 4. 4. The diffuser assembly as described in claim 39, wherein the heater is capable of bringing the first chamber to a temperature of at least 700 degrees C 4. 5. The diffuser assembly as described in claim 39, wherein the first chamber comprises a delivery hole. 4. A diffuser assembly as described in claim 39, wherein the first and second chambers are tubular, and the first chamber is located within the second chamber, with the second tubular chamber enclosing the first tubular chamber. 4. 7. A diffuser assembly as described in claim 41, wherein the tubular filters incorporated include a heater, and it is heated by means of electrical resistance heating. 4. 8. A film coating system on a support comprising a material source connected to the diffuser assembly such that the solid material and carrier gas delivered to the material source are fed into the diffuser assembly, wherein the diffuser assembly comprises a chamber wherein the solid material and carrier gas delivered to the diffuser assembly are fed into the first chamber; a heater located within the first chamber and maintained at a temperature sufficient to vaporize at least a portion of the solid material; a filter located within the first chamber and serving as a passageway for the vapor and carrier gas, without which the solid material is completely free from flow; a second chamber adjacent to the first chamber. and provide a flow of material sufficient to mix the vapor and carrier gas into a uniform vapor/carrier gas mixture throughout; and the outlet is adjacent to the second chamber and is positioned such that the uniform vapor/carrier gas mixture is delivered to the surface of the adjacent support; and the conveyor used to deliver the support is sufficiently close to the diffuser assembly such that ions are coated on the support in the form of a film. 4 9. The system as stated in claim 48, wherein the filter is located within the first chamber. 5 0. The system as stated in claim 49, wherein the filter comprises a tubular filter assembled within the first chamber. 1. The system as stated in claim 48, wherein the first chamber comprises a heater and it is heated by means of electrical resistance heating. 5 2. The system as stated in claim 48, wherein the heater is capable of bringing the temperature in the first chamber to at least 500°C. 5 3. The system according to claim 48, wherein the heater is capable of raising the temperature in the first chamber to at least 700°C. 5 4. The system according to claim 48, wherein the first chamber comprises a plurality of diffuser holes. 5 5. The system according to claim 48, wherein the first and second chambers are tubular, and the first chamber is located within the second chamber, with the second tubular chamber enclosing the first tubular chamber. 5 6. The system according to claim 50, wherein the combined tubular filter comprises a heater, and it is heated by means of electrical resistance heating. 5 7. A method for coating material onto a support, comprising: introducing the material and a carrier gas into the first chamber; heating the material such that at least a portion of the material vaporizes; passing the mixture of vapor and carrier gas through a first flow path so as to form a vapor/carrier gas mixture having uniform characteristics throughout. Delivery of the vapor and carrier gas mixture through a second flow path so as to maintain the uniform characteristics of the vapor/carrier gas mixture throughout; and delivery of the uniform vapor/carrier gas mixture throughout to the surface of the support having a temperature lower than the vapor 5 8. The method as stated in claim 57, wherein the first chamber is a tube, and wherein the flow path is determined by the first chamber and a second tubular chamber 5 9. The method as stated in claim 57, wherein the flow path is determined by a non-tubular chamber 6 0. The method as stated in claim 57, wherein heating the material comprises passing an electric current to the components of the first chamber 6 1. The method as stated in claim 60, wherein the material is cadmium chalcogenide 6 2. The method as stated in claim 61, wherein the cadmium chalcogenide is Cadmium telluride or cadmium sulfide 6 3. The method according to claim 57, wherein heating the material comprises maintaining a temperature of at least 500°C. 6 4. The method according to claim 63, wherein heating the material comprises maintaining a temperature of about 500°C to about 700°C. 6 5. The method according to claim 61, wherein the first chamber includes a plurality of diffuser holes. 6 6. The method according to claim 57, further comprising providing a mixture of vapor and carrier gas that does not contain any solid material after the material is heated, such that a portion of the material is vaporized. 6 7. The diffuser assembly comprising a first chamber, wherein the solid material and carrier gas are introduced into the chamber; a heater positioned within the first chamber and provided with a temperature sufficient to vaporize at least a portion of the solid material; The first flow path is adjacent to the first chamber and provides sufficient material flow to mix the vapor and carrier gas to form a uniform vapor/carrier gas mixture throughout; the second flow path is adjacent to the first flow path and provides sufficient material flow to maintain a uniform vapor/carrier gas mixture throughout; and the outlet is adjacent to the second flow path and is positioned so as to deliver the uniform vapor/carrier gas mixture throughout to the surface of the adjacent support. 6 8. The dispersing unit as described in claim 67, wherein the first chamber is a pipe, and wherein the flow path is determined by the first chamber and a second tubular chamber. 6 9. The dispersing unit as described in claim 67, wherein the first flow path and at least one of the second flow paths is shall be established from a non-tubular chamber 7 0. The emitter assembly as described in claim 67, wherein the first chamber comprises a heating element to be heated by means of electrical resistance heating 7 1. The emitter assembly as described in claim 67, wherein the heating element is capable of maintaining a constant temperature in the first chamber at least 500°C 7 2. The emitter assembly as described in claim 71, wherein the heating element is capable of maintaining a constant temperature in the first chamber at approximately 500°C to approximately 700°C continuously 7 3. The emitter assembly as described in claim 67, wherein the first chamber comprises a plurality of emitter holes 7 4. The emitter assembly as described in claim 67, further comprising a second chamber 7. A diffuser assembly as described in claim 67, wherein the first chamber is arranged such that no solid material is delivered to the second chamber. 7. A film coating system on a support comprising a material source connected to the diffuser assembly such that the solid material and carrier gas delivered by the material source are delivered into the diffuser assembly, wherein the diffuser assembly comprises a first chamber such that the solid material and carrier gas delivered to the diffuser assembly are delivered into the first chamber; a heater positioned within the first chamber and providing a temperature sufficient to vaporize at least a portion of the solid material; a first flow path adjacent to the first chamber and providing a material flow sufficient to mix the vapor and carrier gas into a uniform vapor/carrier gas mixture throughout; a second flow path adjacent to the first flow path and providing a material flow sufficient to maintain a uniform vapor/carrier gas mixture throughout; and an outlet adjacent to the second flow path. and positioned such that the vapor/carrier gas mixture having the same characteristics is directed to the surface of the adjacent support; and the carrier used to deliver the support is sufficiently close to the diffuser assembly such that the vapor may be deposited on the support in the form of a film 7 7. The system as stated in claim 76, wherein the first chamber is a tube and wherein the flow path is determined by the first chamber and a second tubular chamber 7 8. The system according to claim 76, wherein the first flow path and at least one of the second flow paths is defined by a non-tubular chamber 7 9. The system according to claim 76, wherein the first chamber includes a heater and it is heated by means of electric resistance heating 8 0. The system according to claim 76, wherein the heater is capable of maintaining the first chamber at a constant temperature of at least 500°C 8 1. The system according to claim 81, wherein the heater is capable of maintaining the first chamber at a constant temperature of about 500°C to about 700°C continuously 8 2. The system according to claim 76, wherein the first chamber comprises a plurality of distribution holes 8 3. The system according to claim 76, further comprising a second chamber having distribution holes 8 4. The system as stated in claim 76, wherein the first chamber is arranged such that no solid material is introduced into the second chamber. 8 2. A method for coating material onto a support, comprising introducing the material and a carrier gas into the first chamber; heating the material such that at least a portion of the material vaporizes; introducing the mixture of vapor and carrier gas through the second chamber to form a uniform vapor/carrier gas mixture throughout; and introducing the uniform vapor/carrier gas mixture into the external heating element and toward a surface of the support having a temperature lower than the vapor. 8 6. A method as stated in claim 85, wherein heating the material comprises applying an electric current to the various components. of the first chamber. 8 7. The method as stated in claim 85, wherein the material is cadmium chalcogenide and the heating includes maintaining a constant temperature of the first chamber at least 500°C. 8 8. The method as stated in claim 87, wherein the heating includes maintaining a constant temperature of the first chamber at least 700°C. 8 9. The method as stated in claim 85, wherein the outer heating element is heated by passing an electric current through the outer heating element. 9 0. The method as stated in claim 85, wherein the material is cadmium chalcogenide and the outer heating element is maintained at a constant temperature of at least 500°C. 9 1. The method as stated in claim 85, wherein a vapor/carrier gas mixture having identical characteristics is brought directly adjacent to the two outer heating elements. 9 2. The method as stated in claim 91, wherein the outer heating element is the generator. A path for delivering a uniform vapor/carrier gas mixture to the surface of the carrier 9. 3. The method as stated in claim 85, wherein the first chamber includes a plurality of diffusion holes 9. 4. The method as stated in claim 85, wherein said first chamber includes a plurality of diffusion holes 9. 5. A diffusion assembly comprising a first chamber containing a solid material and a carrier gas; a heater positioned within the first chamber and providing a temperature sufficient to vaporize at least part of the solid material; a second chamber adjacent to the first chamber and providing a flow of material sufficient to mix the vapor and carrier gas into a uniform vapor/carrier gas mixture; an outlet adjacent to the second chamber and positioned so as to deliver the uniform vapor/carrier gas mixture to the surface of the adjacent carrier; 9. The external heating element proximate to the outlet. 9. 6. The radiant unit as described in claim 95, wherein the first chamber comprises a heating element and it is heated by means of electric resistance heating. 9. 7. The radiant unit as described in claim 95, wherein the heating element is capable of maintaining a constant temperature of at least 500°C in the first chamber. 9. 8. The radiant unit as described in claim 95, wherein the heating element is capable of maintaining a constant temperature of at least 700°C in the first chamber. 9. 9. The radiant unit as described in claim 95, wherein the external heating element is heated by means of electric resistance heating. 10. 0. The radiant unit as described in claim 95, wherein the external heating element is capable of maintaining a temperature of at least 500°C. 10. 1. The radiant unit as described in claim 95, comprising a heating element. Two outer heating elements are positioned adjacent to the outlet 10. 2. The diffuser assembly as described in claim 101, wherein the outer heating element forms a path for delivering the uniform vapor/carrier gas mixture throughout to the surface of the support 10. 3. The diffuser assembly as described in claim 102, wherein the path formed by the outer heating element is a straight path that maintains the flow direction of the uniform vapor/carrier gas mixture throughout out of the outlet 10. 4. The diffuser assembly as described in claim 102, wherein the path formed by the outer heating element is a curved path that adjusts the flow direction of the uniform vapor/carrier gas mixture throughout out of the outlet 10. 5. The diffuser assembly as described in claim 95, wherein the first chamber comprises a plurality of diffuser holes 10. 6. The diffuser assembly as described in claim 95, wherein the second chamber comprises a plurality of diffuser holes 10. 7. A support film deposition system comprising a material source connected to a diffuser assembly such that the solid material and carrier gas delivered by the material source are delivered into the diffuser assembly, wherein the diffuser assembly comprises a first chamber into which the solid material and carrier gas delivered to the diffuser assembly are delivered into the first chamber; a heater positioned within the first chamber and providing a temperature sufficient to vaporize at least a portion of the solid material; a second chamber adjacent to the first chamber and providing a material flow curve sufficient to mix the vapor and carrier gas to form a uniform vapor/carrier gas mixture; an outlet adjacent to the second chamber and positioned such that the uniform vapor/carrier gas mixture is delivered to the adjacent substrate surface; and an external heater positioned adjacent to the outlet; and the conveyor used to deliver the support is sufficiently close to the diffuser assembly such that the vapor may be coated on the support as a film 10 8. The system as described in claim 107, wherein the first chamber comprises a heater and it is heated by means of electric resistance heating 10 9. The system as described in claim 107, wherein the heater is capable of maintaining the temperature of the first chamber at least 500°C 11 0. The system as described in claim 107, wherein the heater is capable of maintaining the temperature of the first chamber at least 700°C 11 1. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 107 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนด้านนอกจะถูกทำให้ร้อน โดยวิธีการทำความร้อนที่อาศัยความต้านทานไฟฟ้า 111. The system as described in claim 107, wherein the external heating element is heated by means of an electrical resistance heating method 11. 2. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 107 ทีซึ่งตัวให้ความร้อนด้านนอกจะสามารถรักษา อุณหภูมิไว้ได้ที่อย่างน้อยที่สุด 500 องศา C 112. The system as described in claim 107, wherein the external heating element is capable of maintaining a temperature of at least 500°C.11 3. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 107 ที่ซึ่งประกอบด้วยตัวทำให้ความร้อนด้านอก สองตัววางตัวอยู่ชิดกับช่องทางออก 113. The system as described in claim 107, comprising two external heating elements positioned adjacent to the outlet 11. 4. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 113 ที่ซึ่งตัวให้ความร้อนด้านนอกจะเป็นตัวสร้าง เส้นทางที่เป็นตัวส่งสารผสมของไอ/ ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะเหมือนกันโดยตลอดไปยังผิวของตัว รองรับ 114. The system as described in claim 113, wherein the external heating element provides a path for the uniform vapor/carrier gas mixture to be delivered to the surface of the carrier 11. 5. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 114 ที่ซึ่งเส้นทางที่เกิดจากตัวให้ความร้อนด้าน นอกจะเป็นเส้นทางตรงที่เป็นตัวรักษาทิศทางการไหลของสารผสมของไอ/ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะ เหมือนกันโดยตลอดที่ออกจากช่องทางออก 115. The system as described in claim 114, wherein the path formed by the external heating element is a straight path that maintains the flow direction of the vapor/carrier gas mixture having the same characteristics throughout out of the outlet 11. 6. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 114 ที่ซึ่งเส้นทางที่เกิดจากตัวให้ความร้อนด้าน นอกจะเป็นเส้นทางโค้งที่ปรับทิศทางของการไหลของสารผสมของไอ/ ก๊าซตัวพาที่มีคุณลักษณะ เหมือนกันโดยตลอดที่ออกจากช่องทางออก 116. The system as described in claim 114, wherein the path formed by the external heating element is a curved path that adjusts the direction of flow of the vapor/carrier gas mixture having the same characteristics throughout out of the outlet 11. 7. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 107 ที่ซึ่งห้องที่หนึ่งจะประกอบด้วยรูส่งกระจาย จำนวนหนึ่ง 117. The system as described in claim 107, wherein the first chamber comprises 11 distribution holes. 8. ระบบตามที่ระบุไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 107 ที่ซึ่งห้องที่สองจะประกอบด้วยรูส่งกระจาย จำนวนหนึ่ง8. The system as described in claim 107, wherein the second chamber comprises a plurality of distribution holes.
TH601001917A 2006-04-26 Methods and systems for laminating materials onto supports TH45861B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH84446A TH84446A (en) 2007-05-09
TH45861B true TH45861B (en) 2015-09-11

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8388754B2 (en) System and method for depositing a material on a substrate
US8382901B2 (en) System and method for depositing a material on a substrate
US8353987B2 (en) System and method for depositing a material on a substrate
US20110132263A1 (en) System and Method for Depositing a Material on a Substrate
US20150236191A1 (en) Distributor heater
TWI683019B (en) Device and method for creating a vapor from a plurality of liquid and solid source materials for a cvd-or pvd-device
JP2003514992A (en) Apparatus and method for transporting precursor vapor from low vapor pressure liquid source to CVD chamber
US20250361597A1 (en) Systems and methods for vaporization and vapor distribution
US20240247363A1 (en) Systems and methods for vaporization and vapor distribution
CN107075660B (en) Tempered duct with diluent gas stream fed at multiple locations
JP2011068916A (en) Film deposition method and film deposition apparatus
TH45861B (en) Methods and systems for laminating materials onto supports
US20060289675A1 (en) Chemical vapor deposition devices and methods
KR102235339B1 (en) A Linear Type Evaporator for Large Area Substrates
TH84446A (en) Methods and systems for laminating materials onto supports
CN102839352A (en) Film deposition device and method
MX2007013335A (en) System and method for depositing a material on a substrate.
KR101388225B1 (en) Depositing apparatus of the vaporizer
CN107109625B (en) Apparatus for depositing a layer on a substrate