TH166018B

TH166018B - Three level inversion circuit

Info

Publication number: TH166018B
Application number: TH1501006136A
Authority: TH
Original assignee: ฟูจิ อิเล็คทริค โคแอลทีดี
Filing date: 2013-10-02
Publication date: 2017-08-10

Abstract

วงจรอนุกรมของตัวเก็บประจุ 2 และ 3 และวงจรอนุกรมของสวิตซ์กึ่งตัวนำ 4 และ 5 เช่น SiC MOSFET จะถูกเชื่อมต่อแบบขนานกับแหล่งจ่ายกำลังไฟฟ้ากระแสตรง 1 และปลายด้านหนึ่งของสวิตซ์ แบบสองทิศทางที่ถูกประกอบขึ้นด้วยสวิตซ์กึ่งตัวนำ 12 และ 13 เช่น IGBT และไดโอด 10 และ 11 เชาน SiC-SBD จะถูกเชื่อมต่อกับจุดเชื่อมต่อแบบอนุกรม(จุด M ) ของตัวเก็บประจุ 2 และ 3 โดยขณะที่ปลายอีก ด้านหนึ่งของสวิตซ์แบบสองทิศทางจะถูกเชื่อมต่อกับจุดเชื่อมต่อแบบอนุกรมของสวิตซ์กึ่งตัวนำ 4 และ 5 อันเป็รการจัดโครงแบบวงจรผกผันสามระดับซึ่งสามารถส่งออกระดับแรงดันไฟฟ้าสามระดับโดยใช้ สวิตซ์กึ่งตัวนำ 4,5,12 และ 13 วงจรผกผันสามระดับจะถูกใช้งานเพื่อให้เป็นไปตามเงื่อนไขอย่างน้อยที่ สุดอย่างจากเงื่อนไขที่ว่าค่ายอดของแรงดันไฟฟ้ากระแสสลับด้านออก V0 จะมีค่าเท่ากับ 80% หรือ มากกว่าของแรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บประจุ 2 และ 3 และเงื่อนไขที่ว่าตัวประกอบกำลังด้านออกจะมีค่าเป็น 0.8หรือมากกว่านั้น ด้วยการกระทำในลักษณะนี้ องค์ประกอบราคาถูกที่เป็นที่รู้จักก่อนหน้านี้จึงสามารถ ถูกใช้ประโยชน์สำหรับสวิตซ์กึ่งตัวนำส่วนหนึ่งได้อันเป็นการบรรลุประสิทธิภาพมากยิ่งขึ้นและการลด ขนาดลงแต่ในขนาดเดียวกันก็ยังลดต้นทุนลงอีกด้วย A series circuit of capacitors 2 and 3 and a series of semiconductor switches 4 and 5 such as the SiC MOSFET is connected in parallel to the DC power supply 1 and one end of the switch. Bi-directional, composed of semiconductor switches 12 and 13, such as IGBTs and diodes 10 and 11, such as SiC-SBD, are connected to the series junction (point M) of capacitors 2 and 3, while At the other end One side of the bidirectional switch is connected to the serial connection point of the semiconductor 4 and 5 switches, providing a three-level inverse circuit configuration that can output three voltage levels using 4,5,12 semiconductor switches and 13 three-level inverse circuits are used to satisfy at least the conditions that This is the condition that the peak output voltage V0 is equal to 80% or greater of the voltages of capacitors 2 and 3, and the condition that the output power factor is 0.8 or more By acting like this The previously known low-priced elements can therefore be Can be utilized for some semiconductor switches, achieving greater efficiency and reducing Size down, but at the same size, it also reduces costs.

Claims

1. A three-level inverse circuit which consists of One semiconductor switch and a second semiconductor switch, which can control conduction / interruption. Of the forward current using an open signal or a closing signal with the control terminal which will The conductive state is reached for the reverse current, where the series circuit of the first and the second capacitor and the series of the semi-switch is reached. The first conductor and the second semiconductor switch are connected in parallel with the DC power source where: