TH102908A - กระบวนการสำหรับการผลิตอุปกรณ์ซึ่งเก็บรับวัสดุออกฤทธิ์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดโดยการตกสะสมของโลหะเจือจุดหลอมเหลวต่ำ - Google Patents

กระบวนการสำหรับการผลิตอุปกรณ์ซึ่งเก็บรับวัสดุออกฤทธิ์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดโดยการตกสะสมของโลหะเจือจุดหลอมเหลวต่ำ

Info

Publication number
TH102908A
TH102908A TH501006168A TH0501006168A TH102908A TH 102908 A TH102908 A TH 102908A TH 501006168 A TH501006168 A TH 501006168A TH 0501006168 A TH0501006168 A TH 0501006168A TH 102908 A TH102908 A TH 102908A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
deposition
active material
melting point
low melting
manufacturing equipment
Prior art date
Application number
TH501006168A
Other languages
English (en)
Other versions
TH102908B (th
Inventor
ซัลวาโก นายจิโอวานนี่
มาร์เทลลี นายดาเนียล
ปิโซนี่ นายลูเซียโน
โคราซซ่า นายอเลสซิโอ
Original Assignee
แซส เก็ตเตอร์ส เอสพีเอ
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายบุญมา เตชะวณิช
Filing date
Publication date
Application filed by แซส เก็ตเตอร์ส เอสพีเอ, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายบุญมา เตชะวณิช filed Critical แซส เก็ตเตอร์ส เอสพีเอ
Publication of TH102908B publication Critical patent/TH102908B/th
Publication of TH102908A publication Critical patent/TH102908A/th

Links

Abstract

DC60 (23/03/49) กระบวนการสำหรับการผลิตอุปกรณ์ (21,21') ซึ่งเก็บรับวัสดุออกฤทธิ์จะได้รับการบรรยาย โดยมีพื้นฐานอยู่บนการตกสะสมแบบต่อเนื่องของชิ้นแถบโลหะจุดหลอมเหลวต่ำในสถานะของเหลว ไปบนแถวยาว (1') ซึ่งเป็นตาข่ายโลหะหรือโลหะแผ่นที่ผ่านการยืดดึงและทำให้มีรอยปรุขนาด ไมโคร โดยที่พื้นผิวได้ผ่านการปฏิบัติมาล่วงหน้า (2) ตัวอย่างเช่น โดยวิถีทางของการลดออกซิเดชัน และถ้าจะให้ดีแล้วได้รับการเตรียมสำหรับการตัดแบบต่อเนื่องตามกันในส่วนประกอบเดี่ยวหรือ อุปกรณ์ที่มีวัสดุออกฤทธิ์ การตกสะสม (3) สามารถเกิดขึ้นโดยการจุ่มเข้าไปในคลื่นแลมินาร์หรือเข้า ไปในลำพุ่งแบบคงที่ โดยการพ่นฝอยหยดขนาดเล็กหรือโดยการทำให้เกิดการกระจายตัวของ ของเหลว

Claims (1)

1. : DC60 (23/03/49) กระบวนการสำหรับการผลิตอุปกรณ์ (21,21\') ซึ่งเก็บรับวัสดุออกฤทธิ์จะได้รับการบรรยาย โดยมีพื้นฐานอยู่บนการตกสะสมแบบต่อเนื่องของชิ้นแถบโลหะจุดหลอมเหลวต่ำในสถานะของเหลว ไปบนแถวยาว (1\') ซึ่งเป็นตาข่ายโลหะหรือโลหะแผ่นที่ผ่านการยืดดึงและทำให้มีรอยปรุขนาด ไมโคร โดยที่พื้นผิวได้ผ่านการปฏิบัติมาล่วงหน้า (2) ตัวอย่างเช่น โดยวิถีทางของการลดออกซิเดชัน และถ้าจะให้ดีแล้วได้รับการเตรียมสำหรับการตัดแบบต่อเนื่องตามกันในส่วนประกอบเดี่ยวหรือ อุปกรณ์ที่มีวัสดุออกฤทธิ์ การตกสะสม (3) สามารถเกิดขึ้นโดยการจุ่มเข้าไปในคลื่นแลมินาร์หรือเข้า ไปในลำพุ่งแบบคงที่ โดยการพ่นฝอยหยดขนาดเล็กหรือโดยการทำให้เกิดการกระจายตัวของ ของเหลว ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แท็ก :
TH501006168A 2005-12-26 กระบวนการสำหรับการผลิตอุปกรณ์ซึ่งเก็บรับวัสดุออกฤทธิ์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดโดยการตกสะสมของโลหะเจือจุดหลอมเหลวต่ำ TH102908A (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH102908B TH102908B (th) 2010-07-30
TH102908A true TH102908A (th) 2010-07-30

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2600737T3 (es) Absorción de líquidos por materiales estructurales organometálicos
WO2009049072A3 (en) Multiple sheath multiple capillary aerosol jet
EP1895580A4 (en) LAYER COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR, THIS USE SEMICONDUCTOR EQUIPMENT AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR EQUIPMENT
TW200710929A (en) Semiconductor chip with coil element over passivation layer
WO2006099156A3 (en) Thin film production method and apparatus
WO2004061994A3 (en) Methods of fabricating devices by low pressure cold welding
EP1657739A3 (en) Semiconductor composite apparatus, method for manufacturing it, LED employing it and display employing the LED.
EP1862298A4 (en) METAL SUBSTRATE / METAL-IMPREGNATED CARBON FABRIC MATERIAL STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING THE STRUCTURE
EP1898267A4 (en) METHOD FOR PRODUCING A LIQUID DEVELOPER AND LIQUID DEVELOPER MADE IN THIS METHOD
RU2012105561A (ru) Абразивное изделие, имеющее линию пониженного сопротивления
EP1976004A4 (en) SEMICONDUCTOR ELEMENT BRUSH SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT THEREFOR AND PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR ELEMENT ANBRING SUBSTRATE
TW200713597A (en) Thin film conductor and method of fabrication
DK1184474T3 (da) Fremgangsmåde til fremstilling af meget tynde bånd i aluminium-jern-legering
WO2009004376A3 (en) Semiconductor device structure and method of manufacture thereof
TW200725194A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
TH102908A (th) กระบวนการสำหรับการผลิตอุปกรณ์ซึ่งเก็บรับวัสดุออกฤทธิ์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดโดยการตกสะสมของโลหะเจือจุดหลอมเหลวต่ำ
TW200702856A (en) Copper wire or copper electrode protected by silver thin layer and liquid crystal display device having the wire or electrode
ATE483353T1 (de) Druckschablone eines smt-prozesses und verfahren zu ihrer beschichtung
EP2412232A3 (en) Low pungency, long day onion
PL1940569T3 (pl) Sposób wytwarzania ostrzy maszynki do golenia
DE602004005045D1 (de) Dünne bänder oder bleche aus einer al-fe-si-legierung
TW200639272A (en) Process for manufacturing devices carrying at least one active material by deposition of a low-melting alloy
EP1748497A3 (en) Silicon carbon germanium (SiCGe) substrate for a group III nitride-based device
TW200500162A (en) Brazing abrasive wire saw and method for producing the same
EP1720071A3 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method