TH118692A - อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ซึ่งประกอบด้วยชั้นที่มีส่วนประกอบหลักเป็นแกรฟีน (ตั้งแต่หนึ่งชั้นขึ้นไป) และ/หรือวิธีการทำสิ่งเดียวกันนี้ - Google Patents

อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ซึ่งประกอบด้วยชั้นที่มีส่วนประกอบหลักเป็นแกรฟีน (ตั้งแต่หนึ่งชั้นขึ้นไป) และ/หรือวิธีการทำสิ่งเดียวกันนี้

Info

Publication number
TH118692A
TH118692A TH1201000434A TH1201000434A TH118692A TH 118692 A TH118692 A TH 118692A TH 1201000434 A TH1201000434 A TH 1201000434A TH 1201000434 A TH1201000434 A TH 1201000434A TH 118692 A TH118692 A TH 118692A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
graphene
thin film
doped
transferred
film
Prior art date
Application number
TH1201000434A
Other languages
English (en)
Inventor
เอส. วีราซามี นายวิจาเยน
Original Assignee
นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
นายณัฐพล อร่ามเมือง
Filing date
Publication date
Application filed by นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์, นายณัฐพล อร่ามเมือง filed Critical นางดารานีย์ วัจนะวุฒิวงศ์
Publication of TH118692A publication Critical patent/TH118692A/th

Links

Abstract

DC60 (03/02/55) รูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะของการประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับการใช้แกรฟีนเป็นสาร เคลือบที่เป็นตัวนำแบบโปร่งใส (TCC) ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะนั้น ฟิล์มขนาดบางที่ เป็นแกรฟีนที่มีปริมาตรเพิ่มขึ้นบนพื้นที่ขนาดใหญ่ในลักษณะเฮเทโรเอพิแทกซี ตัวอย่างเช่น บนฟิล์ม ขนาดบางของตัวเร่งปฏิกิริยาจากก๊าซไฮโดรคาร์บอน (ตัวอย่างเช่น CoH2, CH4 หรือสารที่คล้ายกันนี้) ฟิล์มขนาดบางที่เป็นแกรฟีนของรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะอาจถูกเจือสารหรือไม่ถูกเจือสาร ก็ได้ ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะนั้น หลังจากที่มีการสร้างฟิล์มขนาดบางที่เป็นแกรฟีนขึ้น มาแล้ว ฟิล์มดังกล่าวก็อาจถูกยกขึ้นจากฐานรองที่เป็นชิ้นส่วนติดตั้งของฟิล์มดังกล่าวและถูกถ่ายโอน ไปยังฐานรองสำหรับรับ ตัวอย่างเช่น เพื่อให้รวมอยู่ในผลิตผลช่วงกลางหรือสุดท้ายก็ได้ แกรฟีนที่ถูก ปลูก, ถูกยกขึ้นและถูกถ่ายโอนไปในลักษณะเช่นนี้อาจแสดงความต้านทานของแผ่นวัสดุได้ในระดับ ต่ำ (ตัวอย่างเช่น น้อยกว่า 150 โอห์ม/ตารางหน่วยและต่ำกว่านี้เมื่อถูกเจือสารก็ได้) และแสดงค่าการ ส่งผ่านในระดับสูง (ตัวอย่างเช่น อย่างน้อยในสเปกตรัมในช่วงที่มองเห็นได้และช่วงอินฟราเรด) รูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะของการประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับการใช้แกรฟีนเป็นสาร เคลือบที่เป็นตัวนำแบบโปร่งใส (TCC) ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะนั้น ฟิล์มขนาดบางที่ เป็นแกรฟีนที่มีปริมาตรเพิ่มขึ้นบนพื้นที่ขนาดใหญ่ในลักษณะเฮเทโรเอพิแทกซี ตัวอย่างเช่น บนฟิล์ม ขนาดบางของตัวเร่งปฏิกิริยาจากก๊าซไฮโดรคาร์บอน (ตัวอย่างเช่น CoH2, CH4 หรือสารที่คล้ายกันนี้) ฟิล์มขนาดบางที่เป็นแกรฟีนของรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะอาจถูกเจือสารหรือไม่ถูกเจือสาร ก็ได้ ในรูปลักษณ์ที่เป็นตัวอย่างบางลักษณะนั้น หลังจากที่มีการสร้างฟิล์มขนาดบางที่เป็นแกรฟีนขึ้น มาแล้ว ฟิล์มดังกล่าวก็อาจถูกยกขึ้นจากฐานรองที่เป็นชิ้นส่วนติดตั้งของฟิล์มดังกล่าวและถูกถ่ายโอน ไปยังฐานรองสำหรับ รับตัวอย่างเช่น เพื่อให้รวมอยู่ในผลิตผลช่วงกลางหรือสุดท้ายก็ได้ แกรฟีนที่ถูก ปลูก, ถูกยกขึ้นและถูกถ่ายโอนไปในลักษณะเช่นนี้อาจแสดงความต้านทานของแผ่นวัสดุได้ในระดับ ต่ำ (ตัวอย่างเช่น น้อยกว่า 150 โอห์ม/ตารางหน่วยและต่ำกว่านี้เมื่อถูกเจือสารก็ได้) และแสดงค่าการ ลงผ่านในระดับสูง (ตัวอย่างเช่นอย่างน้อยในสเปกตรัมในช่วงที่มองเห็นได้และช่วงอินฟราเรด)

Claims (1)

1. โซลาร์เซลล์ซึ่งประกอบด้วย ฐานรองที่เป็นแก้ว ชั้นที่เป็นตัวนำที่หนึ่งซึ่งมีส่วนประกอบหลักเป็นแกรฟีนจะถูกกำหนดตำแหน่งให้อยู่บน ฐานรองที่เป็นแก้วโดยตรงหรือโดยอ้อม ชั้นสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งซึ่งมาสัมผัสกับชั้นที่เป็นตัวนำที่หนึ่งซึ่งมีส่วนประกอบหลักเป็นแก รฟีนดังกล่าว ชั้นซึมซับอย่างน้อยหนึ่งชั้นซึ่งถูกกำหนดตำแหน่งให้อยู่บนชั้นสารกึ่งตัวนำที่หนึ่งโดยตรง หรือโดยอ้อม ชั้นสารกึ่งตัวนำที่สองซึ่งถูกกำหนดตำแหน่งให้อยู่บนชแท็ก :
TH1201000434A 2010-07-16 อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ซึ่งประกอบด้วยชั้นที่มีส่วนประกอบหลักเป็นแกรฟีน (ตั้งแต่หนึ่งชั้นขึ้นไป) และ/หรือวิธีการทำสิ่งเดียวกันนี้ TH118692A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH118692A true TH118692A (th) 2012-12-27

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MX2012001602A (es) Dispositivo electronico que incluye capa(s) basada(s) en grafeno y/o metodo para fabricar el mismo.
Choi et al. Reduced water vapor transmission rate of graphene gas barrier films for flexible organic field-effect transistors
Pathak et al. Effect of dimethyl sulfoxide on the electrical properties of PEDOT: PSS/n-Si heterojunction diodes
WO2007018934A3 (en) Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles
EP2690683A3 (en) Transparent conductive oxide thin film substrate, method of fabricating the same, and organic light-emitting device and photovoltaic cell having the same
WO2010002515A3 (en) Low-cost substrates having high-resistivity properties and methods for their manufacture
Orak et al. Electrical and dielectric characterization of Au/ZnO/n–Si device depending frequency and voltage
EP1914808A3 (en) Solar cell structure with localized doping of cap layer
WO2012129511A3 (en) Semiconducting compounds and devices incorporating same
EP2113946A3 (en) Compositionally-graded and structurally-graded photovoltaic devices and methods of fabricating such devices
WO2009088821A3 (en) Electrochromic device
HK1213568A1 (zh) 用於电化学分析的检测装置
EP2365546A3 (en) Light emitting device and light emitting device package
SG178974A1 (en) Semiconductor substrate, method for producing semiconductor substrate, substrate for semiconductor growth, method for producing substrate for semiconductor growth, semiconductor element, light-emitting element, display panel, electronic element, solar cell element, and electronic device
JP2013021296A5 (th)
RU2011153746A (ru) Способ повышения проводящих и оптических свойств осажденных тонких пленок оксида индия-олова (ito)
EP2533280A3 (en) Semiconductor device
WO2010105140A3 (en) Electrically conductive polymer compositions for coating applications
MY167301A (en) Semiconductor device and method for producing same
US20160268479A1 (en) Multi-layered transparent electrode having metal nano hole pattern layer
Yang et al. Three-dimensional graphene network-based chemical sensors on paper substrate
Yoon et al. Highly stretchable, conductive polymer electrodes with a mixed AgPdCu and PTFE network interlayer for stretchable electronics
WO2008121997A3 (en) Formation of photovoltaic absorber layers on foil substrates
Lee et al. Influence of ZnO buffer layer thickness on the electrical and optical properties of indium zinc oxide thin films deposited on PET substrates
WO2010036776A3 (en) Thin film electronic devices with conductive and transparent gas and moisture permeation barriers