TH121589A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
TH121589A
TH121589A TH1201001949A TH1201001949A TH121589A TH 121589 A TH121589 A TH 121589A TH 1201001949 A TH1201001949 A TH 1201001949A TH 1201001949 A TH1201001949 A TH 1201001949A TH 121589 A TH121589 A TH 121589A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
circuit
power supply
semiconductors
supply voltage
crystalline silicon
Prior art date
Application number
TH1201001949A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH121589B (en
Inventor
ชิโอโนอิริ นายยูทากะ
โนดะ นายโคเซอิ
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
นายณัฐพล อร่ามเมือง
Filing date
Publication date
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์, นายณัฐพล อร่ามเมือง filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
Publication of TH121589A publication Critical patent/TH121589A/en
Publication of TH121589B publication Critical patent/TH121589B/en

Links

Abstract

DC60 (27/04/55) วัตถุประสงค์ข้อหนึ่งคือเพื่อจัดให้มีอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่ใช้กำลังเตรียมพร้อมน้อยลง โดยที่ ทรานซิสเตอร์ที่มีส่วนที่เป็นวัสดุกึ่งตัวนำชนิดออกไซด์เป็นชั้นไวงานจะถูกใช้เป็นองค์ประกอบสับสวิตช์ และการป้อนแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังไปยังวงจรในวงจรรวมจะถูกควบคุมโดยองค์ประกอบ สับสวิตช์ โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เมื่อวงจรอยู่ในสภาวะปฏิบัติการ การป้อนแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลัง ไปยังวงจรก็จะถูกดำเนินการโดยองค์ประกอบสับสวิตช์และเมื่อวงจรอยู่ในสภาวะหยุด การป้อนแรงดัน ไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังไปยังวงจรก็จะถูกทำให้หยุดลงโดยองค์ประกอบสับสวิตช์ นอกจากนี้วงจรที่ถูก ป้อนด้วยแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังยังมีส่วนที่เป็นองค์ประกอบกึ่งตัวนำซึ่งเป็นหน่วยต่ำสุดที่รวม อยู่ในวงจรรวมที่ถูกสร้างขึ้นโดยใช้อุปกรณ์กึ่งตัวนำ นอกจากนี้ อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่รวมอยู่ในองค์ประกอบ กึ่งตัวนำยังมีซิลิคอนซึ่งมีสภาพผลึก (ซิลิคอนที่มีสภาพผลึก) วัตถุประสงค์ข้อหนึ่งคือเพื่อจัดให้มีอุปกรณ์กึ่งตัวนำที่ใช้กำลังเตรียมพร้อมน้อยลง โดยที่ ทรานซิสเตอร์ที่มีส่วนที่เป็นวัสดุกึ่งตัวนำชนิดออกไซด์เป็นชั้นไวงานจะถูกใช้เป็นองค์ประกอบสับสวิตช์ และการป้อนแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังไปยังวงจรในวงจรรวมจะถูกควบคุมโดยองค์ประกอบ สับสวิตช์ โดยเฉพาะอย่างยิ่ง เมื่อวงจรอยู่ในสภาวะปฏิบัติการ การป้อนแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลัง ไปยังวงจรก็จะถูกดำเนินการโดยองค์ประกอบสับสวิตช์และเมื่อวงจรอยู่ในสภาวะหยุด การป้อนแรงดัน ไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังไปยังวงจรก็จะถูกทำให้หยุดลงโดยองค์ประกอบสับสวิตช์ นอกจากนี้วงจรที่ถูก ป้อนด้วยแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังยังมีส่วนที่เป็นองค์ประกอบกึ่งตัวนำซึ่งเป็นหน่วยต่ำสุดที่รวม อยู่ในวงจรรวมที่ถูกสร้างขึ้นโดยใช้อุปกรณ์กึ่งตัวนำ นอกจากนี้ อุปกรณ์กึ่งตัวนำที่รวมอยู่ในองค์ประกอบ กึ่งตัวนำยังมีซิลิคอนซึ่งมีสภาพผลึก (ซิลิคอนที่มีสภาพผลึก) DC60 (27/04/55) One of its purposes is to provide less power-standby semiconductors where transistors with a sensitive oxide semiconductor component are used as switching elements. And the input of the power supply voltage to the circuits in the integrated circuit is controlled by the switching elements, in particular When the circuit is in operating state Power supply voltage input To the circuit, it is performed by the switching element, and when the circuit is in the stop state Pressure input The power supply to the circuit is stopped by a switching element. In addition, the cycle was Supplied with the power supply voltage, there is also a semiconductor component, the lowest total unit. Are in integrated circuits that are built using semiconductors. In addition, semiconductors are included in the components. Semi-conductors also contain crystalline silicon. (Crystalline silicon) One of its purposes is to provide less power-prepared semiconductors where transistors with active oxide semiconductor substrates are used as switching elements. And the input of the power supply voltage to the circuits in the integrated circuit is controlled by the switching elements, in particular When the circuit is in operating state Power supply voltage input To the circuit, it is performed by the switching element, and when the circuit is in the stop state Pressure input The power supply to the circuit is stopped by a switching element. In addition, the cycle was Supplied with the power supply voltage, there is also a semiconductor component, the lowest total unit. Are in integrated circuits that are built using semiconductors. In addition, semiconductors are included in the components. Semi-conductors also contain crystalline silicon. (Crystalline silicon)

Claims (2)

1. อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วย วงจรที่มีส่วนที่เป็นทรานซิสเตอร์ที่หนึ่ง และ ทรานซิสเตอร์ที่สองที่ถูกจัดโครงแบบเพื่อควบคุมการป้อนแรงดันไฟฟ้าของแหล่งจ่ายกำลังไปยัง วงจร โดยที่บริเวณสร้างช่องของทรานซิสเตอร์ที่หนึ่งจะมีส่วนที่เป็นซิลิคอนซึ่งมีสภาพผลึก และ โดยที่บริเวณสร้างช่องของทรานซิสเตอร์ที่สองจะมีส่วนที่เป็นวัสดุกึ่งตัวนำชนิดออกไซด์1. Semiconductors which consist of A circuit with a first transistor and a second transistor that is configured to control the supply of voltage across the circuit, where the channel generating region of the first transistor has a silicon component. The crystal, and where the channel-forming area of the second transistor has an oxide semiconductor component. 2. อุปกรณ์กึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 1 โดยที่ซิลิคอนซึ่งมีสภาพผลึกจะเป็นซิลิคอนผลึกจิ๋ว, ซิลิคอนสภาพผลึกหลายแท็ก :2.A semiconductor according to claim 1, where crystalline silicon is a tiny crystalline silicon, multi-crystalline silicon:
TH1201001949A 2010-10-06 Semiconductor device TH121589B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH121589A true TH121589A (en) 2013-02-28
TH121589B TH121589B (en) 2013-02-28

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY172111A (en) Semiconductor device
JP2011119671A5 (en)
JP2011519488A5 (en)
JP2011258303A5 (en)
JP2011060876A5 (en) Semiconductor device
JP2014063557A5 (en)
EP2518767A3 (en) Semiconductor device
EP2517355A4 (en) Memory device, semiconductor device, and electronic device
EP2526619A4 (en) Signal processing circuit and method for driving the same
JP2011100532A5 (en)
EP2665188A3 (en) Output module for industrial control with sink and source capability and low heat dissipation
JP2012009832A5 (en) Semiconductor device
JP2014007386A5 (en) Semiconductor device
JP2012078798A5 (en)
TWI542984B (en) Power switching circuit
JP2003324158A5 (en)
JP2013527930A5 (en)
JP2012256031A5 (en)
JP2015047061A5 (en)
JP2005322899A5 (en)
JP2012070363A5 (en)
WO2008070510A3 (en) High speed, leakage tolerant, double bootstrapped multiplexer circuit with high voltage isolation
JP2009165114A5 (en)
JP2012257208A5 (en)
ATE467950T1 (en) CONTROLLING A POWER SEMICONDUCTOR SWITCH