TH1901006063A - Metallurgical microcrystalline glass powder, its preparation method and conductive paste. - Google Patents

Metallurgical microcrystalline glass powder, its preparation method and conductive paste.

Info

Publication number
TH1901006063A
TH1901006063A TH1901006063A TH1901006063A TH1901006063A TH 1901006063 A TH1901006063 A TH 1901006063A TH 1901006063 A TH1901006063 A TH 1901006063A TH 1901006063 A TH1901006063 A TH 1901006063A TH 1901006063 A TH1901006063 A TH 1901006063A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
parts
powder
oxide
glass powder
conductive paste
Prior art date
Application number
TH1901006063A
Other languages
Thai (th)
Inventor
เบา
โจว
ชาน
ซินชาน
นา
หวัง
Original Assignee
แอลทีดี
ซูโจวไอซิลเวอร์แมทีเรียลส์โก
Filing date
Publication date
Application filed by แอลทีดี, ซูโจวไอซิลเวอร์แมทีเรียลส์โก filed Critical แอลทีดี
Publication of TH1901006063A publication Critical patent/TH1901006063A/en

Links

Abstract

บทสรุปการประดิษฐ์ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณาReadFile:------06/12/2562------(OCR)คำขอนี้จัดให้มีผงแก้วผลึกขนาดไมโครที่เป็นโลหะ,วิธีการเตรียมของสิ่งนั้นและเพสท์ที่มีสภาพนำ,ซึ่งเพสท์ที่มีสภาพนำนั้นประกอบรวมด้วยส่วนประกอบต่อไปนี้ในส่วนโดยน้ำหนัก:75-92ส่วนของผงเงิน,5-12ส่วนของตัวทำละลายอินทรีย์,2-3ส่วนของตัวพาอินทรีย์,0.5-1ส่วนของสารช่วยกระจายตัว,และ0.8-5.3ส่วนของผงแก้วผลึกขนาดไมโครที่เป็นโลหะ;ผงแก้วผลึกขนาดไมโครที่เป็นโลหะนั้นมีขนาดอนุภาคD50เป็น0.3ถึง2ไมโครเมตร;ผงแก้วผลึกขนาดไมโครที่เป็นโลหะนั้นประกอบรวมด้วยส่วนประกอบต่อไปนี้:10-50ส่วนของเทลลูเรียมไดออกไซด์,15-70ส่วนของบิสมัทออกไซด์,2-10ส่วนของซิงค์ออกไซด์,1-15ส่วนของทังสเตนออกไซด์,5-20ส่วนของลิเทียมออกไซด์,0.4-2ส่วนของบอริคแอซิด,1-6ส่วนของโมลิบดินัมคลอไรด์,1-4ส่วนของซิลิคอนออกไซด์,และ1-2ส่วนของแบเรียมคาร์บอเนทเพสท์ที่มีสภาพนำของการประดิษฐ์นี้สามารถปรับปรุงอย่างมีประสิทธิผลต่อประสิทธิภาพการเปลี่ยนของเซลล์,ลดความต้านทานแบบอนุกรม,เพิ่มปัจจัยการเติม,และลดความต้านทานการสัมผัสโอห์มิค------------DEPCT63คำขอรับสิทธิบัตรฉบับนี้จัดให้มีผงแก้วโลหะชนิดไมโครคริสตัลไลน์,วิธีการเตรียมผงนั้นและเพสต์ที่นำไฟฟ้าที่ซึ่งเพสต์ที่นำไฟฟ้าประกอบรวมด้วยส่วนประกอบที่เป็นส่วนโดยน้ำหนักต่อไปนี้:ผงซิลเวอร์75-92ส่วน,ตัวทำละลายอินทรีย์5-12ส่วน,ตัวนำ(vehicle)อินทรีย์2-3ส่วน,สารกระจายตัว0.5-1ส่วน,และผงแก้วโลหะชนิดไมโครคริสตัลไลน์0.8-5.3ส่วน;ผงแก้วโลหะชนิดไมโครคริสตัลไลน์มีขนาดอนุภาคD50คือ0.3ถึง2ไมโครเมตร;ผงแก้วโลหะชนิดไมโครคริสตัลไลน์ประกอบรวมด้วยส่วนประกอบต่อไปนี้:เทลลูเรียมไดออกไซด์10-50ส่วน,บิสมัทออกไซด์15-70ส่วน,ซิงด์ออกไซด์2-10ส่วน,ทังสเตนออกไซด์1-15ส่วน,ลิเทียมออกไซด์5-20ส่วน,บอริกแอซิด0.4-2ส่วน,โมลิบดีนัมคลอไรด์1-6ส่วน,ซิลิคอนออกไซด์1-4ส่วน,และแบเรียมคาร์บอเนต1-2ส่วนเพสต์ที่นำไฟฟ้าของการประดิษฐ์นี้สามารถปรับปรุงประสิทธิภาพการแปลงของเซลล์,ลดความต้านทานแบบอนุกรม(seriesresistance),เพิ่มฟิลลิ่งแฟคเตอร์(fillingfactor),และลดความต้านทานการสัมผัสโอห์มมิก(ohmiccontactresistance)อย่างมีประสิทธิภาพ----------------------------------------------------------- Summary of the invention which will appear on the advertisement page ReadFile:------06/12/2019------(OCR)This request provides for metallic micro-crystalline glass powder,method of preparation. That and the conductive paste, in which the conductive paste consist of the following components by weight: 75-92 parts of silver powder, 5-12 parts of organic solvent, 2- 3 parts of organic carrier, 0.5-1 parts of dispersant, and 0.8-5.3 parts of metallic microcrystalline glass powder; metallic microcrystalline glass powder has a particle size of D50 of 0.3 to 2 µm; powder. The metallic microcrystalline glass consists of the following components: 10-50 parts tellurium dioxide, 15-70 parts bismuth oxide, 2-10 parts zinc oxide, 1-15 parts tungsten oxide, 5- 20 parts of lithium oxide, 0.4-2 parts of boric acid, 1-6 parts of molybdenum chloride, 1-4 parts of silicon oxide, and 1-2 parts of barium carbon. The conductive netpest of this invention can effectively improve the cell switching efficiency, reduce the series resistance, increase the fill factor, and reduce the ohmic contact resistance------. ------DEPCT63 This patent application provides for metal glass powder. Microcrystalline powder, the powder preparation method, and the conductive paste in which the conductive paste consist of the following fraction by weight components: 75-92 parts silver powder, 5-12 parts organic solvent. 2–3 parts organic vehicle, 0.5–1 parts dispersion, and 0.8–5.3 parts microcrystalline glass powder; microcrystalline glass powder has a particle size of D50 of 0.3 to 2 µm; Microcrystalline mica powder consists of the following components: tellurium dioxide 10-50 parts, bismuth oxide 15-70 parts, zinc oxide 2-10 parts, tungsten oxide 1-15 parts, lithium oxide 5- 20 parts boric acid, 0.4-2 parts, molybdenum chloride 1-6 parts, silicon oxide 1-4 parts, and barium carbonate 1-2 parts conductive paste of this invention can improve conversion efficiency. of the cell, reducing seriesresistance, increasing the filling factor, and effectively reducing the ohmic contact resistance----------- ------------------------------------------------

Claims (2)

ข้อถือสิทธิ์(ข้อที่หนึ่ง)ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา:------06/12/2562------(OCR)Claims (item one) which will appear on the advertisement page:------06/12/2019------(OCR) 1.ผงแก้วผลึกขนาดไมโครที่เป็นโลหะซึ่งประกอบรวมด้วยส่วนประกอบต่อไปนี้ในส่วนโดยน้ำหนัก:10-50ส่วนของเทลลูเรียมไดออกไซด์,15-70ส่วนของบิสมัทออกไซด์,2-10ส่วนของซิงด์ออกไซด์,1-15ส่วนของทังสเตนออกไซด์,5-20ส่วนของลิเทียมออกไซด์,0.4-2ส่วนของบอริคแอซิด,1-6ส่วนของโมลิบดินัมคลอไรด์,1-4ส่วนของซิลิคอนออกไซด์,และ1-2ส่วนของแบเรียมคาร์บอเนท1.Metal microcrystalline glass powder consisting of the following components by weight: 10-50 parts of tellurium dioxide, 15-70 parts of bismuth oxide, 2-10 parts of zinc oxide, 1 -15 parts of tungsten oxide, 5-20 parts of lithium oxide, 0.4-2 parts of boric acid, 1-6 parts of molybdenum chloride, 1-4 parts of silicon oxide, and 1-2 parts of barium carbonate 2.ผงแก้วผลึกขนาดไมโครที่เป็นโลหะตามข้อถือสิทธิข้อ12.Metal micro crystalline glass powder according to claim 1
TH1901006063A 2017-10-30 Metallurgical microcrystalline glass powder, its preparation method and conductive paste. TH1901006063A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH1901006063A true TH1901006063A (en) 2021-07-12

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010283340A5 (en)
EP2448003A3 (en) Conductive paste comprising a conductive powder and a metallic glass for forming a solar cell electrode
EP2450908A3 (en) Conductive paste, electrode and electronic device and solar cell including an electrode formed using the conductive paste
EP2472526A3 (en) Paste composition for electrode of solar cell and solar cell including the same
BR112012011551A2 (en) electroconductive paste composition
WO2008078374A1 (en) Conductive paste for solar cell
CN104123975B (en) It is used to form the thickener composite material of electrode of solar battery
EP2750200A3 (en) Back contact having selenium blocking layer for photovoltaic devices such as copper-indium-diselenide solar cells
IN2012DE00400A (en)
WO2013162786A3 (en) High-reflectivity back contact for photovoltaic devices such as copper-indium-diselenide solar cells
WO2010075247A3 (en) Compositions and processes for forming photovoltaic devices
WO2012138935A3 (en) Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
JP2012513676A5 (en)
CN103915567A (en) Perovskite solar cell with inorganic compound as hole transfer layer
WO2012018822A3 (en) Gallium-containing transition metal thin film for cigs nucleation
WO2010107687A3 (en) Composition and method of forming an insulating layer in a photovoltaic device
EP2731190A3 (en) Composition, energy storage device, and related processes
TWI552165B (en) Conductive composition
TH1901006063A (en) Metallurgical microcrystalline glass powder, its preparation method and conductive paste.
WO2013116320A3 (en) Method of making photovoltaic devices with reduced conduction band offset between pnictide absorber films and emitter films
US10622533B2 (en) Metal paste and thermoelectric module
WO2015191955A3 (en) Aluminum-tin paste and its use in manufacturing solderable electrical conductors
MY189426A (en) Paste composition used for forming solar cell electrode, solar cell electrode, and solar cell
US20090272432A1 (en) Solar cell
WO2015084801A3 (en) Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith