SU963006A1 - Triac simulating device - Google Patents

Triac simulating device Download PDF

Info

Publication number
SU963006A1
SU963006A1 SU813267189A SU3267189A SU963006A1 SU 963006 A1 SU963006 A1 SU 963006A1 SU 813267189 A SU813267189 A SU 813267189A SU 3267189 A SU3267189 A SU 3267189A SU 963006 A1 SU963006 A1 SU 963006A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
output
transistor
voltage
simistor
input
Prior art date
Application number
SU813267189A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Викторович Лобанов
Original Assignee
Уфимский авиационный институт им.Орджоникидзе
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Уфимский авиационный институт им.Орджоникидзе filed Critical Уфимский авиационный институт им.Орджоникидзе
Priority to SU813267189A priority Critical patent/SU963006A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU963006A1 publication Critical patent/SU963006A1/en

Links

Landscapes

  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)

Description

CSt) УСТРОЙСТВО дл  МОДЕЛИРОВАНИЯ СИММИСТОРЛCSt) DEVICE FOR SIMMISTREL SIMULATION

Изобретение относитс  к аналоговой вычислительной технике и может быть использовано при моделировании полупроводниковых вентильных устройств .The invention relates to analog computing and can be used in simulating semiconductor valve devices.

Известно устройство дл  моделировани  встречно-параллельных тиристоров , вольт-амперна  характеристика которых эквивалентна характеристике (Симмистора. Это устройство содержит диоды, реле, источники питающего напр жени  и нагрузки 1 .A device is known for simulating anti-parallel thyristors whose current-voltage characteristic is equivalent to a characteristic (Symistor. This device contains diodes, relays, power supply sources and loads 1.

Недостатками данного устройства  вл ютс  мала  точность и ограниченный частотный диапазон работы ввиду использовани  электромеханических элементов.The disadvantages of this device are low accuracy and limited frequency range of operation due to the use of electromechanical elements.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности  вл етс  устройство дл  моделировани  симмистора , содержащее операционнье усилители , диоды, резисторы и источник управл ющего напр жени  2J.Closest to the proposed technical entity is a simistor simulator device containing operational amplifiers, diodes, resistors, and a 2J control voltage source.

Недостатками известного устройства  вл ютс  невысока  точность работы, а также сложность конструкции.The disadvantages of the known device are low accuracy of operation, as well as the complexity of the design.

Цель изобретени  - повышение точ-. ности и упрощение устройства.The purpose of the invention is to increase the points. and simplify the device.

Указанна  цель достигаетс  тем, что в устройство дл  моделировани  Симмистора, содержащее источник управл (6щего напр жени , масштабный This goal is achieved by the fact that the Simmistor simulator, which contains the control source (6th voltage, scale

Claims (1)

10 резистор, первый вывод которого подключен ко входу операционного усилител , выход которого соединен со вторым выводом масштабного резистоt5 ра, введены два ключевых транзистора и источник напр жени  смещени , выводы источника напр жени  смещени  и источника управл ющего напр жени  соединены соответственно с коллектор20 ным выводом первого ключевого транзистора и с эмиттерным выводом второго ключевого транзистора, эмпттерный вывод первого и базовый jBTOporo ключевых транзисторов под ключены соответственно ко входу и выходу операционного усилител , базовый выво;ц первого ключевого транчЭистора соединен с коллекторным выводом второго ключевого транзисто ра. На фиг. 1 представлена блок-схема предлагаемого устройства; на фиг. 2 - вольт-амперна  характеристика симмистора. Устройство содержит операционный усилитель 1, масштабный резистор 2, источник 3 управл ющего напр жени i ключевые транзисторы и 5 и источник 6 напр жени  смещени . Устрой-ство работает следующим об разом. На вход устройства подаетс  напр жени.е, пропорциональное напр жению на симмисторе, а на выходе формируетс  напр жение, пропорциональное т ку, протекающему через симмистор. В исходном состо нии на коллектор пер вого и эммитер второго транзисторов подаетс  напр жение от источников и- и Ц которые открывают транзи торы и поддерживают их в этом состо  нии независимо от пол рности входного сигнала. Сопротивление транзисторов в открытом состо нии мало, т.е. практически обратна  св зь  вл етс  закороченной и выходной сигнал устройства равен нулю. Устройство работает таким образо что наличие отрицательного напр жени  йа эмиттере соответствует отсут ствию сигнала управлени  симмистором , а нулевой потенциал соответствует подаче управл ющего импульса на устройство дл  моделировани  симмистора. При наличии положительного сигна ла и нулевом напр жении.на эмиттере второго транзистора на входе усилител  формируетс  отрицательное напр жение, которое, поступа  на базу второго транзистора, закрывает его и удерживает его в этом состо нии даже при последующей подаче напр же ни  на эмиттер второго транзистора (т.е. при сн тии управлени ). Транзистор остаетс  в закрытом состо нии до тек пор, пока выходной сигна станет равным нулю. При наличии отрицательного входн го сигнала и сн тии напр жени  на :п итгес)р второго транзистора (подзи 64 управлени  на модель симмистора) на выходе усилител  формируетс  положительный потенциал, который через переход база-коллектор второго транзистора подаетс  на базу первого транзистора и закрывает его. Это состо ние сохран етс  и при последующей подаче напр жени  на эмиттер второго транзистора до тех пор, пока выходной сигнал операционного усилител ,изображающий ток моделируемого симмистора, не станет paвны нулю. Таким образом моделируетс  вольтамперна  характеристика симмистора. Предлагаемое устройство  вл етс  значительно проще, чем известное устройство и работает с большей точностью из-за значительного сокращени  общего числа элементов, в том числе операционных усилителей и полупроводниковых элементов, которые  вл ютс , как известно, основными источниками погрешностей. При этом высокое быстродействие , присущее известному устройству , сохран етс . Устройство может найти применение при моделировании не только схем. содержащих симмисторы но и схем :содержащих диоды, тиристоры и диодно-тиристорные группы. Устройство дл  моделировани  симмистора успешно испытано и применено при исследовании электромагнитных процессов и определении рабочих параметров и режимов вентильных систем в Специальном конструкторскотёхнологическом бюро полупроводниковых преобразователей частоты при Уфимском авиационном институте. Формула изобретени  Устройство дл  моделировани  симмистора , содержащее источник управл ющего напр жени , масштабный резистор , первый вывод которого подключен ко входу операционного усилител , выход которого  вл етс  выходом уст ройства, вход которого соединен со вторым выводом масштабного резистора , отличающеес  тем, что, с целью повышени  точности, в него введены два ключевых транзистора и источник напр жени  смещени , вывод которого и вывод источника управл ющего напр жени  соединены соответственно с коллекторным выподом10 a resistor, the first output of which is connected to the input of the operational amplifier, the output of which is connected to the second output of the scale resistor, introduced two key transistors and a bias voltage source, the bias voltage source and a control voltage source terminals are connected respectively to the collector 20 of the first key transistor and with the emitter output of the second key transistor, the empter output of the first and base jBTOporo key transistors are connected respectively to the input and output of the operation nnogo amplifier vyvo base; q tranchEistora first key is coupled to the collector terminal of the second key Transistor pa. FIG. 1 shows a block diagram of the proposed device; in fig. 2 - volt-ampere characteristic of the simistor. The device contains an operational amplifier 1, a scale resistor 2, a source of control voltage 3 and i key transistors and 5, and a source of voltage 6 bias. The device operates as follows. A voltage is applied to the input of the device. It is proportional to the voltage on the simistor, and a voltage is formed at the output that is proportional to the flow through the simistor. In the initial state, the collector of the first and the emitter of the second transistor is supplied with voltage from sources and- and C, which open the transistors and maintain them in this state regardless of the polarity of the input signal. The resistance of the transistors in the open state is low, i.e. practically the feedback is shorted and the device output is zero. The device operates in such a way that the presence of a negative voltage on the emitter corresponds to the absence of a simistor control signal, and a zero potential corresponds to the supply of a control pulse to the device for simulating a simistor. If there is a positive signal and zero voltage. At the emitter of the second transistor, a negative voltage is formed at the input of the amplifier, which enters the base of the second transistor, closes it and keeps it in this state even at the subsequent supply of voltage to the emitter of the second transistor (i.e. during de-steering). The transistor remains in the closed state until the output signal becomes zero. If there is a negative input signal and the voltage is removed: p and yg) p of the second transistor (use 64 simulator model), a positive potential is formed at the output of the amplifier, which through the junction of the collector of the second transistor goes to the base of the first transistor and closes it . This state is also maintained when the voltage on the emitter of the second transistor is subsequently applied until the output signal of the operational amplifier, representing the current of the simulated simistor, becomes zero. In this way, a simistor volt-ampere characteristic is simulated. The proposed device is much simpler than the known device and works with greater accuracy due to a significant reduction in the total number of elements, including operational amplifiers and semiconductor elements, which are known to be the main sources of error. At the same time, the high speed inherent in the known device is preserved. The device can be used in modeling not only schemes. containing simmistors but also circuits: containing diodes, thyristors and diode-thyristor groups. A device for simulating a simistor is successfully tested and applied in the study of electromagnetic processes and the determination of operating parameters and modes of valve systems in the Special Design and Technology Bureau of semiconductor frequency converters at the Ufa Aviation Institute. Claims A simulator simulator comprising a control voltage source, a scale resistor, the first terminal of which is connected to the input of an operational amplifier, the output of which is the output of the device, the input of which is connected to the second terminal of the scale resistor, characterized in that increase the accuracy, it introduced two key transistors and a bias voltage source, the output of which and the output of the control voltage source are connected respectively to the collector output
SU813267189A 1981-04-02 1981-04-02 Triac simulating device SU963006A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813267189A SU963006A1 (en) 1981-04-02 1981-04-02 Triac simulating device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813267189A SU963006A1 (en) 1981-04-02 1981-04-02 Triac simulating device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU963006A1 true SU963006A1 (en) 1982-09-30

Family

ID=20950197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813267189A SU963006A1 (en) 1981-04-02 1981-04-02 Triac simulating device

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU963006A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2978615A (en) Electric trigger circuits
SU963006A1 (en) Triac simulating device
US3117308A (en) Control system
US3895280A (en) Electronic controller with remote tuning
US3120663A (en) Voltage comparator system
GB987872A (en) Electric analogue circuits
SU1566380A1 (en) Device for modeling thyristor
SU402883A1 (en) DEVICE DL51 MODELING OF MANAGED
SU466521A1 (en) Device for simulating controlled rectifiers
SU1185357A1 (en) Device for simulating thyristor-diode group
SU1163341A1 (en) Device for simulating electric circuits
US2948473A (en) Static analogue divider
SU378891A1 (en) ACCOMMODATION
SU911565A1 (en) Device for simulating thyristor-diode group
US3720846A (en) Integrating amplifier circuits
SU1495984A1 (en) Pulse shaper
US3673502A (en) Voltage sensing switch
SU1088024A1 (en) Device for simulating transistor
SU942067A1 (en) Thyristor simulating device
JPS575406A (en) Current limiting circuit
US3508072A (en) Control apparatus
US3962651A (en) Analog A-C storage circuit employing a high gain amplifier
SU903913A1 (en) Thyristor simulating device
SU781844A1 (en) Dry friction simulating device
SU1543425A1 (en) Logarithmic computing device