SU964786A1

SU964786A1 - Ion emission current production method

Info

Publication number: SU964786A1
Application number: SU803223915A
Authority: SU
Inventors: Галина Михайловна Мантрова; Марианна Николаевна Яковлева; Бронислава Самойловна Кульварская
Original assignee: Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср
Priority date: 1980-12-25
Filing date: 1980-12-25
Publication date: 1982-10-07

Description

Изобретение относитс к вакуумным электронным приборам, в частности к элементам конструкции приборов с ионным пучком, к ионным пушкам.This invention relates to vacuum electronic devices, in particular, to structural elements of ion beam devices, to ion guns.

Известен способ получени ионных пучков из плазменных источников tl Наиболее близким к предлагаемому вл етс способ получени тока эмиссии ионов.в вакууме, заключающийс в нагревании сло диэлектрического эмиттера ионов, например алюмосиликата щелочного металла, до определенной температуры и в отборе тока положительных ионов с его поверхности при включении напр жени между эмиттером и коллектором, расположенным вблизи поверхности эмиттера 2.A known method of producing ion beams from plasma sources tl. The closest to the present invention is a method of producing an ion emission current in a vacuum, which consists in heating a layer of a dielectric ion emitter, such as an alkali metal silicate, to a certain temperature and selecting a current of positive ions from its surface at switching on the voltage between the emitter and the collector located near the surface of the emitter 2.

Недостатком этого способа вл етс мала плотность термоионного тока .The disadvantage of this method is low thermionic current density.

Цель изобретени - увеличение плотности термоионного тока.The purpose of the invention is to increase the density of thermionic current.

Цель достигаетс согласно способу получени тока эмиссии ионов, основанном на отборе ионов с поверхности -. нагретого диэлектрического эмиттера ионов, поверхность эмиттера ионов дополнительно обл1чают источником электронов, потенциал которого поThe goal is achieved according to a method for producing an ion emission current based on the selection of ions from the surface. heated dielectric ion emitter, the surface of the ion emitter is additionally a source of electrons, the potential of which

величине равен потенциалу эмиттера ионов.value equal to the potential of the ion emitter.

На чертеже представлена схема устройства , реализукицего предложенный способ.The drawing shows a diagram of the device, the implementation of the proposed method.

Схема содержит эмиттер 1 ионов, коллектор 2, источник 3 электронов, источник 4 импульсного напр жени , измерительное сопротивление 5, ос10 циллограф б,The circuit contains an emitter of 1 ion, a collector 2, a source of 3 electrons, a source of 4 pulsed voltage, a measuring resistance 5, an oscillograph b,

Способ осуществл ют следующим образом .The method is carried out as follows.

Из-за специфического строени Due to the specific structure

15 кристаллической решетки, например алюмосиликата щелочного металла, при достаточно высокой температуре ионы щелочных металлов мигрируют в слое эмиттера и испар ютс с его 15 of the crystal lattice, for example, an alkali metal aluminosilicate, at a sufficiently high temperature, alkali metal ions migrate in the emitter layer and evaporate from its

Claims

1. Gabovich MD Plasma ion sources. Kiev, Naukova. Dumka, 1964, with. 5-, 16.

2. Kulvarska V.-S., Mantrova G.M. and Yakovleva M.N. Thermal-ion emission study of a solid-state lithium ion source in a pulsed mode. - Radio engineering and electronics, t. XXV, 1980, 4, p. 823 (prototype).