Claims (29)
1. กรรมวิธีสำหรับการผลิตพาราไซลีนที่มีความบริสุทธิ์สูงมากจากสิ่งบรรจุที่มีของผสม ของแอโรแมทิคไฮโดรคาร์บอน ที่มีคาร์บอน 7 ถึง อะตอม ซึ่งประกอบรวมด้วยการทำให้สิ่งบรรจุ อย่างน้อยส่วนหนึ่งไหลเวียนในบริเวณการทำให้เพิ่มขึ้น เพื่อทำให้ส่วนหนึ่งที่มีพาราไซลีนเพิ่มขึ้น และทำส่วนหนึ่งที่กล่าวแล้วอย่างน้อยส่วนหนึ่งให้บริสุทธิ์ในบริเวณการทำให้บริสุทธิ์โดยการ ตกผลึกอย่างน้อย 1 ครั้งในบริเวณการตกผลึกอย่างน้อย 1 บริเวณ ซื่งบริเวณการตกผลึกที่กล่าวแล้ว ประกอบรวมด้วยขั้นตอนการตกผลึกอย่างน้อย 2 ขั้นตอน ที่อุณหภูมิระหว่าง +50 และ-22 ํ ฟ และ นำผลึกพาราไซลีนกลับคืนมาจากขั้นตอนการตกผลึกแต่ละขั้นตอน1. A process for producing very high purity paraxylene from a fill containing a mixture of aromatic hydrocarbons with 7 to 10 carbon atoms, which involves circulating at least a portion of the fill in an increasing zone to increase the paraxylene content, and purifying at least a portion of this fill in a purification zone by crystallization at least once in at least one crystallization zone. This crystallization zone consists of at least two crystallization steps at temperatures between +50 and -22°F, and the paraxylene crystals are recovered from each crystallization step.
2. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งบริเวณการทำให้เพิ่มขึ้นนี้เป็นบริเวณการตกผลึก อย่างน้อย 1 บริเวณที่อุณหภูมิต่ำกว่าอุณหภูมิของขั้นตอนการตกผลึกที่กล่าวมาแล้ว ซึ่งกรรมวิธีที่กล่าว แล้วประกอบรวมด้วย การบรรจุสิ่งบรรจุที่ผลิตของเหลวและผลึกลงในบริเวณการทำให้เพิ่มขึ้นที่ กล่าวแล้ว การทำให้ของเหลวที่กล่าวแล้วเปลี่ยนเป็นไอโซเมอร์ในบริเวณการเปลี่ยนเป็นไอไซเมอร์ และการทำให้ผลึกที่กล่าวแล้วหลอมเหลวเป็นอย่างน้อยส่วนหนึ่งที่กล่าวแล้ว2. The process under claim 1, in which the increasing region is a crystallization region at least one temperature below the temperature of the aforementioned crystallization step, and the process includes the packing of a liquid and crystal-producing container into the increasing region, the isomerization of the liquid in the isomerization region, and the moltenization of at least part of the crystals.
3. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งบริเวณการทำให้เพิ่มขึ้นนี้เป็นบริเวณการดูดซับแบบ ที่เลือกได้ที่มีตัวดูดซับชนิดซีโอไลท์ซึ่งกรรมวิธีที่กล่าวแล้วประกอบรวมด้วยการบรรจุสิ่งบรรจุ การปฎิบัติการดูดซับแบบที่เลือกให้แก่สิ่งบรรจุนี้โดยมีตัวทำละลายกำจัดการดูดซับอยู่ด้วย,การ นำส่วนหนึ่งที่ทำให้พาราไซลีนเพิ่มขึ้นและส่วนที่สองที่มีพาราไซลีนลดน้อยลงมากกลับคืนมา, การเปลี่ยนส่วนที่สองที่กล่าวมาแล้วให้เป็นไอโซเมอร์ในบริเวณการเปลี่ยนเป็นไอโซเมอร์ที่มีตัวเร่ง ปฎิกิริยาการเปาลี่ยนแปลงเป็นไอโซเมอร์อยู่ด้วยภายใต้สภาวะต่างๆที่เหมาะสมเพื่อผลิตไอโซเมอเรทที่มี พาราไซลีนอยู่ด้วยและการนำไอโซเมอเรทนี้อย่างน้อยบางส่วนวนกลับเข้าไปให้แก่บริเวณการดูดซับ3. The procedure under claim 1, in which the enrichment site is a selective adsorption site of zeolite adsorbent, involves packing; selective adsorption of the packing with an adsorption solvent present; recovery of the paraxylene-enriched portion and the paraxylene-depleted portion; conversion of the paraxylene-depleted portion into isomers in a catalytic isomerization region under suitable conditions to produce paraxylene-containing isomers; and recirculation of at least a portion of these isomers to the adsorption site.
4. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซื่งบริเวณการทำให้เพื่มขึ้นนี้เป็นบริเวณหนึ่งของการ ดีสพรอบฟอร์ชันเนทของสิ่งบรรจุที่สำคัญประกอบด้วยทอลูอีนซื่งกรรมวิธีที่กล่าวแล้วประกอบรวม ด้วยการผลิตให้กระแสปล่อยออกที่มีเบนซีนและไซลีนต่างๆ อยู่ด้วยในบริเวณของการดัสพรอบฟอร์ เนท และการกลั่นกระแสปล่อยออกที่กล่าวแล้วเพื่อเอาเบนซีนและทอลูอีนที่ไม่ทำปฎิกิริยาออกไป เพื่อผลิตส่วนที่หนึ่งที่มีพาแรกซ์4. The procedure under claim 1, in which the enrichment region is a part of the disprovisioning of the main filler containing toluene, involves the production of an discharge stream containing various benzene and xylene in the disprovisioning region and the distillation of the discharge stream to remove the non-reactive benzene and toluene in order to produce a first-phase containing parax.
5. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยการทำให้การตกผลึกที่หนึ่งปฎิบัติ การในบริเวณการทำให้บริสุทธิ์ที่อุณหภูมิ T1 และบริเวณการตกผลึกที่สองที่ปฎิบัติการที่อุณหภูมิ T2 ที่สูงกว่า T15. The procedure under claim 1, which involves operating the first crystallization region in the purification region at temperature T1 and the second crystallization region at a temperature T2 higher than T1.
6. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ซึ่งนำส่วนของเหลวต้นกำเนิดอย่างน้อยส่วนหนึ่งที่ได้จาก ขั้นตอนการตกผลึกที่เย็นที่สุดของบริเวณการทำให้บริสุทธิ์นี้ วนกลับเข้าไปให้แก่บริเวณการทำให้ เพิ่มขึ้น6. The procedure under claim 5 involves recirculating at least a portion of the source liquid obtained from the coldest crystallization phase of this purification region back into the enhancement region.
7. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยการปฎิบัติการตกผลึกครั้งที่หนึ่งของ ส่วนที่ทำให้พาราไซลีนเพิ่มขึ้นแล้วในบริเวณการตกผลึกครั้งที่หนึ่งที่อุณหภูมิ T1 การนำสาร แขวนลอยของผลึกพาราไซลีนครั้งที่หนึ่งในส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่หนึ่งกลับคืนมา,การแยกผลึก ของครั้งที่หนึ่งออกจากส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่หนึ่งในบริเวณการแยกที่หนึ่ง,การนำส่วนของเหลว ต้นกำเนิดที่หนึ่งกลับคืนมา, การส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่แยกแล้วนกลับมาเข้าไปให้แก่บริเวณ การทำให้เพิ่มขึ้น,การหลอมเหลวผลึกของครั้งที่หนึ่งที่แยกออกมานี้ให้สมบูรณ์ และการตกผลึก ในบริเวณการตกผลึกที่สองที่อุณหภูมิ T2 ที่สูงกว่า T1 การนำสารแขวนลอยของผลึกพาราไซลีนครั้ง ที่สองในส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่สองกลับคืนมา,การแยกผลึกครั้งที่สองออกจากส่วนของเหลว ต้นกำเนิดที่สองในบริเวณการแยกที่สอง,การล้างผลึกครั้งที่สองด้วยตัวทำละลายสำหรับการล้างชนิด ในบริเวณการแยกที่สอง,การนำส่วนของเหลวสำหรับการล้างกลับคืนมา,การนำส่วนของเหลว ต้นกำเนิดที่สองอย่างน้อยส่วนหนึ่ง และส่วนของเหลวสำหรับการล้างอย่างน้อยส่วนหนึ่งวนกลับเข้า ไปให้แก่บริเวณการตกผลึกที่หนึ่งและบางส่วนให้แก่บริเวณการตกผลึกที่สอง และการทำให้ผลึก พาราไซลีนครั้งที่สองนี้หลอมเหลวให้สมบูรณ์ เพื่อทำให้ได้กระแสของเหลวของพาราไซลีน หลอมเหลว7. The procedure under claim 1, which includes the first crystallization operation of the paraxylene-enriched portion in the first crystallization region at temperature T1; recovery of the first paraxylene crystal suspension in the first source liquid; separation of the first crystals from the first source liquid in the first separation region; recovery of the first source liquid; re-introduction of the separated source liquid to the enrichment region; complete melting of the separated first crystals; and crystallization in the second crystallization region at a temperature T2 higher than T1. This involves the recovery of the second paraxylene crystal suspension in the second source liquid; separation of the second crystals from the second source liquid in the second separation region; second washing with a washing solvent in the second separation region; recovery of the washing liquid; re-introduction of at least part of the second source liquid and at least part of the washing liquid to the first and some parts to the second crystallization region; and complete melting of the second paraxylene crystals to obtain a molten paraxylene stream.
8. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่งประกอบรวมด้วยการนำของเหลวสำหรับการล้าง วนกลับเข้าไปให้แก่บริเวณการตกผลึกที่สอง8. The procedure under claim 7, which includes recirculating the washing liquid back into the secondary crystallization area.
9. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ซึ่งปริมาณของพาราไซลีนที่ได้มาจากบริเวณการทำให้ เพิ่มขึ้น คือ อย่างน้อย 50% โดยน้ำหนัก9. The process pursuant to claim clause 7, in which the amount of paraxylene obtained from the enrichment area is at least 50% by weight.
10. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยการปฎิบัติการตกผลึกที่หนึ่งของส่วน ที่มีพาราไซลีนเพิ่มขึ้นแล้ว ในบริเวณการตกผลึกที่หนึ่งที่อุณหภูมิ T1 การนำสารแขวนลอยของผลึก พาราไซลีนครั้งที่หนึ่งในส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่หนึ่งกลับคืนมา,การแยกผลึกครั้งที่หนึ่งออกจาก ส่วนของเหลวที่หนึ่งในบริเวณการแยกที่หนึ่ง, การล้างผลึกครั้งที่หนึ่งแบบที่เลือกได้ด้วยตัวทำละลาย สำหรับการล้างในบริเวณการแยกที่หนึ่ง,การตกผลึกส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่หนึ่งอย่างน้อยส่วน หนึ่งในบริเวณการตกผลึกที่สองที่อุณหภูมิ T2 ที่ต่ำกว่าอุณหภูมิ T1 การนำสารแขวนลอยของผลึก พาราไซลีนที่สองในส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่สองกลับคืนมา,การแยกผลึกของครั้งที่สองออกจาก ส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่สองในบริเวณการแยกที่สอง,การล้างผลึกของคร้งที่สองด้วยการทำละลาย สำหรับการล้างในบริเวณการแยกที่สอง,การนำส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่สองกลับคืนมา,การผสม ผลึกพาราไซลีนครั้งที่หนึ่งและครั้งที่สองเข้าด้วยกัน,การหลอมเหลวผลึกที่กล่าวแล้วให้สมบูรณ์และ การนำกระแสของพาราไซลีนหลอมเหลวกลับคืนมา10. The procedure under claim 1, which includes the first crystallization operation of the paraxylene-enriched fraction in the first crystallization region at temperature T1; recovery of the first paraxylene crystal suspension in the first source liquid; separation of the first crystal from the first source liquid in the first separation region; selective solvent washing of the first crystal in the first separation region; crystallization of at least part of the first source liquid in the second crystallization region at a temperature T2 lower than T1; recovery of the second paraxylene crystal suspension in the second source liquid; separation of the second crystal from the second source liquid in the second separation region; solvent washing of the second crystal in the second separation region; recovery of the second source liquid; mixing of the first and second paraxylene crystals; complete melting of the aforementioned crystals; and recovery of the molten paraxylene stream.
11. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ10 ซึ่งประกอบรวมด้วยการล้างผลึกครั้งที่หนึ่งด้วย ตัวทำละลายสำหรับการล้างในบริเวณการแยกที่หนึ่ง11. The procedure under claim 10, which includes the first crystal washing with the washing solvent in the first separation region.
12. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 10 ซึ่งปริมาณของพาราไซลีนที่ได้มาจากบริเวณการทำให้ เพิ่มขึ้น คือ อย่างน้อย 50% โดยน้ำหนัก12. The process pursuant to claim clause 10, in which the amount of paraxylene obtained from the enrichment area is at least 50% by weight.
13. กรรมวิธีสำหรับการผลิตพาราไซลีนที่มีความบริสุทธิ์สูงมากจากสิ่งบรรจุที่มีของผสม ของแอโรเมทิคโฮโดรคาร์บอนที่มีคาร์บอน 7 ถึง 9 อะตอม ซึ่งประกอบรวมด้วยปฎิบัติการตกผลึก ครั้งที่หนึ่งของส่วนที่ทำให้พาราไซลีนเพิ่มขึ้นแล้วที่มีปริมาณพาราไซลีนอย่างน้อย 50% โดยน้ำหนัก และผนึกที่นำวนกลับเข้าไปหลอมเหลวแล้วแบบที่เลือกได้ ซื่งมาจากหลังจากการตกผลึกครั้งที่สอง ในบริเวณการตกผลึกอุณหภูมิสูงที่หนึ่ง ที่อุณหภูมิ T1 และการนำสารแขวนลอยของผลึกพาราไซลีน ในส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่หนึ่งกลับคืนมา,การแยกผลึกต่างๆออกจากส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่ หนึ่งในบริเวณการแยกที่หนึ่ง,การล้างผลึกที่กล่าวมาแล้ว,การหลอมเหลวผลึกที่กล่าวแล้วและการนำ กระแสของพาราไซลีนหลอมเหลวกลับคืนมา,การตกผลึกส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่หนึ่งอย่างน้อย บางส่วนในบริเวณการตกผลึกอุณหภูมิสูงครั้งที่สองที่อุณหภูมิ T2 ที่ต่ำกว่าอุณหภูมิ T1 การนำสาร แขวนลอยของผลึกพาราไซลีนครั้งที่สองในส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่สองกลับคืนมา การแยกผลึก ครั้งที่สองออกจากส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่สอง ในบริเวณการแยกที่สอง,การนำส่วนของเหลว ต้นกำเนิดที่สองและผลึกครั้งที่สองกลับคืนมา,การหลอมเหลวผลึกครั้งที่สองที่เลือได้ส่วนหนึ่งและ การนำผลึกหลอมเหลวที่หลอมเหลวครั้งที่สองที่เลือกได้นี้วนกลับเข้าไปให้แก่บริเวณการตกผลึก ที่หนึ่ง และตกผลึกผลึกที่หลอมเหลวนี้ซ้ำด้วยส่วนที่มีพาราไซลีนเพิ่มขึ้นแล้วที่อุณหภูมิ T113. A procedure for the production of ultra-high purity paraxylene from a packed mixture of aromatic hydrocarbons with 7 to 9 carbon atoms, consisting of a first crystallization operation of a paraxylene-enriched fraction containing at least 50% by weight of paraxylene and a selectively recirculated molten crystal from the second crystallization in the first high-temperature crystallization region at temperature T1, and the recirculation of the paraxylene crystal suspension in the first source liquid; separation of the crystals from the first source liquid in the first separation region; washing of the aforementioned crystals; melting of the aforementioned crystals and the recirculation of the molten paraxylene; partial crystallization of the first source liquid in the second high-temperature crystallization region at a temperature T2 lower than T1; recirculation of the second paraxylene crystal suspension in the second source liquid; separation of the second crystals from the second source liquid in the second separation region; recirculation of the second source liquid and the second crystals; selective melting of the second crystals; and... The second selected molten crystal is then recirculated into the first crystallization region, and this molten crystal is recrystallized with an added paraxylene fraction at temperature T1.
14. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ซื่งประกอบรวมด้วยการหลอมเหลวผลึกครั้งที่สอง, การนำกลับคืนมาและการตกผลึกผลึกที่กล่าวแล้วซ้ำด้วยส่วนที่ทำให้พาราไซลีนเพิ่มขึ้นที่อุณหภูมิ T114. The process pursuant to claim 13, which includes the secondary crystallization, recovery and recrystallization of the aforementioned crystals with the paraxylene-increasing fraction at temperature T1.
15. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วยการปฎิบัติการผลึกครั้งที่หนึ่งของ ส่วนที่ทำให้พาราไซลีนเพิ่มขึ้นแล้ว และของผลึกที่นำวนกลับเข้าไปหลอมเหลวที่เลือกได้ซึ่งมาจาก หลังจาการตกผลึกครั้งที่สอง ในบริเวณการตกผลึกที่หนึ่งที่อุณหภูมิ T1 การนำสารแขวนลอยของ ผลึกพารไซลีนในส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่หนึ่งกลับคืนมา,การแยกผลึกต่างๆออกจากส่วนของ เหลวต้นกำเนิดที่หนึ่งในบริเวณการแยกที่หนึ่ง,การล้างผลึกที่กล่าวแล้วในคอลัมน์ปั่นเหวี่ยงหรือ กระแสทวน,การหลอมเหลวผลึกเหล่านี้ และการนำกระแสของพาราไซลีนหลอมเหลวกลับคืนมา, การตกผลึกส่วนของเหลวต้นกำเนิดอย่างน้อยส่วนหนึ่งในบริเวณการผลึกที่สองที่อุณหภูมิ T2 ที่ต่ำกว่าอุณหภูมิ T1 การนำสารแขวนลอยของผลึกพาราไซลีนครั้งที่สองในส่วนของเหลวต้นกำเนิด ที่สองกลับคืนมา,การแยกผลึกของครั้งที่สองออกจากส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่สองในบริเวณการ แยกที่สอง, การนำส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่สองกลับคืนมา,การหลอมเหลวผลึกของครั้งที่สอง บางส่วนและนำผลึกต่างๆในสเลอร์รีวนกลับเข้าไปให้แก่บริเวณการตกผลึกที่หนึ่ง และการตกผลึก สเลอร์รีที่กล่าวแล้วซ้ำด้วยส่วนที่ทำให้พาราไซลีนเพิ่มขึ้นแล้วที่อุณหภูมิ T115. The procedure under claim 1, which includes the first crystallization operation of the paraxylene-enriched portion and of a selectively recirculated molten crystal from the second crystallization in the first crystallization region at temperature T1; recovery of the paraxylene crystal suspension in the first source liquid; separation of the crystals from the first source liquid in the first separation region; washing of the aforementioned crystals in a centrifuge or countercurrent column; melting of these crystals and recovery of the molten paraxylene; crystallization of at least a portion of the source liquid in the second crystallization region at a temperature T2 lower than T1; recovery of the second paraxylene crystal suspension in the second source liquid; separation of the second crystals from the second source liquid in the second separation region; recovery of the second source liquid; partial melting of the second crystals and recirculation of the crystals in the slurry to the first crystallization region; and recrystallization of the aforementioned slurry with the paraxylene-enriched portion at temperature T1.
16. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ1ซึ่งประกอบรวมด้วยการปฎิบัติการตกผลึกครั้งที่หนึ่งของ ส่วนที่ทำให้พาราไซลีนเพิ่มขึ้นแล้ว ในบริเวณการตกผลึกที่หนึ่งที่อุณหภูมิT1,การนำสารแขวนลอย ของผลึกพาราไซลีนครั้งที่หนึ่งในส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่หนึ่งกลับคืนมา,การแยกผลึกของครั้งที่ หนึ่งในส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่หนึ่งในบริเวณการแยกที่หนึ่ง,การตกผลึกส่วนของเหลวต้นกำเนิด ที่หนึ่งอย่างน้อยส่วนหนึ่งในบริเวณการตกผลึกที่สองที่อุณหภูมิ T2 ที่ต่ำกว่า T1, การแยกผลึกของครั้ง ที่สองออกจากส่วนของเหลวต้นกำเนิดที่สองในบริเวณการแยกที่สอง,การนำส่วนของเหลวที่สองนี้ กลับคืนมา,การนำผลึกครั้งที่หนึ่งและผลึกครั้งที่สองกลับคืนมาและการล้างในบริเวณการแยกและ การล้างอย่างน้อย 1 แถบ ด้วยตัวทำละลายสำหรับการล้าง,การนำส่วนของเหลวสำหรับการล้าง ซึ่ง นำวนกลับไปเข้าไปอย่างน้อยบางส่วนให้แก่บริเวณการตกผลึกที่หนึ่งกลับคืนมา,การนำผลึก พาราไซลีนกลับคืนมา,และการหลอมเหลวผลึกที่กล่าวแล้วอย่างสมบูรณ์ในบริเวณการหลอมเหลว และรวบรวมกระแสของพาราไซลีนหลอมเหลว16. The procedure under claim 1, which includes the first crystallization of the paraxylene-enriched fraction in the first crystallization region at temperature T1, recovery of the first paraxylene crystal suspension in the first source liquid, separation of the first crystals in the first source liquid in the first separation region, at least partial crystallization of the first source liquid in the second crystallization region at a temperature T2 lower than T1, separation of the second crystals from the second source liquid in the second separation region, recovery of this second liquid, recovery of the first and second crystals, and washing in the separation region and washing at least one band with the washing solvent, recovery of the washing liquid, which is recirculated at least partially back into the first crystallization region, recovery of the paraxylene crystals, and complete melting of the aforementioned crystals in the melting region and collection of the molten paraxylene stream.
17. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 16 ซึ่งล้างผลึกครั้งที่หนึ่งและครั้งที่สองในบริเวณการแยก และการล้างกระแสทวน เพื่อนำกลับคืนมาต่อไป17. The procedure under claim 16, which involves first and second crystal washing in the separation area and countercurrent washing for subsequent recovery.
18. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งปริมาณของพาราไซลีนที่ได้มาจากบริเวณการทำให้ เพิ่มขึ้น คือ อย่างน้อย 50% โดยน้ำหนัก และอุณหภูมิ T1 ของขั้นตอนหนึ่งของขั้นตอนการตกผลึก แตกต่างจากอุณหภูมิ T2 ของขั้นตอนการตกผลึกอีกขั้นตอนหนึ่ง18. The process under claim 1 in which the amount of paraxylene obtained from the enrichment area is at least 50% by weight, and the temperature T1 of one crystallization step differs from the temperature T2 of another crystallization step.
19. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ18 ซึ่งอุณหภูมิของการตกผลึกอยู่ระหว่าง-10 ํซ.และ -25 ํซ.19. The process pursuant to claim 18, where the crystallization temperature is between -10°C and -25°C.
20. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งบริเวณการตกผลึกที่กล่าวแล้วประกอบรวมด้วยขั้นตอน การตกผลึกครั้งที่หนึ่งและครั้งที่สอง ซึ่งการวิธีที่กล่าวแล้วประกอบรวมด้วยการนำผลึกครั้งที่หนึ่ง กลับคืนมาจากขั้นตอนการตกผลึกครั้งที่หนึ่งที่กล่าวมาแล้ว และการล้างผลึกที่กล่าวแล้วในบริเวณ การล้างกระแสทวนอย่างน้อยหนึ่งครั้ง20. The procedure under claim 1, in which the aforementioned crystallization area comprises the first and second crystallization steps, which include the recovery of the first crystal from the aforementioned first crystallization step and at least one washing of the crystal in the countercurrent washing area.
21. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 20 ซื่งประกอบรวมด้วยการล้างผลึกที่กล่าวแล้วด้วย ตัวทำละลายสำหรับการล้างซึ่งถูกหลอมเหลวพาราไซลีนจากบริเวณการตกผลึกที่กล่าวแล้ว21. The procedure under claim 20, which includes the washing of the aforementioned crystals with a washing solvent which is molten paraxylene from the aforementioned crystallization site.
22. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 20 ซึ่งประกอบรวมด้วยการล้างผลึกที่กล่าวแล้วด้วย ตัวทำละลายสำหรับการล้าง ซึ่งคือทอลูอีน22. The procedure under claim 20, which includes washing the aforementioned crystals with a washing solvent, namely toluene.
23. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 22 ซึ่งใช้ทอลูอีนเป็นตัวทำละลายกำจัดการดูดซับในกรรมวิธี การดูดซับแบบเลือกได้ในบริเวณการทำให้เพิ่มขึ้น23. The procedure under claim 22, using toluene as a solvent, eliminates adsorption in the selective adsorption process in the enhancement region.
24. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 20 ซึ่งประกอบรวมด้วยการล้างผลึกที่กล่าวแล้วด้วยตัวทำ ละลายสำหรับการล้าง ซึ่งคือเพนเทน24. The procedure under claim 20, which includes the washing of the aforementioned crystals with a washing solvent, namely pentane.
25. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งบริเวณการตกผลึกที่กล่าวแล้วประกอบรวมด้วยขั้นตอน การตกผลึกครั้งที่หนึ่งและครั้งที่สอง ซึ่งกรรมวิธีที่กล่าวแล้วประกอบรวมด้วยการนำผลึกครั้งที่สอง กลับคืนมาจากขั้นตอนการตกผลึกครั้งที่สองที่กล่าวมาแล้ว และการล้างผลึกที่กล่าวแล้วในบริเวณการ ล้างกระแสทวนอย่างน้อยหนึ่งครั้ง25. The procedure under claim 1, in which the aforementioned crystallization area comprises the first and second crystallization steps, which in turn comprise the recovery of the second crystal from the aforementioned second crystallization step and the washing of the crystal in the countercurrent washing area at least once.
26. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งบริเวณการตกผลึกที่กล่าวแล้วประกอบรวมด้วยขั้นตอน การตกผลึกครั้งที่หนึ่งและครั้งที่สอง ซึ่งกรรมวิธีที่กล่าวแล้วประกอบรวมด้วยการนำผลึกครั้งที่หนึ่ง และครั้งที่สองกลับคืนมาจากขั้นตอนการตกผลึกครั้งที่หนึ่งและครั้งที่สองที่กล่าวมาแล้ว และการล้าง ผลึกที่กล่าวแล้วในบริเวณการล้างกระแสทวนอย่างน้อยหนึ่งครั้ง26. The procedure under claim 1, in which the aforementioned crystallization area comprises the first and second crystallization steps, which include the recovery of the first and second crystals from the aforementioned first and second crystallization steps and the washing of the aforementioned crystals in the countercurrent washing area at least once.
27. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 26 ซึ่งรวมผลึกครั้งที่หนึ่งและครั้งที่สองเข้าด้วยกัน และนำส่ง ไปให้กับบริเวณการล้างกระแสทวนที่กล่าวแล้ว27. The procedure pursuant to claim 26, which combines the first and second crystals and delivers them to the aforementioned countercurrent cleansing area.
28. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่ง T2 คือ +10 ํซ. และ -30 ํ ซ.28. The procedure under claim 13, where T2 is +10°C and -30°C.
29. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่ง T1 และ T2 คือ +10 ํซ. -30 ํ ซ.29. The procedure under claim 13, where T1 and T2 are +10°C to -30°C.