Claims (12)
1. กระบวนการสำหรับการลดการเกิดโค้กบนผนังของโลหะของรีแอคเตอร์สำหรับการแตกตัว ของไฮโดรคาร์บอน หรือสารประกอบอินทรีย์ อื่น และบนผนังของโลหะของเครื่องแลกเปลี่ยนความ ร้อนที่วาง อยู่ถัดจากรีแอคเตอร์การแตกตัว ซึ่งมีลักษณะเฉพาะที่ว่าพื้นผิวของโลหะซึ่งมา สัมผัสกับ สารประกอบอินทรีย์ที่ถูกทำให้แตกตัวจะถูกดำเนินการด้วยการกระทำขั้น ต้นของรีแอคเตอร์การ แตกตัวด้วยกระแสของไอน้ำที่ประกอบรวมด้วยเฮกซาเมทิลไดไซลอกเซนและไดเมทิล ไดซัลไฟด์ที่ อุณหภูมระหว่าง 750 และ 1050 ํซ.เป็นเวลา 1 ถึง 6 ชั่วโมง และพื้นผิวโลหะซึ่งจะมาสัมผัากับสาร ประกอบอินทรีย์ที่จะถูกทำให้แตกตัวจะถูกดำเนินการด้วยการกระทำขั้นต้นของการเครื่องแลกเปลี่ยน ความร้อนที่วางอยู่ถัดจากรีแอคเตอร์การแตกตัวด้วยกระแสของไอน้ำที่ประกอบรวมด้วยเฮกซาเมทิล ไดไซลอกเซน และไดเมทิล ไดซัลไฟด์ที่อุณหภูมระหว่าง 400 และ 700 ํซ เป็นเวลา 1 ถึง 6 ชั่วโมง, ที่ซึ่งความเข้มข้นโดยมวลของไดเมทิล ไดซัลไฟด์ และเฮกซาเมทิลได ไซลอกเซนในกระแสของไอน้ำ อยู่ระหว่าง 50 และ 500 ส่วนในล้านส่วน และอัตราส่วนอะตอม Si:S อยู่ระหว่าง 2:1 และ 1:21. The process for reducing coking on the metal walls of hydrocarbon or other organic compound cracking reactors and on the metal walls of the heat exchanger placed adjacent to the cracking reactor is characterized by the initial action of the cracking reactor with a steam stream containing hexamethyl disiloxane and dimethyl disulfide at temperatures between 750 and 1050 °C for 1 to 6 hours, and the initial action of the heat exchanger placed adjacent to the cracking reactor with a steam stream containing hexamethyl disiloxane and dimethyl disulfide at temperatures between 400 and 700 °C for 1 to 6 hours, where the mass concentrations of dimethyl disulfide and hexamethyl disulfide are concentrated. The siloxane concentration in steam flows is between 50 and 500 parts per million, and the Si:S atomic ratio is between 2:1 and 1:2.
2. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ซึ่งไอน้ำที่ใช้เป็นตัวพาของไหลที่ประกอบรวมเพิ่ม เติมด้วยไนโตรเจน, ไฮโดรเจน, มีเทน หรืออีเทน2. The process under claim 1 in which steam is used as a carrier fluid containing added nitrogen, hydrogen, methane, or ethane.
3.กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ซึ่งความเข้มข้นโดยมวลของไดเมทิล ไดซัลไฟด์ และเฮกซาเมทิลไดไซลอกเซนในกระแสของไอน้ำอยู่ระหว่าง 100 และ 3000 ส่วนในล้าน ส่วน3. The process under claim 1 or 2, where the mass concentration of dimethyl disulfide and hexamethyl disiloxane in the steam stream is between 100 and 3000 parts per million.
4. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ซึ่งความดันสัมบูรณ์จะแปรผันอยู่ระหว่าง 1 บาร์ (1x10 5 ปาสคาล) และ 20 บาร์ (20 x 10 5 ปาสคาล)4. Processes under claim 1 or 2 where the absolute pressure varies between 1 bar (1 x 10⁵ Pascals) and 20 bar (20 x 10⁵ Pascals).
5. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 4 ซึ่งความดันสัมบูรณ์จะแปรผันอยู่ระหว่าง1 บาร์ (1x10 5 ปาสคาล) และ 5 บาร์ ( 5 x 10 5 ปาสคาล)5. The process under claim 4, where the absolute pressure varies between 1 bar (1 x 10⁵ Pascals) and 5 bar (5 x 10⁵ Pascals).
6.กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือ 2 ซึ่งหลังจากการกระทำขั้นต้น, ไดเมทิล ไดซัลไฟด์ และ/หรือเฮกซาเมทิลไดไซลอกเซนจะถูกเติมลงในสิ่งป้อนของสารประกอบอินทรีย์ที่ จะถูกแตกตัว6. The process stipulated in claim 1 or 2, following the initial action, involves the addition of dimethyl disulfide and/or hexamethyl disiloxane to the feed of the organic compound to be decomposed.
7. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ซึ่งอัตราส่วนอะตอม Si:S จะไม่เกิน 2:1 ในระหว่าง การแตกตัว7. The process under claim 6 in which the Si:S atomic ratio does not exceed 2:1 during fission.
8. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 7 ซึ่งอัตราส่วนอะตอม Si:S จะน้อยกว่าหรือเท่ากับ1:2 ในระหว่างการแตกตัว8. The process according to claim 7, in which the Si:S atomic ratio is less than or equal to 1:2 during fission.
9. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ซึ่งในที่นั้นจะถูกเติมลงในสิ่งป้อนด้วยสารประกอบ อินทรีย์ที่จะถูกแตกตัว ซึ่งประกอบรวมด้วยไดเมทิล ไดซัลไฟด์, เฮกซาเมทิลได ไซลอกเซนในปริมาณ ที่ว่าอัตราส่วนอะตอม Si:S จะไม่เกิน 2:1,และความเข้มข้นของซิลิกอนจะไม่เกิน 500 ส่วนในล้าน ส่วน9. The process pursuant to claim paragraph 6 shall involve the addition of an organic compound to be decomposed to the feedstock, comprising dimethyl disulfide and hexamethyl disiloxane, in quantities such that the Si:S atomic ratio shall not exceed 2:1, and the silicon concentration shall not exceed 500 parts per million.
10.กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 9 ซึ่งในที่นั้นจะถูกเติมลงในสิ่งป้อนด้วยสารประกอบ อินทรีย์ที่จะถูกแตกตัว ซึ่งประกอบรวมด้วยไดเมทิล ไดซัลไฟด์, เฮกซาเมทิลไดไซลอกเซนในปริมาณ ที่ว่าอัตราส่วนอะตอม Si:S จะน้อยกว่า หรือเท่ากับ 1:2, และความเข้มข้นของซิลิกอนจะไม่เกิน 500 ส่วนในล้านส่วน10. The process pursuant to claim clause 9 shall involve the addition of an organic compound to be decomposed to the feedstock, comprising dimethyl disulfide and hexamethyl disiloxane in quantities such that the Si:S atomic ratio shall be less than or equal to 1:2, and the silicon concentration shall not exceed 500 parts per million.
11.กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 6 ซึ่งปริมาณของไดเมทิล ไดซัลไฟด์จะทำความ เข้มข้นโดยมวลของซัลเฟอร์ในสารประกอบอินทรีย์ที่จะถูกแตกตัวให้อยู่ระหว่าง 10 และ 1000 ส่วน ในล้านส่วน11. The process under claim 6, in which the amount of dimethyl disulfide is concentrated by mass of sulfur in the organic compound to be decompose to between 10 and 1000 parts per million.
12.กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อที่ 11 ซึ่งความเข้มข้นโดยมวลของซัลเฟอร์อยู่ระหว่าง 20 และ 300 ส่วนในล้านส่วน12. The process pursuant to claim 11, where the mass concentration of sulfur is between 20 and 300 parts per million.