TH118692A - อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ซึ่งประกอบด้วยชั้นที่มีส่วนประกอบหลักเป็นแกรฟีน (ตั้งแต่หนึ่งชั้นขึ้นไป) และ/หรือวิธีการทำสิ่งเดียวกันนี้ - Google Patents
อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ซึ่งประกอบด้วยชั้นที่มีส่วนประกอบหลักเป็นแกรฟีน (ตั้งแต่หนึ่งชั้นขึ้นไป) และ/หรือวิธีการทำสิ่งเดียวกันนี้Info
- Publication number
- TH118692A TH118692A TH1201000434A TH1201000434A TH118692A TH 118692 A TH118692 A TH 118692A TH 1201000434 A TH1201000434 A TH 1201000434A TH 1201000434 A TH1201000434 A TH 1201000434A TH 118692 A TH118692 A TH 118692A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- graphene
- thin film
- doped
- transferred
- film
- Prior art date
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 13
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract 6
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 4
- 101100532679 Caenorhabditis elegans scc-1 gene Proteins 0.000 abstract 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 abstract 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 abstract 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 abstract 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 abstract 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (03/02/55) รูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะของการประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับการใช้แกรฟีนเป็นสาร เคลือบที่เป็นตัวนำแบบโปร่งใส (TCC) ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะนั้น ฟิล์มขนาดบางที่ เป็นแกรฟีนที่มีปริมาตรเพิ่มขึ้นบนพื้นที่ขนาดใหญ่ในลักษณะเฮเทโรเอพิแทกซี ตัวอย่างเช่น บนฟิล์ม ขนาดบางของตัวเร่งปฏิกิริยาจากก๊าซไฮโดรคาร์บอน (ตัวอย่างเช่น CoH2, CH4 หรือสารที่คล้ายกันนี้) ฟิล์มขนาดบางที่เป็นแกรฟีนของรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะอาจถูกเจือสารหรือไม่ถูกเจือสาร ก็ได้ ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะนั้น หลังจากที่มีการสร้างฟิล์มขนาดบางที่เป็นแกรฟีนขึ้น มาแล้ว ฟิล์มดังกล่าวก็อาจถูกยกขึ้นจากฐานรองที่เป็นชิ้นส่วนติดตั้งของฟิล์มดังกล่าวและถูกถ่ายโอน ไปยังฐานรองสำหรับรับ ตัวอย่างเช่น เพื่อให้รวมอยู่ในผลิตผลช่วงกลางหรือสุดท้ายก็ได้ แกรฟีนที่ถูก ปลูก, ถูกยกขึ้นและถูกถ่ายโอนไปในลักษณะเช่นนี้อาจแสดงความต้านทานของแผ่นวัสดุได้ในระดับ ต่ำ (ตัวอย่างเช่น น้อยกว่า 150 โอห์ม/ตารางหน่วยและต่ำกว่านี้เมื่อถูกเจือสารก็ได้) และแสดงค่าการ ส่งผ่านในระดับสูง (ตัวอย่างเช่น อย่างน้อยในสเปกตรัมในช่วงที่มองเห็นได้และช่วงอินฟราเรด) รูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะของการประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับการใช้แกรฟีนเป็นสาร เคลือบที่เป็นตัวนำแบบโปร่งใส (TCC) ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะนั้น ฟิล์มขนาดบางที่ เป็นแกรฟีนที่มีปริมาตรเพิ่มขึ้นบนพื้นที่ขนาดใหญ่ในลักษณะเฮเทโรเอพิแทกซี ตัวอย่างเช่น บนฟิล์ม ขนาดบางของตัวเร่งปฏิกิริยาจากก๊าซไฮโดรคาร์บอน (ตัวอย่างเช่น CoH2, CH4 หรือสารที่คล้ายกันนี้) ฟิล์มขนาดบางที่เป็นแกรฟีนของรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะอาจถูกเจือสารหรือไม่ถูกเจือสาร ก็ได้ ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะนั้น หลังจากที่มีการสร้างฟิล์มขนาดบางที่เป็นแกรฟีนขึ้น มาแล้ว ฟิล์มดังกล่าวก็อาจถูกยกขึ้นจากฐานรองที่เป็นชิ้นส่วนติดตั้งของฟิล์มดังกล่าวและถูกถ่ายโอน ไปยังฐานรองสำหรับ รับตัวอย่างเช่น เพื่อให้รวมอยู่ในผลิตผลช่วงกลางหรือสุดท้ายก็ได้ แกรฟีนที่ถูก ปลูก, ถูกยกขึ้นและถูกถ่ายโอนไปในลักษณะเช่นนี้อาจแสดงความต้านทานของแผ่นวัสดุได้ในระดับ ต่ำ (ตัวอย่างเช่น น้อยกว่า 150 โอห์ม/ตารางหน่วยและต่ำกว่านี้เมื่อถูกเจือสารก็ได้) และแสดงค่าการ ลงผ่านในระดับสูง (ตัวอย่างเช่นอย่างน้อยในสเปกตรัมในช่วงที่มองเห็นได้และช่วงอินฟราเรด)
Claims (1)
1. โซลาร์เซลล์ซึ่งประกอบด้วย ฐานรองที่เป็นแก้ว ชั้นที่เป็นตัวนำที่หนึ่งซึ่งมีส่วนประกอบหลักเป็นแกรฟีนจะถูกกำหนดตำแหน่งให้อยู่บน ฐานรองที่เป็นแก้วโดยตรงหรือโดยอ้อม ชั้นสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งซึ่งมาสัมผัสกับชั้นที่เป็นตัวนำที่หนึ่งซึ่งมีส่วนประกอบหลักเป็นแก รฟีนดังกล่าว ชั้นซึมซับอย่างน้อยหนึ่งชั้นซึ่งถูกกำหนดตำแหน่งให้อยู่บนชั้นสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งโดยตรง หรือโดยอ้อม ชั้นสารกึ่งตัวนำที่สองซึ่งถูกกำหนดตำแหน่งให้อยู่บนชแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH118692A true TH118692A (th) | 2012-12-27 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| MX2012001602A (es) | Dispositivo electronico que incluye capa(s) basada(s) en grafeno y/o metodo para fabricar el mismo. | |
| Choi et al. | Reduced water vapor transmission rate of graphene gas barrier films for flexible organic field-effect transistors | |
| Pathak et al. | Effect of dimethyl sulfoxide on the electrical properties of PEDOT: PSS/n-Si heterojunction diodes | |
| WO2007018934A3 (en) | Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles | |
| EP2690683A3 (en) | Transparent conductive oxide thin film substrate, method of fabricating the same, and organic light-emitting device and photovoltaic cell having the same | |
| WO2010002515A3 (en) | Low-cost substrates having high-resistivity properties and methods for their manufacture | |
| Orak et al. | Electrical and dielectric characterization of Au/ZnO/n–Si device depending frequency and voltage | |
| EP1914808A3 (en) | Solar cell structure with localized doping of cap layer | |
| WO2012129511A3 (en) | Semiconducting compounds and devices incorporating same | |
| EP2113946A3 (en) | Compositionally-graded and structurally-graded photovoltaic devices and methods of fabricating such devices | |
| WO2009088821A3 (en) | Electrochromic device | |
| HK1213568A1 (zh) | 用於电化学分析的检测装置 | |
| EP2365546A3 (en) | Light emitting device and light emitting device package | |
| SG178974A1 (en) | Semiconductor substrate, method for producing semiconductor substrate, substrate for semiconductor growth, method for producing substrate for semiconductor growth, semiconductor element, light-emitting element, display panel, electronic element, solar cell element, and electronic device | |
| JP2013021296A5 (th) | ||
| RU2011153746A (ru) | Способ повышения проводящих и оптических свойств осажденных тонких пленок оксида индия-олова (ito) | |
| EP2533280A3 (en) | Semiconductor device | |
| WO2010105140A3 (en) | Electrically conductive polymer compositions for coating applications | |
| MY167301A (en) | Semiconductor device and method for producing same | |
| US20160268479A1 (en) | Multi-layered transparent electrode having metal nano hole pattern layer | |
| Yang et al. | Three-dimensional graphene network-based chemical sensors on paper substrate | |
| Yoon et al. | Highly stretchable, conductive polymer electrodes with a mixed AgPdCu and PTFE network interlayer for stretchable electronics | |
| WO2008121997A3 (en) | Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates | |
| Lee et al. | Influence of ZnO buffer layer thickness on the electrical and optical properties of indium zinc oxide thin films deposited on PET substrates | |
| WO2010036776A3 (en) | Thin film electronic devices with conductive and transparent gas and moisture permeation barriers |