TH155251A - "กระบวนการสร้างโลหะเงินซึ่งมีโครงสร้างแบบแท่งตั้งตรงบนแผ่นรองรับขยายสัญญาณรามาน" - Google Patents

"กระบวนการสร้างโลหะเงินซึ่งมีโครงสร้างแบบแท่งตั้งตรงบนแผ่นรองรับขยายสัญญาณรามาน"

Info

Publication number
TH155251A
TH155251A TH1501003964A TH1501003964A TH155251A TH 155251 A TH155251 A TH 155251A TH 1501003964 A TH1501003964 A TH 1501003964A TH 1501003964 A TH1501003964 A TH 1501003964A TH 155251 A TH155251 A TH 155251A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
coating
raman
support plate
adjust
supports
Prior art date
Application number
TH1501003964A
Other languages
English (en)
Other versions
TH1501003964A (th
Inventor
นพดล นันทวงศ์ นาย
พงศ์พันธ์ จินดาอุดม นาย
พิทักษ์ เอี่ยมชัย นาย
มติ ห่อประทุม นาย
วิยะพล พัฒนะเศรษฐกุล นาย
ศักย์ศรณ์ ลิ้มวิเชียร นาย
Original Assignee
นางสาว อรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาว อรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล filed Critical นางสาว อรุณศรี ศรีธนะอิทธิพล
Publication of TH1501003964A publication Critical patent/TH1501003964A/th
Publication of TH155251A publication Critical patent/TH155251A/th

Links

Abstract

คำขอใหม่ปรับปรุง 11/8/2559 การประดิษฐ์นี้เสนอกระบวนการประดิษฐ์เเผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณ Raman ชนิดโลหะ เงินแบบแท่งขนาดนาโนเมตรตั้งเป็นแถวตรงตั้งฉากอยู่บนพื้นผิวของเเผ่นรองรับ(แท่งตั้งตรงขนาดนาโน เมตร) ด้วยระบบเเมกนิตรอน สปัตเตอริง โดยทำให้แผ่นรองรับขยายสัญญาณ Raman มีความไวในการ ตรวจจับสูงและสามารถสร้างเสร็จได้ในขั้นตอนเดียว โดยสามารถปรับเงื่อนไขที่ทำให้สิ่งประดิษฐ์มี ประสิทธิภาพดีที่สุดได้ด้วย การปรับมุมระหว่างแผ่นรองรับกับเป้าสารเคลือบเท่ากับ 85 องศา ปรับอัตราการ หมุนของเเผ่นรองรับเท่ากับ 5 รอบต่อนาที และปรับความดันในขณะทำการเคลือบตั้งเเต่ 5.0x10-3 มิลลิบาร์ ทำการเตรียมลงบนเเผ่นรองรับที่มีผิวเรียบ โดยใช้แหล่งพลังงานไฟฟ้ากระแสตรงที่ 0.4 แอมเเปร์ และมีค่ากำลังไฟฟ้าที่ 282 วัตต์ ใช้ระยะเวลาในการเคลือบ 30 นาที ทั้งนี้วิธีการประดิษฐ์ที่คิดค้นขึ้นตามคำ ขอร้องสิทธิบัตรได้เสนอกระบวนการเคลือบที่ดีสุดเพี่อให้ได้แท่งตั้งตรงขนาดนาโนเมตรเหมาะสมและ สามารถทำให้เกิดการขยายสัญญาญที่ Raman ที่ดีที่สุดออกมาได้ โดยสิ่งประดิษฐ์ที่ดีที่สุดจะมีความยาวและ ความกว้างของแท่งเงินตั้งตรงขนาดเท่ากับ 800 และ 200 นาโนเมตร

Claims (1)

: คำขอใหม่ปรับปรุง 11/8/2559 การประดิษฐ์นี้เสนอกระบวนการประดิษฐ์เเผ่นรองรับชนิดพื้นผิวขยายสัญญาณ Raman ชนิดโลหะ เงินแบบแท่งขนาดนาโนเมตรตั้งเป็นแถวตรงตั้งฉากอยู่บนพื้นผิวของเเผ่นรองรับ(แท่งตั้งตรงขนาดนาโน เมตร) ด้วยระบบเเมกนิตรอน สปัตเตอริง โดยทำให้แผ่นรองรับขยายสัญญาณ Raman มีความไวในการ ตรวจจับสูงและสามารถสร้างเสร็จได้ในขั้นตอนเดียว โดยสามารถปรับเงื่อนไขที่ทำให้สิ่งประดิษฐ์มี ประสิทธิภาพดีที่สุดได้ด้วย การปรับมุมระหว่างแผ่นรองรับกับเป้าสารเคลือบเท่ากับ 85 องศา ปรับอัตราการ หมุนของเเผ่นรองรับเท่ากับ 5 รอบต่อนาที และปรับความดันในขณะทำการเคลือบตั้งเเต่ 5.0x10-3 มิลลิบาร์ ทำการเตรียมลงบนเเผ่นรองรับที่มีผิวเรียบ โดยใช้แหล่งพลังงานไฟฟ้ากระแสตรงที่ 0.4 แอมเเปร์ และมีค่ากำลังไฟฟ้าที่ 282 วัตต์ ใช้ระยะเวลาในการเคลือบ 30 นาที ทั้งนี้วิธีการประดิษฐ์ที่คิดค้นขึ้นตามคำ ขอร้องสิทธิบัตรได้เสนอกระบวนการเคลือบที่ดีสุดเพี่อให้ได้แท่งตั้งตรงขนาดนาโนเมตรเหมาะสมและ สามารถทำให้เกิดการขยายสัญญาญที่ Raman ที่ดีที่สุดออกมาได้ โดยสิ่งประดิษฐ์ที่ดีที่สุดจะมีความยาวและ ความกว้างของแท่งเงินตั้งตรงขนาดเท่ากับ 800 และ 200 นาโนเมตรข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : คำขอใหม่ปรับปรุง 11/8/2559
1. กระบวนการสร้างโลหะเงินซึ่งมีโครงสร้างแบบแท่งตั้งตรงบนแผ่นรองรับขยายสัญญาณรามาน ประกอบด้วย ขั้นตอนการจัดให้มีแผ่นรองรับซึ่งมีพื้นผิวเรียบเป็นฐานรองรับ และ เป้าสารเคลือบซึ่งเชื่อมต่อกับหัว เคลือบเเบบแมกนีตรอนสปัตเตออริง แท็ก :
TH1501003964A 2015-07-10 "กระบวนการสร้างโลหะเงินซึ่งมีโครงสร้างแบบแท่งตั้งตรงบนแผ่นรองรับขยายสัญญาณรามาน" TH155251A (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH1501003964A TH1501003964A (th) 2016-08-11
TH155251A true TH155251A (th) 2016-08-11

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2016518800A5 (th)
WO2017180694A8 (en) Cas9 fusion molecules, gene editing systems, and methods of use thereof
JP2015222215A5 (th)
JP2011172225A5 (th)
CN111918672A (zh) 人工合成的鞘氨醇衍生物类脂质单体及其递送核酸的用途
TH155251A (th) "กระบวนการสร้างโลหะเงินซึ่งมีโครงสร้างแบบแท่งตั้งตรงบนแผ่นรองรับขยายสัญญาณรามาน"
FI3331516T3 (fi) Ropivakaiinihydrokloridin hyperbaarinen liuosinjektio ja menetelmä sen valmistamiseksi
FR2971369B1 (fr) Procede de fabrication d'une monocouche autoassemblee d'injection
JP2013116700A5 (th)
EA201690570A1 (ru) Процесс ферментации
MX385827B (es) Proceso para la preparacion de yoduro de 3,7-bis(dimetilamino)fenotiazin-5-ilio.
JP2020069987A5 (th)
CN205565626U (zh) 一种新型的弹簧支架
CN105210699A (zh) 园艺用植物多段弯曲装置
JP2016146796A5 (th)
CN105230374B (zh) 一种园艺用植物主干造型装置
CN207914068U (zh) 网纹辊挂架组件
Turakhia Deposition Rates on PVD75 Magnetron Sputterer
CN205033000U (zh) 锯床送料架
TH177357A (th) กระบวนการปรับสภาพพื้นผิวโลหะที่ใช้เป็นฐานรองรับของพื้นผิวขยายสัญญาณรามาน
CN203964616U (zh) 一种条形件烘烤用悬置装夹结构
CN102825637A (zh) 竹木眼镜镜架腿的快速弯曲生产工艺
TH155160A (th) กระบวนการผลิตคาร์บอกซีเมธิลเซลลูโลสภายใต้สภาวะเบสความเข้มข้นต่ำ
TH69883S1 (th) แกนจานล้อคัดท้ายสำหรับอุปกรณ์ต่อพ่วงทางการเกษตร
TH182964S (th) ชิ้นส่วนโครงสร้างรองรับแผงพลังงานแสงอาทิตย์