TH38420A3 - แผ่นนวมขัดเงาสำหรับวัสดุฐานรองกึ่งตัวนำ - Google Patents
แผ่นนวมขัดเงาสำหรับวัสดุฐานรองกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH38420A3 TH38420A3 TH9901002541A TH9901002541A TH38420A3 TH 38420 A3 TH38420 A3 TH 38420A3 TH 9901002541 A TH9901002541 A TH 9901002541A TH 9901002541 A TH9901002541 A TH 9901002541A TH 38420 A3 TH38420 A3 TH 38420A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- approximately
- polishing
- microns
- wadding
- polished
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 11
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims abstract 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 abstract 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 abstract 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (02/09/42) แผ่นนวมขัดเงาสำหรับการขัดเงาของแว่นผลึกกึ่งตัวนำ ซึ่งรวมถึงซับสเตรทพรุนประเภท เซลเปิด ที่มีอนุภาคหลอมติดของเรซินสังเคราะห์ ซับสเตรทพรุนเป็นโครงข่ายของทางผ่านแคปปิลลารีที่ สม่ำเสมอ ต่อเนื่อง และคดเคี้ยว รูพรุนของซับสเตรทพรุนนั้นมีเส้นผ่าศูนย์กลางของรูพรุนชนิดเฉลี่ยตั้งแต่ ประมาณ 5 ถึงประมาณ 100 ไมครอนซึ่งสมรรถนะการขัดเงาของแผ่นนวม แผ่นนวมขัดเงาสำหรับการขัดเงาของแว่นผลึกกึ่งตัวนำ ซึ่งรวมถึงซับสเตรทพรุนประเภท เซลเปิด ที่มีอนุภาคหลอมติดของเรซินสังเคราะห์ ซับสเตรทพรุนเป็นโครงข่ายของทางผ่านแคปปิลลารีที่ สม่ำเสมอ ต่อเนื่อง และคดเคี้ยว รูพรุนของซับสเตรทพรุนนั้นมีเส้นผ่าศูนย์กลางของรูพรุนชนิดเฉลี่ยตั้งแต่ ประมาณ 5 ถึงประมาณ 100 ไมครอนซึ่งสมรรถนะการขัดเงาของแผ่นนวม
Claims (3)
1. ซับสเตรทของแผ่นวมขัดเงาที่ประกอบด้วยอนุภาคหลอทติดของเรซินที่อ่น ตัวด้วยความร้อน ซึ่งซับสเตรทของแผ่นนวมขัดเงาดังกล่าวมีขนาดรูพรุนโดยเฉลี่ยตั้งแต่ประมาณ 5 ไมครอนถึงประมาณ 100 ไมครอน
2. ซับสเตรทของแผ่นนวมขัดเงาของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่มี WIWNU ของ ทังสเตนต่ำกว่าประมาณ 10 เปอร์เซ็นต์ และมีอัตราการขัดเงาของทังสเตนสูงกว่าประมาณ 2000 อังสตรอม
3. ซับสเตรทของแผ่นนวมขัดเงาของข้อถือสิทธิที่ 1 ซึ่งมี WIWNU ของ ทังสเตนต่ำกว่าประมาณ 5 เปอร์เซ็นต์ และมีอัตราขัดเงาของทังเสตนสูงกวแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH38420A3 true TH38420A3 (th) | 2000-05-29 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69903820D1 (de) | Polierkissen zum chemisch-mechanischen polieren | |
| ES2224717T3 (es) | Metodo de modificacion de una superficie de una pastilla estructurada. | |
| US4057939A (en) | Silicon wafer polishing | |
| JP2013214784A (ja) | 半導体ウェハの研磨方法 | |
| US5645736A (en) | Method for polishing a wafer | |
| TW268147B (en) | Heat dissipation seat and its production process | |
| TW376350B (en) | Process for polishing a semiconductor device substrate | |
| TW474856B (en) | Vitrified bond tool and method of manufacturing the same | |
| TW512487B (en) | Preparation of strained Si/SiGe on insulator by hydrogen induced layer transfer technique | |
| TWI260342B (en) | Working liquids and methods for modifying structured wafers suited for semiconductor fabrication | |
| EP2266757B1 (en) | Polishing pads useful in chemical mechanical polishing of substrates in the presence of a slurry containing abrasive particles | |
| AU7138198A (en) | Polishing pad for a semiconductor substrate | |
| AU4982699A (en) | Polishing pad for a semiconductor substrate | |
| CA2387293A1 (en) | Improved engineered abrasives | |
| MY128556A (en) | Use of a wafer edge polishing composition | |
| WO2003011999A3 (en) | Abrasive particles, abrasive articles, and methods of making and using the same | |
| GB2326166A (en) | Dressing tool for the surface of an abrasive cloth and its preparation | |
| MY133452A (en) | Polishing method for wafer and holding plate | |
| US6471566B1 (en) | Sacrificial retaining ring CMP system and methods for implementing the same | |
| TW568813B (en) | Polishing agent, method of producing this agent, and method of polishing | |
| TH38420A3 (th) | แผ่นนวมขัดเงาสำหรับวัสดุฐานรองกึ่งตัวนำ | |
| TW200428465A (en) | Polishing pad and method of manufacturing semiconductor devices | |
| HK1052945A1 (zh) | 有研磨作用的無機氧化物夥粒漿料，以及擦亮含銅表面的方法 | |
| TW200505634A (en) | Polishing pad apparatus and methods | |
| EP0391708A3 (en) | Backside metallization scheme for semiconductor devices |