SU954996A2 - Reference voltage source - Google Patents

Reference voltage source Download PDF

Info

Publication number
SU954996A2
SU954996A2 SU813266787A SU3266787A SU954996A2 SU 954996 A2 SU954996 A2 SU 954996A2 SU 813266787 A SU813266787 A SU 813266787A SU 3266787 A SU3266787 A SU 3266787A SU 954996 A2 SU954996 A2 SU 954996A2
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
source
resistor
resistance
voltage
Prior art date
Application number
SU813266787A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Николаевич Кузнецов
Original Assignee
Предприятие П/Я М-5632
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я М-5632 filed Critical Предприятие П/Я М-5632
Priority to SU813266787A priority Critical patent/SU954996A2/en
Application granted granted Critical
Publication of SU954996A2 publication Critical patent/SU954996A2/en

Links

Landscapes

  • Emergency Protection Circuit Devices (AREA)

Description

(5) ИСТОЧНИК ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ(5) SUPPORT VOLTAGE SOURCE

1one

Изобретение относитс  к электротехнике и предназначаетс  дл  использовани  в радиоэлектронной аппаратуре различного назначени , 8 частности в стабилизаторах напр жени  и тока микроэлектронных устройств.The invention relates to electrical engineering and is intended for use in electronic equipment for various purposes, 8 in particular in voltage and current stabilizers for microelectronic devices.

По основному авт. св. № известен источник опорного напр жени , содержащий опорный элемент, выполненный на транзисторе, эмиттер которого через токозадающий резистор соединен с плюсовым входным выводом и непосредственно с одним выводом дл  подключени  нагрузки, а коллектор- с минусовым входным выводом и другим выводом дл  подключени  нагрузки, база транзистора подключен на к аноду введенного прибора с диодной вольтамперной характеристикой, катод которого соединен с коллектором вышеупом нутого, транзистора 1,3. Недостатком известного устройства  вл етс  откпонение глубины внутренней положительной обратной св зи между переходами транзистора от за-i данной величины за очет разброса напр жений отсечки коллекторного перехода , прибора с диодной вольтамперной характеристикой и вли ни  их / базовых сопротивлений, что снижает стабильность источника. Кроме того, в известном устройстве возможна только ступенчата  регулировка глубины обратной св зи в К раз, где К - имеет целочисленное значение.According to the main author. St. The number of the reference voltage source is known, which contains a reference element made on a transistor, the emitter of which is connected to the positive input terminal via the current resistor, and directly to one output to connect the load, and the collector to the negative input output and connection of the transistor connected to the anode of the input device with a diode current-voltage characteristic, the cathode of which is connected to the collector of the above-mentioned transistor 1.3. A disadvantage of the known device is that the internal positive feedback between the transitions of the transistor is removed from a given magnitude due to a variation in the cutoff voltage of the collector junction, a device with a diode current-voltage characteristic, and the influence of their / base resistances, which reduces the source stability. In addition, in the known device, only stepwise adjustment of the feedback depth is possible in K times, where K - has an integer value.

Цель изобретени  - повышение стабильности путем обеспечени  точной The purpose of the invention is to increase stability by providing accurate

15 и плавной регулировки глубины обратной св зи между переходами транзистора .15 and smoothly adjust the depth of feedback between the transitions of the transistor.

Поставленна  цельдостигаетс  The goal is achieved

Claims (1)

20 тем, что в источникеопорного напр жени  в коллекторнуюцепь транзистора опорного элементавключен резистор . 39 На чертеже приведена принципиальна  электрическа  схема источника опорного напр жени . . Источник содержит опорный элемент выполненный на транзистхзре 1 п-р-п типа, токозадающий резистор 2 и прибор 3 с диодной вольтамперной характеристикой , в качестве которого использована цепочка из К-1 параллельно соединенных коллекторньгх пёреходов транзисторов + п-р-п типа,, в кол лекторную цепь транзистора 1 включен резистор 5. Вольтамперна  характеристика источника приближенно описываетс  еледующим уравнением: Jb . где Uj )U I- соответственно падение . напр жени  на транзисторе 1 и на его коллекторном переходе; и - напр жение пробо  эмиттер но го перехода транзистора 1; инверсный коэффициент передачи транзистора 1 по току; п - показатель, определ емый конструктивн; -технологическими особенност ми транзистора 1; С - коэффициент токораспределени  между коллектор ной и базовой цепью транзистора 1. g- 4...-1 ( . .. . где г , Гуу. J- сопротивлени  коллекторного перехода тран зистора Т и прибора 3 с диодной характеристикой; г fj- сопротивлени  базы .1 о. ь т(эанзистора 1 и прибо ра 3 с диодной характеристикой RC - сопротивление резисто ра SПреобразу  выражение (2), получим - . . п-i) Ки 5 ( Л 4- р 4 Г ч.з б-з „s.-t 6 При регулировке глубины обратной св зи за счет изменени  Е в К раз величина 4 R .1 5 Учитыва , что ) r./.- , условие компенсации вли ни  сопротивле 5.3 БИ обеспечени  точной регулировки можно записать в следующем виде: 5п,1„( --би К-О. (5) При целочисленном значении К дл  плавной регулировки в пределах дискрета К...К+1 максимальное значение .сопротивлени  R составит г (.,)+ (1 Smci-x В-Ъ б.-1/ 1..Ъ б.Ъ ЬЛИзмен   величину сопротивлени  от минимального до максимального значени , можно обеспечить изменение величины от 1/К до 1/К+1 раз. Таким образом, введение в источник опорного напр жени  резистора выгодно отличает его от известного устройства, так как при этом обеспечиваетс  точна  и плавна  регулировка глубины обратной св зи между переходами транзистора, что повышает стабильность источника. Это позволит улучшить параметры микроэлектронных устройств, в которых используетс  предлагаемый источник напр жени , без усложнени  их .электрических схем, повысить надежность и снизить стоимость , что в совокупности даст экономию в народном хоз йстве. Формула изобретени  Источник опорного напр жени  по авт. св. № 750465, отличающийс  тем, что, с целью повышени  стабильности путем обеспечени  точной и плавной регулировки глубины обратной св зи между переходами транзистора , в коллекторную цепь транзистора опорного элемента включен резистор . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1о Авторское свидетельство СССР .№ 750465, кл. G 05 F 3/08, 1978.20 in that in the source of the support voltage, a resistor is connected to the collector circuit of the transistor. 39 The schematic diagram of the voltage source is shown in the drawing. . The source contains a supporting element made on a transistor 1 pnp type, a current-generating resistor 2 and a device 3 with a diode volt-ampere characteristic, which is used as a chain of K-1 parallel-connected collectors of transistors of type + pnp the collector circuit of transistor 1 includes a resistor 5. The volt-ampere characteristic of the source is approximately described by the following equation: Jb. where Uj) U I- respectively fall. voltage on transistor 1 and on its collector junction; and - breakdown voltage of the emitter junction of the transistor 1; inverse current transfer coefficient of transistor 1; n is an indicator defined constructively; -technological features of transistor 1; C is the current distribution coefficient between the collector and the base circuit of transistor 1. g-4 ...- 1 (... Where g, goo.J- resistance of the collector junction of the transistor T and the device 3 with diode characteristic; gfj- resistance base .1 O. t (eanzistor 1 and device 3 with a diode characteristic RC is the resistance of the resistor STransform the expression (2), we get -. n - i) Ki 5 (L 4-p 4 G hz b- s. s.-t 6 When adjusting the depth of feedback due to a change in E by a factor K times the magnitude of 4 R .1 5 Taking into account that) r./.-, the condition for compensating the influence of the resistance of 5.3 BI ensures accurate adjustments can be written in the following form: 5п, 1 „(--bi К-О. (5) With an integer value K for a smooth adjustment within the discrete K ... K + 1, the maximum value of resistance R will be r (.,) + (1 Smci-x B-b b.-1 / 1.. B b b b eL izmen change resistance value from minimum to maximum value, it is possible to provide a change in value from 1 / K to 1 / K + 1 times. Thus, the introduction The source of the reference voltage of the resistor favorably distinguishes it from the known device, since it ensures accurate and smooth adjustment of the depth of the reverse communication between the transistor junctions, which increases the stability of the source. This will make it possible to improve the parameters of microelectronic devices in which the proposed voltage source is used, without complicating their electrical circuits, to increase reliability and reduce the cost, which together will provide savings in the national economy. Formula of Invention Source reference voltage by author. St. No. 750465, characterized in that, in order to increase stability by providing accurate and smooth adjustment of the depth of feedback between the transitions of the transistor, a resistor is included in the collector circuit of the transistor of the support element. Sources of information taken into account in the examination of the USSR Copyright Certificate .№ 750465, cl. G 05 F 3/08, 1978. D УDD UD -оО +-oo + тЧPM ....J.... j ч -h -
SU813266787A 1981-03-27 1981-03-27 Reference voltage source SU954996A2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813266787A SU954996A2 (en) 1981-03-27 1981-03-27 Reference voltage source

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU813266787A SU954996A2 (en) 1981-03-27 1981-03-27 Reference voltage source

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU750465 Addition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU954996A2 true SU954996A2 (en) 1982-08-30

Family

ID=20950050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU813266787A SU954996A2 (en) 1981-03-27 1981-03-27 Reference voltage source

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU954996A2 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1039683A (en) The battery charger that has the Vbe temperature-compensation circuit
US3263092A (en) Low impedance voltage regulating circuit
CN101101490A (en) Temperature compensation device
US3300710A (en) Voltage reference circuit with low incremental impedance and low temperature coefficient
SU954996A2 (en) Reference voltage source
RU2727713C1 (en) Electronic circuit supply voltage stabilizer
SU750465A1 (en) Reference voltage source
RU209200U1 (en) DC Voltage Stabilizer
SU408431A1 (en)
SU1001057A1 (en) Dc voltage stabilizer
RU2775059C1 (en) Method for constructing a constant voltage stabilizer
SU917179A1 (en) Dc voltage stabilizer
SU696431A1 (en) Reference voltage source
SU924825A1 (en) Emitter repeater
SU783771A1 (en) Dc stabilizer
SU545977A1 (en) Constant reference voltage source
SU866550A1 (en) Parallel-type dc voltage stabilizer
RU2006063C1 (en) Source of standard low voltage
SU1348797A2 (en) D.c.voltage stabilizer
SU694853A2 (en) Stabilized d -c current source
SU890381A1 (en) Dc stabilizer
SU1275404A1 (en) D.c.voltage stabilizer
KR810001619B1 (en) Stabilized transistor amplification circuit
SU1142883A1 (en) Current generator
SU775728A1 (en) Reference voltage source