TH16006B - Iodonium salts are hidden acidic agents. - Google Patents

Iodonium salts are hidden acidic agents.

Info

Publication number
TH16006B
TH16006B TH1004897A TH0001004897A TH16006B TH 16006 B TH16006 B TH 16006B TH 1004897 A TH1004897 A TH 1004897A TH 0001004897 A TH0001004897 A TH 0001004897A TH 16006 B TH16006 B TH 16006B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
alkyl
replaced
compound
formula
radiation
Prior art date
Application number
TH1004897A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH51200A (en
Inventor
ฮูลซ์ นายเรนฮาร์ด
เบอร์บูม นายยีน-ลุ๊ค
วอล์ฟ นายยีน-ปิแอร์
ไอแอลจี นายสตีเฟ่น
ยามาโต นายฮิโตชิ
อาซาคูระ นายโตชิคาเกะ
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH51200A publication Critical patent/TH51200A/en
Publication of TH16006B publication Critical patent/TH16006B/en

Links

Abstract

DC60 (12/03/44) ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ที่ประกอบด้วย (a1) สารประกอบที่สามารถโพลีเมอไรซ์ได้ หรือ สามารถเชื่อมข้ามได้เชิง ไอออนประจุบวก หรือ เชิงแคทะไลทิคด้วยกรด หรือ (a2) สารประกอบที่เพิ่มความสามารถละลายได้ของมัน ในดีเวลลอปเปอร์ ภาย ใต้การกระทำของกรด และ (c) อย่างน้อยที่สุด ตัวหนึ่งของเกลือไดเอริลไอโอโดเนียม ของสูตร I (สูตรเคมี) (I), ซึ่ง X คือ C3-C20 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล X1 คือ ไฮโดรเจน C1-C20 แอลคิล เชิงเส้น C3-C20 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล โดย กำหนดว่า ผลรวมของคาร์บอนอะตอมใน X และ X1 อย่างน้อยที่สุด คือ 4 Y คือ C1-C10 แอลคิล เชิงเส้น C3-C10 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล A คือ ไอออนประจุลบ ที่ไม่เป็นนิวคลีโอฟิลิค ที่ถูกเลือกจากกลุ่ม (BF4) (SbF6) (PF6) (B(C6F5))4 C1-C20 แอลคิลซัลโฟเนท C2-C20 เฮโลแอลคิลซัลโฟเนท C6-C10 เอริลซัลโฟเนท ที่ไม่ถูกเข้าแทนที่ แคมฟอร์ซัลโฟเนท C1-C20-เปอร์ฟลูออโรแอลคิลซัลโฟนิลเมทไทด์ C1-C20- เปอร์ฟลูออโรแอลคิล ซัลโฟนิลอิไมด์ และ C6-C10 เอริลซัลโฟเนท ที่ถูกเข้าแทนที่ด้วย เฮโลเจน NO2 C1-C12 แอลคิล C1-C12 เฮโลแอลคิล C1-C12 แอลคอกซี หรือ โดย COOR1 และ R1 คือ C1-C20 แอลคิล ฟีนิล เบนซิล หรือ ฟีนิล ที่ถูกเข้าแทนที่แบบโมโน- หรือ โพลี-โดย C1-C12 แอลคิล C1-C12 แอลคอกซี หรือ โดยเฮโลเจน โดยกำหนดว่า วงแหวนฟีนิล 2 วง บนอะตอมไอโอดีน ไม่ถูกเข้าแทนที่แบบเดียว กัน มีความไวสูง ความเสถียรในการเก็บสูง มีความสามารถละลายได้ดี และมีแนวโน้ม ที่จะตกผลึกต่ำ ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ที่ประกอบด้วย (a1) สารประกอบที่สามารถโพลีเมอไรซ์ได้ หรือ สามารถเชื่อมข้ามได้เชิง ไอออนประจุบวก หรือ เชิงแคทะไลทิคด้วยกรด หรือ (a2) สารประกอบที่เพิ่มความสามารถละลายได้ของมัน ในดีเวลลอปเปอร์ ภาย ใต้การกระทำของกรด และ (c) อย่างน้อยที่สุด ตัวหนึ่งของเกลือไดเอริลไอโอโดเนียม ของสูตร I (สูตรเคมี) (I), ซึ่ง X คือ C3-C20 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล X1 คือ ไฮโดรเจน C1-C20 แอลคิล เชิงเส้น C3-C20 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล โดย กำหนดว่า ผลรวมของคาร์บอนอะตอมใน X และ X1 อย่างน้อยที่สุด คือ 4 Y คือ C1-C10 แอลคิล เชิงเส้น C3-C10 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล A คือ ไอออนประจุลบ ที่ไม่เป็นนิวคลีโอฟิลิค ที่ถูกเลือกจากกลุ่ม (BF4) (SbF6) (PF6) (B(C6F5))4 C1-C20 แอลคิลซัลโฟเนท C2-C20 เฮโลแอลคิลซัลโฟเนท C6-C10 เอริลซัลโฟเนท ที่ไม่ถูกเข้าแทนที่ แคมฟอร์ซัลโฟเนท C1-C20-เปอร์ฟลูออโรแอลคิลซัลโฟนิลเมทไทด์ C1-C20- เปอร์ฟลูออโรแอลคิล ซัลโฟนิลอิไมด์ และ C6-C10 เอริลซัลโฟเนท ที่ถูกเข้าแทนที่ด้วย เฮโลเจน NO2 C1-C12 แอลคิล C1-C12 เฮโลแอลคิล C1-C12 แอลคอกซี หรือ โดย COOR1 และ R1 คือ C1-C20 แอลคิล ฟีนิล เบนซิล หรือ ฟีนิล ที่ถูกเข้าแทนที่แบบโมโน- หรือ โพลี-โดย C1-C12 แอลคิล C1-C12 แอลคอกซี หรือ โดยเฮโลเจน โดยกำหนดว่า วงแหวนฟีนิล 2 วง บนอะตอมไอโอดีน ไม่ถูกเข้าแทนที่แบบเดียว กัน มีความไวสูง ความเสถียรในการเก็บสูง มีความสามารถละลายได้ดี และมีแนวโน้ม ที่จะตกผลึกต่ำ DC60 (12/03/44) irradiation sensitive ingredient Containing (a1) compounds that can be polymerized or cross-linked. Cationic or catalytic ions with acid or (a2) compounds that increase their solubility. In the developer under the action of at least acid and (c) One of the diaryl iodonium salts of formula I (chemical formula) (I), where X is C3-C20 branched alkyl or C3-C8 cycloalkyl X1 is hydrogen C1-C20. C3-C20 linear alkyls, C3-C8 cycloalkyls, or C3-C8 cycloalkyls, given that the sum of the carbon atoms in X and X1 at least 4 Y is C1-C10 alkyls. Linear C3-C10 branched alkyl or C3-C8 Cycloalkyl A is a non-nucleophilic anionic ion. Selected from (BF4) (SbF6) (PF6) (B (C6F5)) 4 C1-C20 Alkylsulfonate C2-C20 Haloalkylsulfonate C6-C10 A Rylsulfonate Not replaced Camforsulfonate C1-C20-Perfluoroalkylsulfonylmetide C1-C20-Perfluoroalkyl Sulfonylimide and C6-C10 eryl sulfonate Replaced by NO2 halogen C1-C12 alkyl C1-C12 alkyl, C1-C12 alkyl, or by COOR1 and R1 is C1-C20 alkyl phenylbenzyl or phy. Onyx replaced mono- or poly- by C1-C12 alkyl, C1-C12 alkyl or by halogens, with two phenyl rings on an iodine atom. Not replaced, the same type, high sensitivity, high storage stability. It has good solubility and has a low tendency to crystallize. Ingredients sensitive to stimulation by radiation Containing (a1) compounds that can be polymerized or cross-linked. Cationic or catalytic ions with acid or (a2) compounds that increase their solubility. In the developer under the action of at least acid and (c) One of the diaryl iodonium salts of formula I (chemical formula) (I), where X is C3-C20 branched alkyl or C3-C8 cycloalkyl X1 is hydrogen C1-C20. C3-C20 linear alkyls, C3-C8 cycloalkyls, or C3-C8 cycloalkyls, given that the sum of the carbon atoms in X and X1 at least 4 Y is C1-C10 alkyls. Linear C3-C10 branched alkyl or C3-C8 Cycloalkyl A is a non-nucleophilic anionic ion. Selected from (BF4) (SbF6) (PF6) (B (C6F5)) 4 C1-C20 Alkylsulfonate C2-C20 Haloalkylsulfonate C6-C10 A Rylsulfonate Not replaced Camforsulfonate C1-C20-Perfluoroalkylsulfonylmetide C1-C20-Perfluoroalkyl Sulfonylimide and C6-C10 eryl sulfonate Replaced by NO2 halogen C1-C12 alkyl C1-C12 alkyl, C1-C12 alkyl, or by COOR1 and R1 is C1-C20 alkyl phenylbenzyl or phy. Onyx replaced mono- or poly- by C1-C12 alkyl, C1-C12 alkyl or by halogens, with two phenyl rings on an iodine atom. Not replaced, the same type, high sensitivity, high storage stability. It has good solubility and has a low tendency to crystallize.

Claims (8)

1. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสีที่ประกอบด้วย (a1) สารประกอบที่สามารถโพลีเมอไรซ์ได้ หรือ สามารถเชื่อมข้ามได้เชิงไอออน ประจุบวก หรือ เชิงแคทะไลทิคด้วยกรด หรือ (a2) สารประกอบที่เพิ่มความสามารถละลายได้ของมันในดีเวลลอปเปอร์ ภายใต้ การกระทำของกรด และ (b) อย่างน้อยที่สุดตัวหนึ่งของเกลือไดเอริลไอโอโดเนียมของสูตร I (สูตรเคมี) (I) ซึ่ง X คือ C3-C20 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล X1 คือ ไฮโดรเจน, C1-C20 แอลคิล เชิงเส้น, C3-C20 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล โดยกำหนดว่าผลรวมของคาร์บอนอะตอมใน X และ X1 อย่างน้อยที่สุดคือ 4 Y คือ C1-C10 แอลคิล เชิงเส้น, C3-C10 แอลคิล ชนิดแขนง หรือ C3-C8 ไซโคลแอลคิล A คือ ไอออนประจุลบ ที่ไม่เป็นนิวคลีโอฟิลิค ที่ถูกเลือกจากกลุ่ม (BF4) , (SbF6) , (PF6) , (B(C6F5))4, C1-C20 แอลคิลซัลโฟเนท, C2-C20 เฮโลแอลคิลซัลโฟเนท, C6-C10 เอริลซัลโฟเนท ที่ไม่ ถูกเข้าแทนที่, แคมฟอร์ซัลโฟเนท, C1-C20 -เปอร์ฟลูออโรแอลคิลซัลโฟนิลเมทไทด์, C1-C20 -เปอร์ฟลู ออโรแอลคิลซัลโฟนิลอิไมด์ และ C6-C10 เอริลซัลโฟเนท ที่ถูกเข้าแทนที่ด้วย เฮโลเจน, NO2, C1-C12 แอลคิล, C1-C12 เฮโลแอลคิล, C1-C12 แอลคอกซี หรือ โดย COOR1 และ R1 คือ C1-C20 แอลคิล, ฟีนิล, เบนซิล, หรือ ฟีนิล ที่ถูกเข้าแทนที่แบบโมโน- หรือ โพลี- โดย C1-C12 แอลคิล, C1-C12 แอลคอกซี หรือ โดยเฮโลเจน โดยกำหนดว่า วงแหวนฟีนิล 2 วง บนอะตอมไอโอดีน ไม่ถูกเข้าแทนที่แบบเดียว กัน1.Radiation sensitive ingredients containing (a1) polymerized or cationic, cationic, or catalytic, acidic, or (a2) compounds. Which increases its solubility in the developer under the action of acid and (b) at least one of the diaryyl iodonium salts of formula I (chemical formula) (I), which X is C3-C20 branched alkyl or C3-C8 cycloalkyl, X1 is hydrogen, C1-C20 linear alkyl, C3-C20 cycloid or C3-C8 cycloid. Alkyls, defined as the sum of the carbon atoms in X and X1 at least 4 Y, are C1-C10 linear alkyls, C3-C10 branched alkyls or C3-C8 cycloids. Kill A is a non-nucleophilic anionic ion. Selected from the group (BF4), (SbF6), (PF6), (B (C6F5)) 4, C1-C20 alkylsulfonate, C2-C20 heloalkylsulfone. T, C6-C10 non-replaceable eryil sulfonate, camforsulfonate, C1-C20 - perfluoroalkylsulfonyl methide, C1-C20 - Perfluoroalkylsulfonylimide and C6-C10 erylsulfonate. Replaced by halogen, NO2, C1-C12 alkyl, C1-C12 halalkyl, C1-C12 alkyl, or by COOR1 and R1 is C1-C20 alkyl, phenyl. , Benzyl, or phenyl substituted as mono- or poly- by C1-C12 alkyl, C1-C12 alkyl, or by halogen, with two phenyl rings on an iodine atom. Not replaced in the same way 2. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งสาร ประกอบของสูตร I ในนั้น X คือ C4-C12 แอลคิล ชนิดแขนง หรือไซโคลเฮกซิล2. Ingredients sensitive to stimulation by radiation. According to claim 1, the compound of formula I in it X is C4-C12 branched alkyl or cyclohexyl. 3. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งสาร ประกอบของสูตร I ในนั้น Y คือ C1-C6 แอลคิล เชิงเส้น หรือไซโคลเฮกซิล3. Ingredients sensitive to stimulation by radiation. According to claim 1, the compound of formula I in it, Y is C1-C6, linear alkyl or cyclohexyl. 4. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งสาร ประกอบของสูตร I ในนั้น A คือ ไอออนประจุลบ ที่ไม่เป็นนิวคลีโอฟิลิค ที่ถูกเลือกจากกลุ่ม (PF6), (B(C6F5))4,C1-C12 แอลคิลซัลโฟเนท, C2-C12 เฮโลแอลคิลซัลโฟเนท, ฟีนิลซัลโฟเนท ที่ไม่ ถูกเข้าแทนที่, แคมฟอร์ซัลโฟเนท, C1-C20 เปอร์ฟลูออโรแอลคิลซัลโฟนิลเมทไทด์, C1-C20-เปอร์ฟลู ออโรแอลคิลซัลโฟนิลอิไมด์ และ ฟีนิลซัลโฟเนท ที่ถูกเข้าแทนที่ด้วย เฮโลเจน, NO2, C1-C12 แอลคิล, C1-C12 เฮโลแอลคิล, C1-C12 แอลคิกซี หรือ โดย COOR14. Ingredients sensitive to stimulation by radiation. According to claim 1, the compound of formula I in it, A, is a non-nucleophilic anion. Selected from the group (PF6), (B (C6F5)) 4, C1-C12. Alkylsulfonate, C2-C12 Haloalkylsulfonate, Unreplaceable Phenylsulfonate, Camforsulfonate, C1-C20 Perfluoroalkylsulfonyl methide, C1-C20-Perflu Aoroalkylsulfonylimide and phenylsulfonate Replaced by halogen, NO2, C1-C12 alkyl, C1-C12 halalkyl, C1-C12 alkyl or by COOR1. 5. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่งสาร ปะกอบของสูตร I ในนั้น X คือ C4-C6 แอลคิล เชิงแขนง หรือ ไซโคลเฮกซิล X1 คือ ไฮโดรเจน หรือ C4-C6 แอลคิล เชิงแขนง Y คือ C1-C4 แอลคิล เชิงเส้น, C3-C4 แอลคิล เชิงแขนง หรือ ไซโคลเฮกซิล A คือ ไอออนประจุลบ ที่ไม่เป็นนิวคลิโอฟิลิค ที่ถูกเลือกจากกลุ่ม (PF6), แคมฟอร์ซัลโฟเนท และฟีนิลซัลโฟเนท ที่ถูกเข้าแทนที่ด้วย C1-C4 แอลคิล5. Ingredients sensitive to stimulation by radiation. According to claim 1, the compound of formula I in it, X is C4-C6, the branched alkyl or cyclohexyl, X1 is hydrogen, or C4-C6, the branched alkyl Y is C1-C4. Linear alkyl, C3-C4 Branched alkyl or cyclohexyl A is a non-nucleophilic anion. Selected from the group (PF6), Camforsulfonate And phenyl sulfonate Which was replaced by C1-C4 alkyl 6. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่ง องค์ประกอบ (a1) ในนั้น อย่างน้อยที่สุด คือ สารประกอบตัวหนึ่งที่ถูกเลือกจากกลุ่มของสาร ประกอบไซโคลเอลิฟาทิค อีปอกซี, ไกลซิคิล อีเทอร์, สารประกอบออกซีเทน, ไวนิล อีเทอร์, มีเลมีน เรซิน ที่สามารถเชื่อมข้ามได้ด้วยกรด, สารประกอบไฮดรอกซิเมทิลีน ที่สามารถเชื่อมข้าม ได้ด้วยกรด และสารประกอบแอลคอกซีเมทีลีน ที่สามารถเชื่อมข้ามได้ด้วยกรด6.Ingredients sensitive to stimulation by radiation According to claim 1, where the element (a1) in it is at least one compound selected from the group of substances. Contains cycloiphatic epoxies, glycicyl ether, oxytane compounds, vinyl ether, acid cross-linked methylamine resins, hydroxymethylene compounds. That can be cross-linked with acids and alkalis methylene compounds That can be cross-linked by acid 7. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ซึ่ง องค์ประกอบ (a2) ในนั้น อย่างน้อยที่สุด คือ สารประกอบตัวหนึ่งที่ถูกเลือกจากกลุ่มของไซโคล เอลิฟาทิค โคโพลีเมอร์, โคโพลีเมอร์ ที่มีกลุ่ม 4-ไฮดอรกซี-ฟีนิล, โคโพลีเมอร์ที่มีเมลีอิค แอซิด แอนไฮไดรด์ และโคโพลีเมอร์ ที่มีเอคริลอิค แอซิด-, เอคริลอิค แอซิด เอสเทอร์- และเมทาคริลอิค แอซิด เอสเทอร์ โดยกำหนดว่า โคโพลีเมอร์เหล่านั้นมีกลุ่มฟังชันแนล ที่เพิ่มความสามารถละลาย ได้ของโพลีเมอร์นั้นในดีเวลลอปเปอร์ที่เป็นต่าง ภายหลังการทำปฏิกิริยากับกรด 8. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่นอกจาก องค์ประกอบ (a1) หรือ (a2) และ (b) แล้วยังประกอบด้วยอย่างน้อยที่สุดสารประกอบตัวกระตุ้น (d) ตัวหนึ่ง 9. ส่วนผสมที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี ตามข้อถือสิทธิ 8 ซึ่ง สารประกอบตัวกระตุ้น (d) คือ เบนโซฟีโนน, ไทโอแซนโทน, แอนทราซีน หรืออนุพันธ์ของสาร เหล่านี้ 1 0. วิธีการทำโพลีเมอไรเซชันด้วยแสง หรือเชื่อมข้ามสารประกอบที่สามารถ โพลีเมอไรซ์ได้ หรือสามารถเชื่อมข้ามได้เชิงไอออนประจุบวก หรือ เชิงกรด-แคทะไลทิค ภายใต้ การกระทำของการฉายรังสีแม่เหล็กไฟฟ้า หรือ ลำแสงอิเลคทรอน ซึ่งในวิธีการนั้นใช้ สาร ประกอบตามสูตร I ตามข้อถือสิทธิ 1 เป็นตัวให้กรดด้วยแสงแฝงเร้น 1 1. ซับสเทรตที่ถูกเคลือบ ซึ่งอย่างน้อยที่สุดผิวหน้าด้านหนึ่งถูกเคลือบด้วยส่วน ผสมตามข้อถือสิทธิ 1 1 2. วิธีการทำการผลิตภาพนูน ซึ่งส่วนผสมตามข้อถือสิทธิ 1 ถูกใช้กับซับสเทรต หนึ่งแล้วให้ถูกกับแสงที่เป็น อิเมจ-ไวซ์ 1 3. ตัวต้านทางแสงที่ประกอบด้วยสารประกอบสูตร I ตามข้อถือสิทธิ 1 เป็น ตัวให้กรดที่ไวต่อการกระตุ้นโดยการฉายรังสี 1 4. ตัวต้านทานแสงตามข้อถือสิทธิ 13 ซึ่งตัวต้านทานแสงนั้น คือ ตัวต้านทาน เนกะทีฟ 1 5. ตัวต้านทางแสงตามข้อถือสิทธิ 13 ซึ่งตัวต้านทางแสงนั้น คือ ตัวต้านทาน โพซิทีฟ 1 6. ตัวต้านทานแสงตามข้อถือสิทธิ 13 ซึ่งตัวต้านทานแสงนั้น คือ ตัวต้านทาน ที่เพิ่มขึ้นเชิงเคมี 1 7.วิธีการตามข้อถือสิทธิ 10 ในการผลิตส่วนผสมที่เคลือบผิวหน้าส่วนผสมสาร เคลือบที่เป็นผง, หมึกพิมพ์ แผ่นพิมพ์ สารประกอบทำฟัน สเทอรีโอไลโทแกรฟีเรซิน สารยึดติด สารเคลือบต้านการเกาะติด ที่กรองสี วัสดุต้านทาน หรือวัสดุบันทึกเป็นภาพ 17. Ingredients sensitive to stimulation by radiation. According to claim 1, where the element (a2) in it, at least, is one compound selected from the cycloeliphatic copolymer group, the copolymer with group 4-. Hydroxy-phenyl, copolymer with meliic acid anhydride and copolymer With acryl iic acid -, acryl iic acid ester - and methacryl iic acid ester, given that copoly They have a functional group. That increase the solubility Of that polymer in a different developer After the reaction with acids. 8. Ingredients sensitive to stimulation by radiation. According to claim 1, in addition to the elements (a1) or (a2) and (b), they contain at least one stimulating compound (d). 9. Radiation-sensitive ingredients. According to claim 8, the activating compound (d) is benzophenone, thiosanthone, anthracene or its derivatives. 1 0. Optical polymerization method. Or cross-linked compounds that can Polymerization can Or it can be cross-linked, cationic or acid-catalytic, under the action of electromagnetic radiation or electronic beam. In this method, the compound according to the formula I according to claim 1 was used as the latent photoresist. 1 1. The coated substrate. Which at least one side of the surface was coated with Mix according to claim 1 1 2. The method of producing embossed images. In which the ingredients according to claim 1 are used with the substrate First, it is exposed to light that is image - sensitivity 1. 3. Optical resistor containing formula I compound according to claim 1 is irradiator sensitive acidifier 1 4. Optical resistor According to claim 13, the optical resistor is the native resistor 1. 5. Optical resistor according to claim 13, the optical resistor is the positive resistor 1. 6. Optical resistor according to clause Holds the right 13, where the optical resistors are chemically enhanced resistors 1 7. Method according to claim 10 for the manufacture of surface coatings, compound ingredients Powder coatings, inks, printing plates, dental compounds. Styriolytography resins, adhesives, anti-adhesion coatings, paint filters, resistivity materials, or recordings 1 8. สารประกอบสูตร I ตามข้อถือสทิธิ 18. Compound Formula I according to the matter 1
TH1004897A 2000-12-15 Iodonium salts are hidden acidic agents. TH16006B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH51200A TH51200A (en) 2002-05-28
TH16006B true TH16006B (en) 2004-01-13

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69702605T2 (en) Photo production of amines from alpha-amino acetophenones
DE69809029T2 (en) NON-VOLATILE PHENYLGLYOXAL ACID ESTERS
AU613980B2 (en) Radiation-polymerizable acrylate and alkacrylate compounds
TW591323B (en) Photoresist composition for deep UV and process thereof
EP0255486B1 (en) Titanocenes and their use
AT402298B (en) ALKOXYPHENYL-SUBSTITUTED BISBENZOYLPHOSPHINOXIDE
TWI233537B (en) Photoresist compositions comprising blends of ionic and non-ionic photoacid generators
KR960018764A (en) Photosensitive resin composition
KR970702514A (en) Resist Pattern Formation Method
TWI253542B (en) Positive-working photoresist composition
KR960022615A (en) Photoresist composition
DE19708294A1 (en) Alkylphenylbisacylphosphine oxides and photoinitiator mixtures
JPH0447680B2 (en)
KR960032093A (en) Chemically amplified type radiation sensitive resin composition
DE69932995T2 (en) Photosensitive resin composition
KR960022623A (en) Crosslinked polymer
DE1917543A1 (en) Aromatic polycyclic compounds as sensitizers for photolyzable organic halogen compounds
EP1056757B1 (en) Substituted benzoylferrocene anionic photoinitiators
KR890002711A (en) Negative photoresist based on polyphenols and selected epoxy or vinyl ether compounds
JPH04350661A (en) Positively acting photosensitive electrostatic master
KR860008476A (en) Deep UV Lithographic Resistant Compositions and Uses thereof
EP0898202A1 (en) Photogeneration of amines from alpha-aminoacetophenones
JPS6088005A (en) Photocurable resin composition
DE2125457A1 (en) Photopolymerizable plastic compound
KR20140043672A (en) Resist composition for euv or eb and method of forming resist pattern