ให้สารผสมซิลิโคนที่นำเชิงความร้อน, วัสดุที่บ่มแล้ว ซึ่งจากสิ่งนั้นไม่ให้ความแค้นแก่ ชุดสำเร็จ IC, แม้แต่ทิ้งไว้ที่อุณหภูมิสูง สารผสมซิลิโคนนั้นมีความหนืด ที่ 25 องศาเซลเซียส เป็น 10 ถึง 1,000 พาสคัล.วินาที, และ ประกอบรวมด้วย (A) 100 ส่วนโดยมวล ของ ออร์แกโนพอลิซิลอกเซน ที่มี อย่างน้อยสองหมู่แอลคีนิล ต่อ โมเลกุล และ ความหนืดพลวัต ที่ 25 องศาเซลเซียส เป็น 10 ถึง 100,000 มิลลิเมตร2/วินาที, (B) ออร์แกโนไฮโดรเจนพอลิซิลอกเซน ที่แทนโดย สูตร (1) ต่อไปนี้ ซึ่ง n และ m เป็น เลขจำนวนเต็มบวก ซึ่งเป็นตามสมการ: 10 (สูตร) n+m (สูตร) 100 และ 0.01 (สูตร) n/(m+n) (สูตร) 0.3, และ R1เป็น, อย่างเป็นอิสระจากกันและกัน, หมู่แอลคิล ที่มี 1 ถึง 6 คาร์บอนอะตอม, (C) ออร์แกโนไฮโดรเจนพอลิซิลอกเซน ที่แทนโดย สูตร (2) ต่อไปนี้: ซึ่ง p เป็น เลขจำนวนเต็มบวก จาก 5 ถึง 1,000, และ R2 เป็น, อย่างเป็นอิสระจากกันและกัน, หมู่แอลคิล ที่มี 1 ถึง 6 คาร์บอนอะตอม, (D) ออร์แกโนไฮโดนเจนพอลิซิลอกเซน ที่แทนโดย สูตร (3) ต่อไปนี้: ซึ่ง k เป็น เลขจำนวนเต็มบวก จาก 2 ถึง 10; R เป็น, อย่างเป็นอิสระจากกันและกัน, ไฮโดรเจนอะตอม หรือ R4, ที่มีข้อแม้ว่าสองตัวของ R เป็นไฮโดรเจนอะตอม, ซึ่ง R4 เป็นหมู่ที่มีพันธะกับซิลิคอนอะตอม ผ่านคาร์บอนอะตอม หรือผ่านคาร์บอนอะตอม และออกซิเจนอะตอม และมีหมู่ที่เลือกจากหมู่ อีพอกซิ, หมู่อะคริโลอิล, หมู่เมธะคริโลอิล, หมู่อีเธอร์ และหมู่ไทรแอลคอกซิซิลิล R3 เป็น, อย่างเป็น อิสระจากกันและกัน, หมู่แอลคิลที่มี 1 ถึง 6 คาร์บอนอะตอม, (E) 400 ถึง 3,000 ส่วนโดยมวล ของ ตัวเดิมที่นำเชิงความร้อน, (F) ปริมาณที่เร่งปฏิกิริยาของ ตัวเร่งปฏิกิริยาโลหะหมู่แพลทินัม, และ (G) 0.01 ถึง 1 ส่วนโดยมวล ของ สารหน่วงปฏิกิริยา, ซึ่งปริมาณขององค์ประกอบ (B), (C) และ (D) เป็นตามภาวะต่อไปนี้: อัตราส่วน, [จำนวนทั้งหมดของ หมู่ Si-H ในองค์ประกอบ (B), (C) และ (D]/[จำนวนของหมู่ แอลดีนิล ในองค์ประกอบ (A)], อยู่ในช่วง 0.6 ถึง 1.5; อัตราส่วน, [จำนวนทั้งหมดของ หมู่ Si-H ในองค์ประกอบ (C) และ (D)]/[จำนวนของหมู่ Si-H ในองค์ประกอบ (B)], อยู่ในช่วง 1 ถึง 10; และ อัตราส่วน, [จำนวนของ หมู่ Si-H ในองค์ประกอบ (C)]/[จำนวนของ หมู่ Si-H ในองค์ประกอบ (D)], อยู่ในช่วง 1 ถึง 10 การประดิษฐ์นี้ยังให้อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่ให้ด้วยวัสดุที่บ่มแล้วได้โดยการบ่มสารผสมที่กล่าว ไว้ก่อนหน้านี้: Provides thermally conductive silicone mixtures, cured materials Which from there is no hatred for the IC package, even left at high temperature. The silicone mixtures have a viscosity at 25 ° C as 10 to 1000 PASs, and are made up of (A) 100 parts by a mass of at least two organopyloxanes. The per-molecular and dynamic viscosity at 25 ° C is 10 to 100,000 mm2 / s, (B) the organo-hydrogen polysiloxane represented by the following formula (1), where n and m are Positive integers Which is according to the equation: 10 (formula) n + m (formula) 100 and 0.01 (formula) n / (m + n) (formula) 0.3, and R1 is, independently of each other, the alkyl groups that There are 1 to 6 carbon atoms, (C) the organohydrogen polysiloxane represented by the following formula (2): where p is a positive integer from 5 to 1000, and R2 is, independently of Each other, alkyl groups with 1 to 6 carbon atoms, (D) organohydogen polysiloxane represented by the following formula (3): where k is a positive integer from 2 to 10; R is, independently of each other, hydrogen atom or R4, with the exception of R's two hydrogen atoms, where R4 is a group bonded to silicon atoms. Through carbon atoms Or through carbon atoms And oxygen atoms And there are groups chosen from epoxis, acryloil groups, methacryloil groups, ether groups and tri-loxicil groups R3, independently of each other. , An alkyl group containing 1 to 6 carbon atoms, (E) 400 to 3,000 parts by the mass of the original thermally conductive, (F) the catalytic quantity of Platinum group metal catalysts, and (G) 0.01 to 1 part by mass of retardant, in which the quantities of the elements (B), (C) and (D) are subject to the following conditions: ratio, [total number of The Si-H groups in the composition (B), (C) and (D] / [the number of LDNyl groups in the composition (A)], range from 0.6 to 1.5; The ratio, [total number of Si-H groups in composition (C) and (D)] / [number of Si-H groups in composition (B)], ranges from 1 to 10; And the ratio, [number of Si-H groups in composition (C)] / [number of Si-H groups in composition (D)], ranged from 1 to 10. This invention also provided semiconductors with materials that Cured by curing the mixture mentioned above As before: