อิเล็กโตรไลต์เมมเบรนชนิดของเเข็ง (13) ถูกจัดเรียงบนพื้นผิวของเเอโนด (11) ระหว่าง เเอโนด (11) และ สับสเตรท (B) ที่ใช้เป็นแคโทด อิเล็กโตรไลต์เมมเบรนชนิดของเเข็ง (13) ถูกนำเข้าไปสัมผัสกับสเตรท (B) ในเวลาเดียวกัน ฟิล์มโลหะ (F) ถูกขึ้นรูปบนพื้นผิวของ สับสเตรท (B) โดยก่อให้เกิดโลหะเพื่อเกิดตะกอนลงบนพื้วผิวของสับสเตรท (B) จากไอออน ของโลหะ ผ่านยังการจ่ายเเรงดันไฟฟ้าระหว่างเเอโนด (11) และ สับสเตรท (B) ในสถานะสัมผัส ครั้งที่หนึ่งเมื่อ อิเล็กโตรไลต์เมมเบรนชนิดของเเข็ง (13) สัมผัสสับสเตรท (B) ไอออนของโลหะ ถูกทำให้มีอยู่ข้างใน อิเล็กโตรไลต์เมมเบรนชนิดของเเข็ง (13) The electrolyte membrane type (13) is arranged on the surface of the node (11) between the anode (11) and the substrate (B) used. Is the cathode The electrolyte membrane type (13) is introduced into contact with the strain (B), at the same time a metal film (F) is formed on the surface of the substrate (B). ) By producing metal to form a sludge on the surface of the substrate (B) from the metal ions through the voltage distribution between the anode (11) and the substrate (B). In the touch state First time when Electrolyte membrane type (13), substrate contact (B), metal ions are present inside. Electrolyte Membrane, Rigid type (13)
Claims (1)
เเอโนด (11); อิเล็กโตรไลต์เมมเบรนชนิดของเเข็ง (13) ที่ถูกจัดเรียงบนพื้นผิวของเเอโนด (11) ระหว่าง เเอโนด (11) และ สับสเตรท (B) ซึ่งสับเสตรท (B) ที่ใช้เป็นเเคโทด; หน่วยการจ่ายกำลัง ที่ถูกวางโครงเเบบเพื่อจ่ายเเรงดันไฟฟ้าระหว่างเเอโนด (11) และ สับสเตรท (B), ระบบการขึ้นรูปฟิล์ม ที่ถูกวางโครงแบบเพื่อขึ้นรูปฟิล์มโลหะบนพื้นผิวของ สับสเตรท (B) โดยก่อให้เกิดโลหะเพื่อเกิดตะกอนลงบนพื้นผิวของสับสเตรท (B) จากไอออนของ โลหะ ผ่านยังการจ่ายเเรงดันไฟฟ้าระหว่างเเอโนด (11) และ สับAnode (11); Electrolyte membrane type (13) arranged on the surface of the node (11) between the anode (11) and the substrate (B), which A substrate (B) used as a fork; Power distribution unit It is structured to supply voltage between the node (11) and the substrate (B), the film-forming system. The substrate is designed to form a metal film on the surface of the substrate (B) by forming the metal to form a sludge on the surface of the substrate (B) from the metal ions through the distribution. Voltage between the electrode (11) and the chopper
TH1601000912A2014-08-20
Film forming systems and film forming methods for metal film forming
TH163811B
(en)