TH177120A - The graphite carbon materials used as graphene precursors and their processing - Google Patents

The graphite carbon materials used as graphene precursors and their processing

Info

Publication number
TH177120A
TH177120A TH1501005457A TH1501005457A TH177120A TH 177120 A TH177120 A TH 177120A TH 1501005457 A TH1501005457 A TH 1501005457A TH 1501005457 A TH1501005457 A TH 1501005457A TH 177120 A TH177120 A TH 177120A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
graphite
graphene
rate
equation
graphite layer
Prior art date
Application number
TH1501005457A
Other languages
Thai (th)
Inventor
ฮาเซกาวะ นายโซจิ
คามิยะ นายนากิสะ
Original Assignee
นางสาวยิ่งลักษณ์ ไกรฤกษ์
นางสาวปวริศา อุดมธนภัทร
นายอังคาร ตั้นพันธ์
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวยิ่งลักษณ์ ไกรฤกษ์, นางสาวปวริศา อุดมธนภัทร, นายอังคาร ตั้นพันธ์ filed Critical นางสาวยิ่งลักษณ์ ไกรฤกษ์
Publication of TH177120A publication Critical patent/TH177120A/en

Links

Abstract

คำขอใหม่ปรับปรุงวันที่ 4/03/2559 วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นแกรฟีนที่เมื่อนำไปใช้เป็นสารตั้งต้นจะ ลอกออกเป็นแกรฟีนได้ง่าย วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นแกรฟีนที่มีสัดส่วน Rate (3R) ซึ่งถูก นิยามตาม (สมการ 1) ดังต่อไปนี้ด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชัน Rate (3R) = P3 / (P3 + P4) x 100 .... (สมการ 1) ในที่นี้ P3 คือความเข้มพีคของระนาบ (101) ด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชันของชั้นแกรไฟต์ ประเภทผลึกขนมเปียกปูน (3R) P4 คือความเข้มพีคของระนาบ (101) ด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชันของชั้นแกรไฟต์ ประเภทผลึกหกเหลี่ยม (2H) New Request Update 04/03/2016 Graphite-based carbon materials used as graphene precursors, when used as a substrate, will Easy to peel off into graphene The graphite-based carbon material is a graphene-proportional substrate with Rate (3R) defined in accordance with (Equation 1) as follows by X-ray diffraction rate (3R) = P3 / (P3 + P4) x 100 .... (Equation 1) Here, P3 is the peak intensity of the plane (101) by X-ray diffraction technique of graphite layer. Rhombic crystal type (3R). P4 is the plane peak intensity (101) by X-ray diffusion technique of graphite layer. Hexagonal crystal type (2H)

Claims (1)

: คำขอใหม่ปรับปรุงวันที่ 4/03/2559 วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นแกรฟีนที่เมื่อนำไปใช้เป็นสารตั้งต้นจะ ลอกออกเป็นแกรฟีนได้ง่าย วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่ถูกใช้เป็นสารตั้งต้นแกรฟีนที่มีสัดส่วน Rate (3R) ซึ่งถูก นิยามตาม (สมการ 1) ดังต่อไปนี้ด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชัน Rate (3R) = P3 / (P3 + P4) x 100 .... (สมการ 1) ในที่นี้ P3 คือความเข้มพีคของระนาบ (101) ด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชันของชั้นแกรไฟต์ ประเภทผลึกขนมเปียกปูน (3R) P4 คือความเข้มพีคของระนาบ (101) ด้วยเทคนิคเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชันของชั้นแกรไฟต์ ประเภทผลึกหกเหลี่ยม (2H)ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : ------12/12/2561------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 3 หน้าข้อถือสิทธิ: New Request, Update 4/03/2016 Graphite-type carbon materials used as graphene precursors that, when used as a substrate, will Easy to peel off into graphene The graphite-based carbon material is a graphene-proportional substrate with Rate (3R) defined in accordance with (Equation 1) as follows by X-ray diffraction rate (3R) = P3 / (P3 + P4) x 100 .... (Equation 1) Here, P3 is the peak intensity of the plane (101) by X-ray diffraction technique of graphite layer. Rhombic crystal type (3R). P4 is the plane peak intensity (101) by X-ray diffusion technique of graphite layer. Hexagonal crystal type (2H) Privileges (Section one) which will appear on the advertisement page: ------ 12/12/2018 ------ (OCR) Page 1 of 3 pages. 1. วัสดุคาร์บอนประเภทแกรไฟต์ที่เป็นประโยชน์ในฐานะสารตั้งต้นแกรฟีน, ที่มี ชั้นแกรไฟต์ประเภทผลึกขนมเปียกปูน (3R) และ ชั้นแกรไฟต์ประเภทผลึกหกเหลี่ยม (2H) ที่ซึ่ง Rate(3R) ของชั้นแกรไฟต์ประเภทผลึกขนมเปียกปูน (3R) และ ชั้นแกรไฟต์ประเภทผลึกหกเหลี่ยม(2H) , บนพื้นฐานของวิธีการเอกซ์เรย์ดิฟแฟรกชัน, ซึ่ง ถูกนิยามไว้โดยสมการ 1 ต่อไปนี้คือ 31%หรือมากกว่านั้น: Rate (3R) = P3 / (P3 + P4) X 100 .... (แท็ก :1. A useful graphite carbon material as a graphene substrate, with a rhombic crystalline graphite layer (3R) and a hexagonal crystalline graphite layer (2H), where the rate (3R) of the graphite layer. Rhombic crystals (3R) and hexagonal-type graphite (2H) layers, based on the x-ray diffusion method, are defined by Equation 1 below 31% or more. : Rate (3R) = P3 / (P3 + P4) X 100 .... (Tag:
TH1501005457A 2015-02-27 The graphite carbon materials used as graphene precursors and their processing TH177120A (en)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH177120A true TH177120A (en) 2018-06-21

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PH12017500396A1 (en) Graphite-based carbon material useful as graphene precursor, as well as method of producing the same
BR112014016868A2 (en) nanowire device having upper and lower graphene electrodes and method of manufacturing such a device
GB201318578D0 (en) Graphene nanoribbons and carbon nanotubes fabricated from sic fins or nanowire templates
IN2014DN07101A (en)
TH177120A (en) The graphite carbon materials used as graphene precursors and their processing
SE2050269A1 (en) A Hybrid Ionic Graphene Nanocomposite with Layered Structure
EA201591951A1 (en) ENRICHED ORGANIC CARBON CONTAINING RAW MATERIALS
MX2016008592A (en) Cold pressure fix toner compositions based on crystalline polyester and amorphous organic compound mixtures.
UA115170C2 (en) Cathode block having an abrasion-resistant surface that can be wetted
TH1701001235A (en) Composite reinforcement and building material
Chernikov et al. Exciton Rydberg series in mono-and few-layer WS2
Saleh et al. Fabrication and characterization of graphene and graphene/metal oxide nanocomposites
TH1701001233A (en) Conductive materials, composite devices, energy storage, dissipation fluids, conductive devices, conductive composites, and thermally conductive composites.
TH155684A (en) Silver coated products and methods for producing them
Wang et al. Improving the quality of CVD graphene-based devices: synthesis, transfer, fabrication and measurement
Blankschtein How “transparent” is graphene?
Yu Single-Crystal Growth and Optical Characterization of Large-Area Monolayer WS 2
Keidar et al. Utilization of plasmas for graphene synthesis
PL402755A1 (en) Hydrothermal method for producing ZnO nanopillars on the substrate
Wu Study of Electronic Properties of Atomically Thin Graphene by Chemical Modulation
Zhang Study of 1/f Noise in Graphene Based Field-Effect-Transistors
Yan Chemical Vapor Deposition Synthesis of Graphene-Based Materials and Chemical Modulation of Graphene Electronics
Bokdam et al. Intrinsic Electron-Hole Puddles in Graphene on Hexagonal Boron-Nitride
Tyagi Growth and characterization of graphene on CuNi substrates
TH151860A (en)