TH151494A

TH151494A - Barrier to alkali metals SiOC

Info

Publication number: TH151494A
Application number: TH1401002639A
Authority: TH
Inventors: ธูมาเซ็ท; แคลร์; เมลเชอร์; มาร์ติน; อุยญาร์ด; อาร์โนด์; ลันเต; ราฟีล
Original assignee: นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์; นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์; นายบุญมา เตชะวณิช; นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
Filing date: 2012-11-14
Publication date: 2016-05-31

Abstract

DC60 (14/05/57) การประดิษฐ์เกี่ยวข้องกับแผ่นกระจกซึ่งประกอบรวมด้วยซับสเตรตแก้วโปร่งใส ซึ่งมีไอออน ของโลหะแอลคาไลอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด และชั้นโปร่งใสที่ทำด้วยซิลิคอนออกซีคาร์ไบด์ (SiOxCy) ที่มีความหนารวม E พร้อมด้วยมี (a) เขตลึกที่อุดมด้วยคาร์บอน, ซึ่งขยายจากความลึก P3 ไปยัง ความลึก P4, ที่ซึ่งอัตราส่วนโดยอะตอมของ C/Si เป็นมากกว่า หรือเท่ากับ 0.5 และ (b) เขตพื้นผิวที่มี คาร์บอนน้อย, ซึ่งขยายจากความลึก P1 ไปยังความลึก P2, ที่ซึ่งอัตราส่วนโดยอะตอมของ C/Si เป็น น้อยกว่า หรือเท่ากับ 0.4 โดยมี P1 <P2 p ระหว่าง P3และP4ที่แทนที่จาก 10%ถึง70% ของความหนารวม E ของชั้นซิลิคอนออกซีคาร์ไบด์< และ P2 ที่แทนที่จาก 10%ถึง70% ของความหนารวม E ของชั้นซิลิคอนออกซีคาร์ และระยะทาง น้อยกว่าหรือเท่ากับ 0.4โดยมี P1(สูตร)P2(สูตร)P3(สูตร)P4(สูตร)และ(P2-P1)+(P4-P3)(สูตร)Eระยะทางระหว่างP1 Siเป็น คาร์บอนน้อย,ซึ่งขยายจากความลึกP1,ไปยังความลึกP2,ที่ซึ่งอัตราส่วนโดยอะตอมของ C Siเป็นมากกว่าหรือเท่ากับ 0.5และ(b)เขตพื้นผิวที่มี ความลึก P4?ที่ซึ่งอัตราส่วนโดยอะตอมของ C ที่มีความหนารวม E พร้อมด้วยมี(a)เขตลึกที่อุดมด้วยคาร์บอน,ซึ่งขยายจากความลึก P3 ไปยัง ของโลหะแอคาไลอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด และชั้นโปร่งใสที่ทำด้วยซิลิคอนออกซีคาร์ไบด์(SiOxCy) การประดิษฐ์เกี่ยวข้องกับแผ่นกระจกซึ่งประกอบรวมด้วยซับเสตรทแก้วโปร่งใส ซึ่งมีไอออน ของชั้นซิลิคอนออกซีคาร์ไบด์ E ของความหนารวม 70% ถึง 10% ที่แทนจาก P4 และ P3 ระหว่าง และระยะทาง ของชั้นซิลิคอนออกซีคาร์ P2 P1 ระยะทางระหว่าง (P4-P3)<E + (P2-P1) <P4 <P3> DC60 (14/05/14) Invention involves a sheet of glass consisting of a transparent glass substrate containing at least one alkali metal ion. And a transparent layer of silicon oxycarbide (SiOxCy) with a total thickness E with (a) carbon-rich deep zone, which extends from P3 depth to P4 depth, where the ratio Where C / Si atoms are greater than or equal to 0.5 and (b) carbon-less surface zone, which extends from depth P1 to depth P2, where the atomic ratio of C / Si is less than or equal to 0.4. With P1 <P2 p between P3 and P4 displaced from 10% to 70% of the total thickness E of the silicon oxy carbide layer <and P2 replaced from 10% to 70% of the total thickness E of the layer. Silicon oxychar and distance is less than or equal to 0.4, with P1 (formula) P2 (formula) P3 (formula) P4 (formula) and (P2-P1) + (P4-P3) (formula) E distance between P1 Si is the least carbon, which extends from the P1 depth, to the P2 depth, where the atomic ratio of C Si is greater than or equal to. 0.5 and (b) surface zone with depth P4? Where the atomic ratio of C with total thickness E with (a) carbon-rich deep zone, extending from depth P3 to that of metal. At least one type of alkali And a transparent layer made with silicon oxy-carbide (SiOxCy). The fabrication involves a glass sheet consisting of a transparent glass substrate containing an ion of the silicon oxy-carbide layer E of a total thickness of 70%. Up to 10%, that represents P4 and P3, between and the distance of the P2 silicon oxide layer P1, the distance between (P4-P3) <E + (P2-P1) <P4 <P3>.

Claims

1. Glass plate which is composed of a transparent glass substrate. Which contain alkali metal ions At least one of a kind And a transparent layer of silicon oxycarbide (SiOxCy) with a total thickness E with (a) carbon-rich deep zone, which extends from P3 depth to P4 \ 'depth where The atomic ratio of C / Si is greater than or equal to 0.5 and (b) area tags: