SU999179A2 - Microtron - Google Patents

Microtron Download PDF

Info

Publication number
SU999179A2
SU999179A2 SU813335855A SU3335855A SU999179A2 SU 999179 A2 SU999179 A2 SU 999179A2 SU 813335855 A SU813335855 A SU 813335855A SU 3335855 A SU3335855 A SU 3335855A SU 999179 A2 SU999179 A2 SU 999179A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
injector
current
electrons
microtron
cathode
Prior art date
Application number
SU813335855A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Игорь Всеволодович Алексеев
Александр Анатольевич Вишневский
Владимир Иванович Голубев
Виктор Петрович Степанчук
Original Assignee
Научно-Исследовательский Институт Механики И Физики При Саратовском Ордена Трудового Красного Знамени Государственном Университете Им.Н.Г.Чернышевского
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-Исследовательский Институт Механики И Физики При Саратовском Ордена Трудового Красного Знамени Государственном Университете Им.Н.Г.Чернышевского filed Critical Научно-Исследовательский Институт Механики И Физики При Саратовском Ордена Трудового Красного Знамени Государственном Университете Им.Н.Г.Чернышевского
Priority to SU813335855A priority Critical patent/SU999179A2/en
Application granted granted Critical
Publication of SU999179A2 publication Critical patent/SU999179A2/en

Links

Landscapes

  • Particle Accelerators (AREA)

Description

(54) МИКРОТРОН(54) MICROTRON

1one

Изобретение относитс  к ускорительг ной технике и может быть использованопри разработке микротронов.The invention relates to an accelerator technique and can be used in the development of microtrons.

По основному авт. св. № 898628 известен микротрон, содержащий магнит и резонатор, с общей медианной плоскостью и отверстием дл  инжекиии в резонаторе , а также расположенный вне резонатора инжектор-группирователь, ось которого ориентирована перпендикул рно JQ медианной плоскости микротрона, а микроттрон снабжен парой отклон ющих электродов , расположенных в месте пересечени  указанных оси и плоскости напротив отверсти  дл  инжекдни в резонаторе, is при этом средн   плоскость отклон юших электродов совмещена со взаимно перпендикул рными ос ми инжектора-группиро- вател  и отверсти  дл  инжекции в резонаторе f 11 .V 20According to the main author. St. No. 898628 is known a microtron containing a magnet and a resonator, with a common median plane and a hole for injection in the resonator, as well as an injector-grouper located outside the resonator, the axis of which is oriented perpendicular to JQ of the median plane of the microtron, and the microtron has a pair of deflecting electrodes located in the intersection of the indicated axes and the plane opposite the hole for the injector in the resonator, is at the same time the median plane of the deviating electrodes is aligned with the mutually perpendicular axes of the injector-group ers pyro- and openings for injection into the cavity 11 f .V 20

В этом микротроне могут быть реализованы все известные режимы ускорени , однако дл  получени  достаточно высоких токов ускоренного пучка инжекторгруппирователь должен формировать электронный поток с плотност ми тока в дес тки и сотни ампер с квадратного сантиметра . При этом термокатод - источник ускор емых электронов - работает в форсированном режиме и имеет неудовлечуворительный низкий срок службы.In this microtron, all known acceleration modes can be realized; however, to obtain sufficiently high currents of the accelerated beam, the injector group must generate an electron flow with current densities of tens and hundreds of amperes per square centimeter. In this case, the thermal cathode, the source of accelerated electrons, works in the forced mode and has an unsatisfactory low service life.

Целью изобретени  5шл етс  увеличение срока службы катода инжектора-группировател .The aim of the invention is to increase the service life of the cathode of the injector-grouper.

Указанна  цель достигаетс  тем, что в микротрон введена планка из вещества с коэффициентом вторично-электронной эмиссии на прострел больше единицы, расположенна  в плоскости внутренней поверхности стенки резонатора и закрывающа  отверстие дл  инжекпии.This goal is achieved by inserting a strap of a substance with a secondary electron emission coefficient per chamber more than one into the microtron, located in the plane of the inner surface of the resonator wall and closing the injection hole.

На чертеже изображен микротрон, разрез в медианной плоскости.The drawing shows a microtron, cut in the median plane.

Claims (1)

Микротрое содержит резонатор 1 с отверстием 2 дли инжекции, инжекторгруппироватепь 3, например, клистронного типа, систему 4 отклон ющих элек тродов и пленку 5 из вещества с коэффициентом вторично-электронной эмиссии на прострел больше единицы, расположен ную в плоскости, ограничивакшей полост резонатора 1, перпендикул рную отверс ТИК) 2 и полностью его закрьшающую. Кроме того, на чертеже показаны траектори  электронного потока 6, формируемого инжектором-группирователем 3, траектори  ускор емых электронов 7, а также направление ведущего магнитного пол  микротрона В . Устройство работает следующим обра зом. Инжектор-грУппирователь 3 формируе промодулированный по плотности электронный поток 6, который под действием скрещенных электрических полей системы 4 отклон ющих электродов и §едущего магнитного пол  микротрона В дре фует вдоль направлени  оси У резона тора 1 и бомбардирует пленку 5 вещест ва с коэффициентом вторичной эмиссии на прострел GV 1. В результате происходит умножение электронного потока в (У раз, т.е. во столько же раз увеличиваетс  амплитуда тока инжектируемьгх электронов. Поскольку процесс вторично-электрон ной эмиссии можно считать безынерционным по сравшнию с периодом СВЧ пол  микротрона, -зависимость тока инжектируемых электронов от времени при этом будет повтор ть аналогичную зависимость тока бомбардирующих пленку 5 электронов 6. Таким образом, при сохранении величины тока пуска ускоренных электронов 9 94 Т амплитуду тока бомбардирующих пл.внку 5 электронов 6 нужно уменьшить примерно в (У раз, что при фиксированных поперечных размерах пучка 6 эквивалентно соответствукшему уменьшению плотности токоотбора с катода инжекторагруппировател . Это позволит, в свою очередь, снизить рабочую температуру катода и увеличить срок его службы, а это открывает возможности увеличени  времени непр ерьгоной работы микротрона без замены катода инжектора-группиро- вател  3. Кроме того, уменьшение плотности тока в электронном пучке 6, формируемом инжектором-группирователем 3, облегчает группировку электронов по плотности, так как уменьшаетс  цействие пространственного зар да, что приводит к дополнительному улучшению характеристик ускорител . Формула изобретени  Микротрон по авт. св. М 898628, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  срока службы катода инжектора-группировател , в него введена пленка из вещества с коэффициентом вторично-электронной эмиссии на прострел больше единицы, расположенна  в плоскости внутренней поверхности стенки резонатора и закрывающа  отверстие дл  инжекции. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1„ Авторское свидетельство СССР № 898628, кл. Н 05 Н 7/00, 1980.The microroe contains a resonator 1 with an injection hole 2, an injection group 3, for example, a klystron type, a system 4 of deflecting electrodes and a film 5 of a substance with a secondary electron emission coefficient per chamber greater than one, located in the plane limited by the cavity cavity 1, perpendicular to the opening of the TEC) 2 and its full crack. In addition, the drawing shows the trajectories of the electron beam 6 formed by the injector grouping 3, the trajectories of the accelerated electrons 7, as well as the direction of the leading magnetic field of the microtron B. The device works as follows. The injector-grinder 3 forms a density-modulated electron beam 6, which, under the action of crossed electric fields of the system 4 of deflecting electrodes and the driving magnetic field of the microtron, drifts along the axis direction U of the resonator 1 and bombards the film 5 of the substance with the secondary emission coefficient on chamber GV 1. As a result, the electron flux multiplies by (U times, i.e., the current amplitude of the injected electrons increases by the same time. Since the secondary electron emission process can to assume that the current of the injected electrons is dependent on the time of the microwave field of the microtron as inertia-free with the period of the microwave field repeats the same dependence of the current of the 5 electrons bombarding the film 6. Thus, while maintaining the starting current of the accelerated electrons, the current amplitude of the bombarding current of the square will be 5 electrons 6 need to be reduced approximately by (Y times, that for fixed transverse dimensions of the beam 6 is equivalent to a corresponding decrease in the current collector density from the cathode of the injector grouping. This, in turn, will reduce the operating temperature of the cathode and increase its service life, and this opens up the possibility of increasing the non-breakdown time of the microtron without replacing the cathode of the injector-grouper 3. In addition, reducing the current density in the electron beam 6 formed by the injector - by the grouper 3, facilitates the grouping of electrons by density, since the effect of spatial charge decreases, which leads to an additional improvement of the accelerator characteristics. The invention formula Mikrotron on author. St. M 898628, characterized in that, in order to increase the life of the cathode of the injector-buncher, a film of a substance with a secondary electron emission coefficient per chamber greater than one is inserted into it, located in the plane of the inner surface of the resonator wall and closing the injection hole. Sources of information taken into account in the examination 1 "USSR Author's Certificate No. 898628, cl. H 05 H 7/00, 1980.
SU813335855A 1981-09-09 1981-09-09 Microtron SU999179A2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813335855A SU999179A2 (en) 1981-09-09 1981-09-09 Microtron

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813335855A SU999179A2 (en) 1981-09-09 1981-09-09 Microtron

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU898628 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU999179A2 true SU999179A2 (en) 1983-02-23

Family

ID=20976030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813335855A SU999179A2 (en) 1981-09-09 1981-09-09 Microtron

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU999179A2 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6847168B1 (en) Electron gun for a multiple beam klystron using magnetic focusing with a magnetic field corrector
CA2081005C (en) Plasma accelerator with closed electron drift
US4163151A (en) Separated ion source
Skowron The continuous-cathode (emitting-sole) crossed-field amplifier
JP3716700B2 (en) Ion source and operation method thereof
US5537005A (en) High-current, low-pressure plasma-cathode electron gun
JPH03501074A (en) Electromagnetic radiation generator and high current electron gun
JPH0360139B2 (en)
US4641031A (en) Ion source apparatus
KR20070099561A (en) Electron injection in ion implanter magnets
US4608513A (en) Dual filament ion source with improved beam characteristics
EP0261198B1 (en) Plasma-anode electron gun
US6147447A (en) Electronic gun for multibeam electron tube and multibeam electron tube with the electron gun
JPH03500221A (en) Improved plasma wave tube
SU999179A2 (en) Microtron
JP3079869B2 (en) Ion source
GB1070529A (en) Electron gun
US4939425A (en) Four-electrode ion source
US6633129B2 (en) Electron gun having multiple transmitting and emitting sections
US3274430A (en) Biased-gap klystron
ES8306305A1 (en) Neutron accelerator tube having improved ionization section
JP3010978B2 (en) Ion source device
US4445070A (en) Electron gun for producing spiral electron beams and gyrotron devices including same
Yonezawa et al. Development of a 100-MW S band pulse klystron
US4846953A (en) Metal ion source