TH122217B - วิธีการของการทำเท็กซ์เจอร์พื้นผิวของซับสเตรตซิลิคอน และซับสเตรตซิลิคอนผ่านการทำเท็กซ์เจอร์สำหรับเซลล์สุริยะ - Google Patents
วิธีการของการทำเท็กซ์เจอร์พื้นผิวของซับสเตรตซิลิคอน และซับสเตรตซิลิคอนผ่านการทำเท็กซ์เจอร์สำหรับเซลล์สุริยะInfo
- Publication number
- TH122217B TH122217B TH1201000763A TH1201000763A TH122217B TH 122217 B TH122217 B TH 122217B TH 1201000763 A TH1201000763 A TH 1201000763A TH 1201000763 A TH1201000763 A TH 1201000763A TH 122217 B TH122217 B TH 122217B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- silicon substrate
- solar cells
- silicon
- surface texture
- methods
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract 8
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 3
- 210000004027 cells Anatomy 0.000 abstract 1
Abstract
การประดิษฐ์จัดให้มีวิธีการของการทำเท็กซ์เจอร์พื้นผิวของซับสเตรตซิลิคอนในสถานะใช้ แก๊สและซับสเตรตซิลิคอนผ่านการทำเท็กซ์เจอร์สำหรับเซลล์สุริยะ วิธีกาประกอบรวมด้วย ขั้นตอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งขั้นตอน a) สำหรับการทำให้พิ้นผิวดังกล่าวเผยออกต่อพลาสมาความถี่ วิทยุ SF6/O2 สำหรับคาบในช่วง 2 นาที ถึง 30 นาที เพื่อการผลิตซับสเตรตซิลิคอนที่มีพื้นผิวผ่าน การทำเท็กซ์เจอร์ที่แสดงออกมาซึ่งโครงสร้างรูปพีระมิด โดยอัตราส่วน SF6/O2 อยู่ในช่วง 2 ถึง 10 ตามการประดิษฐ์นั้น ระหว่างขั้นตอน a) ความหนาแน่นกำลังที่ได้รับการก่อเกิดขึ้นมาด้วยพลาสมา ความถี่วิทยุคือ 2500 มิลลิวัตต์/เซนติเมตร2 หรือมากกว่า และความดันของ SF6/O2 ในห้องปฏิกิริยาคือ 100 มิลลิทอร์ หรือน้อยกว่า เพื่อการผลิตซับสเตรตซิลิคอนที่มีพื้นผิวผ่านการทำเท็กซ์เจอร์ซึ่งมี โครงสร้างรูปพีระมิดแบบกลับหัว
Claims (1)
1. วิธีการของการทำเท็กซ์เจอร์พื้นผิวของซับสเตรตซิลิคอนในสถานะใช้แก๊สซึ่งประกอบรวม ด้วยขั้นตอนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งขั้นตอน a) สำหรับการทำให้พื้นผิวดังกล่าวเผยออกต่อพลาสมา ความถี่วิทยุชนิด SF6-O2 ในห้องปฏิกิริยาสำหรับคาบในช่วง 2 นาที ถึง 30 นาที เพื่อการผลิตซับสเตรต ซิลิคอนที่มีพื้นผิวผ่านการทำเท็กซ์เจอร์ที่แสดงออกมาซึ่งโครงสร้างรูปพีระมิด ซึ่งอัตราส่วน SF6/O2 อยู่ในช่วง 2 ถึง 10 ที่มีลักษณะเฉพาะตรงที่ว่า
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH122217A TH122217A (th) | 2013-03-29 |
| TH122217B true TH122217B (th) | 2013-03-29 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2011023894A3 (fr) | Procede de texturation de la surface d'un substrat de silicium et substrat de silicium texture pour cellule solaire | |
| WO2011028349A3 (en) | Remote hydrogen plasma source of silicon containing film deposition | |
| WO2012125654A3 (en) | Methods for etch of metal and metal-oxide films | |
| WO2012125656A3 (en) | Methods for etch of sin films | |
| WO2012013965A9 (en) | Method of producing a light emitting device | |
| WO2013124394A3 (de) | Verfahren zum herstellen einer solarzelle | |
| WO2011112802A3 (en) | Apparatus and methods for cyclical oxidation and etching | |
| WO2011112823A3 (en) | Apparatus and methods for cyclical oxidation and etching | |
| WO2009111665A3 (en) | Use of chained implants in solar cells | |
| SG196762A1 (en) | High pressure, high power plasma activated conformal film deposition | |
| WO2011109266A3 (en) | Method and apparatus for single step selective nitridation | |
| JP2011151394A5 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| PE20120085A1 (es) | Recubrimiento absorbente selectivo solar y metodo de fabricacion | |
| WO2009114281A3 (en) | Smoothing a metallic substrate for a solar cell | |
| WO2012170150A3 (en) | Selective deposition of polymer films on bare silicon instead of oxide surface | |
| WO2008123431A1 (ja) | プラズマ酸化処理方法、プラズマ処理装置、及び、記憶媒体 | |
| TW200715412A (en) | Method and apparatus for forming metal film | |
| SG159484A1 (en) | Method of manufacturing soi substrate | |
| TW201130055A (en) | Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device | |
| WO2013181117A3 (en) | Removal of stressor layer from a spalled layer and method of making a bifacial solar cell using the same | |
| WO2011141516A3 (en) | Method and apparatus to control surface texture modification of silicon wafers for photovoltaic cell devices | |
| WO2011159737A3 (en) | Systems, methods and products involving aspects of laser irradiation, cleaving, and/or bonding silicon-containing material to substrates | |
| JP2017118091A5 (th) | ||
| WO2012061436A3 (en) | Dry etching method of surface texture formation on silicon wafer | |
| WO2013003282A3 (en) | Use of a shadow mask and a soft mask for aligned implants in solar cells |