TH131366A - การสร้างชั้นเอพิแทกซีของเส้นลวดนาโนบนซับสเตรตแกรไฟต์ - Google Patents
การสร้างชั้นเอพิแทกซีของเส้นลวดนาโนบนซับสเตรตแกรไฟต์Info
- Publication number
- TH131366A TH131366A TH1301003200A TH1301003200A TH131366A TH 131366 A TH131366 A TH 131366A TH 1301003200 A TH1301003200 A TH 1301003200A TH 1301003200 A TH1301003200 A TH 1301003200A TH 131366 A TH131366 A TH 131366A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- nanowire
- substrate
- compound
- group
- composition
- Prior art date
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 5
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 title 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 3
- CMFFRNMPXYSZIX-UHFFFAOYSA-N [C+4] Chemical group [C+4] CMFFRNMPXYSZIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
Abstract
DC60 (06/09/56) องค์ประกอบของสสารที่ประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่งเส้นลวดนาโนบนซับสเตรต เเกรไฟต์ เส้นลวดนาโนอย่างน้อยหนึ่งเส้นดังกล่าวที่ได้เติบโตขึ้นจากการสร้างชั้นเอพิเเทกซีบนซับส เตรตดังกล่าว โดยที่เส้นลวดนาโนดังกล่าวจะประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่งสารประกอบในหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งสารประกอบในหมู่ II-VI หรือประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่งธาตุในหมู่ (IV) ที่ ไม่ใช่คาร์บอน องค์ประกอบของสสารทีป่ระกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่งเส้นลวดนาโนบนซับสเตรต เเกรไฟต์ เส้นลวดนาโนอย่างน้อยหนึ่งเส้นดังกล่าวที่ได้สร้างขึ้นจากการสร้างชั้นเอพิเเทกซีบนซับส เตรตดังกล่าว โดยที่เส้นลวดนาโนดังกล่าวจะประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่งสารประกอบหมู่ III-V หรืออย่างน้อยหนึ่งสารประกอบหมู่ II-VI หรือประกอบด้วย อย่างน้อยหนึ่งส่วนประกอบหมู่ IV ที่ ไม่ใช่คาร์บอน
Claims (1)
1. องค์ประกอบของสสารที่ประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่งเส้นลวดนาโนบนซับสเตรตแกน บน, แกรเฟนหรือแกรบนออกไซด์ ที่มีความหนาจนถึง 20 นาโนเมตร เส้นลวดนาโนอย่างน้อยหนึ่ง เส้นดังกล่าวที่ได้เติบโตขึ้นจากการสร้างชั้นเอพิแทกซีบนซับสเตรตดังกล่าว เพื่อให้การจัดเรียง อะตอมของเส้นลวดนาโนนั้นขึ้นกับโครงสร้างผลึกของซับสเตรต โดยที่เส้นลวดนาโนดังกล่าวจะประกอบรวมด้วย อย่แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH131366A true TH131366A (th) | 2014-02-27 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Optoelectronic properties and applications of graphene-based hybrid nanomaterials and van der Waals heterostructures | |
| Wang et al. | The thermal, electrical and thermoelectric properties of graphene nanomaterials | |
| Tian et al. | Optoelectronic devices based on two-dimensional transition metal dichalcogenides | |
| Kim et al. | Piezoelectric two-dimensional nanosheets/anionic layer heterojunction for efficient direct current power generation | |
| BR112014016868A8 (pt) | dispositivo de nanofios que tem eletrodos superiores e inferiores de grafeno e método de fabricação de tal dispositivo | |
| Park et al. | Hydrothermally grown in-doped ZnO nanorods on p-GaN films for color-tunable heterojunction light-emitting-diodes | |
| Li et al. | Ultrafast interlayer electron transfer in incommensurate transition metal dichalcogenide homobilayers | |
| Islam et al. | Strong tribo-piezoelectric effect in bilayer indium nitride (InN) | |
| WO2010047922A3 (en) | Magnetic nanostructures for tco replacement | |
| TW200741747A (en) | A conductive material with carbon nanotubes, a method for manufacturing the same, and an electric double layer capacitor with the same | |
| Wang et al. | The indirect–direct band gap tuning in armchair MoS2 nanoribbon by edge passivation | |
| GB2526951A9 (en) | Improving metal contacts to group IV semiconductors by inserting interfacial atomic monolayers | |
| Cho et al. | Near-ultraviolet light-emitting diodes with transparent conducting layer of gold-doped multi-layer graphene | |
| FR3006237B1 (fr) | Substrat conducteur electrique sur au moins une de ses faces muni d'un empilement de couches minces pour la croissance de nanotubes de carbone (ntc) | |
| Min et al. | Graphene interlayer for current spreading enhancement by engineering of barrier height in GaN-based light-emitting diodes | |
| Mishra et al. | Enhanced output of ZnO nanosheet-based piezoelectric nanogenerator with a novel device structure | |
| JP2012023348A5 (ja) | 半導体装置 | |
| Brus et al. | 2D nanocomposite photoconductive sensors fully dry drawn on regular paper | |
| US20140147675A1 (en) | Structure and method for a graphene-based apparatus | |
| Feng et al. | Electronic structures and optical properties for Ag-N-codoped ZnO nanotubes | |
| Kan et al. | Ferrimagnetism in zigzag graphene nanoribbons induced by main-group adatoms | |
| TH131366A (th) | การสร้างชั้นเอพิแทกซีของเส้นลวดนาโนบนซับสเตรตแกรไฟต์ | |
| Wang et al. | Is it viable to improve light output efficiency by nano-light-emitting diodes? | |
| Ge et al. | Enhanced performance of photonic crystal GaN light-emitting diodes with graphene transparent electrodes | |
| Dai et al. | Electronic structures of zigzag AlN, GaN nanoribbons and AlxGa1− xN nanoribbon heterojunctions: First-principles study |