SU951482A1 - Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани - Google Patents

Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани Download PDF

Info

Publication number
SU951482A1
SU951482A1 SU803223744A SU3223744A SU951482A1 SU 951482 A1 SU951482 A1 SU 951482A1 SU 803223744 A SU803223744 A SU 803223744A SU 3223744 A SU3223744 A SU 3223744A SU 951482 A1 SU951482 A1 SU 951482A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
halogen
reaction
water
lamp
heat treatment
Prior art date
Application number
SU803223744A
Other languages
English (en)
Inventor
Анатолий Трофимович Токарев
Владимир Семенович Мордюк
Евгений Павлович Абакумов
Original Assignee
Всесоюзный Научно-Исследовательский,Проектно-Конструкторский И Технологический Институт Источников Света Им.А.Н.Лодыгина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Всесоюзный Научно-Исследовательский,Проектно-Конструкторский И Технологический Институт Источников Света Им.А.Н.Лодыгина filed Critical Всесоюзный Научно-Исследовательский,Проектно-Конструкторский И Технологический Институт Источников Света Им.А.Н.Лодыгина
Priority to SU803223744A priority Critical patent/SU951482A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU951482A1 publication Critical patent/SU951482A1/ru

Links

Landscapes

  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Saccharide Compounds (AREA)

Description

1
Изофетение относитс  к элекгротех- нике и может быть использовано в электротехнической промышленности дл  производства галогенных ламп накаливани ,
В современной электротехнической промышленности примен емые способы введени  галогена в рабочий объем лампы не позвол ют с достаточной степенью .точности и надежности производить дозировку галогена.
Известен способ ведени  галогена в виде газогалогенной смеси Е13 f
Однако происходит расслоение газогалогенной смеси в баллоне с нарушением однородности, галогенсодержащее соединение адсорбируетс  на стенках и может диссоциировать, давление паров может измен тьс  в зависимости от тек пературы окружающей среды - все эти факторы дестабилизируют кондентрадшо гешогена в галогенной лампе.
Известен способ введени  галогена в виде безводных, малолетучихсоединений галогена, термически диссоциирующих при рабочих температурах в объеме колбы лампы.
При этом, усложн етс  технологи  изготовлени , так как введенные соеди . нени  гигроскс гачны и при наличии
napQB воды реагируют с ней с о азова ннем в некоторых случа х токсичных продуктов реакции ts .
Поскольку галогениды ввод т в ввде
,Q раствора, где растгворителем  вл етс  бензо;, толуол, петролейный эфир вли другие непол рные растворители, то в при откачке некоторое количест о  х, по ,пада  в рабочее масло насоса, разисвжает
f5 его к делает непригодным. И, наконец, примен емые соединени  согласно.значени м энергии Гнббса весьма прочны, и процесс термического разложени  может неполным, что ведет к недостатку
20 галогена в дампе и его -грудной управл емости .

Claims (3)

  1. Навбопее близким к предлагаемому  вл етс  способ дозирсоанного введение галогена в галогенную пвмау, включающий 395 введение термически устойчивых галогеки дов металлов в объем колбы с последук щей термообработкой в среде кислорода, который св зывает металл, освобожда  при этом галоген по реакции Сз : 2МГ +02. 2МО + Тз. Существующий способ дозировки .имеет р д недостатков. Во-первых, контроль дозировки вводимого кислорода ограничен погрешностью измерительного прибора. Во-вторьпс, реакци  выделени  галогена осуществл етс  при высоких температурах , сравнимых с температурой разм гчени  кварцевого стекла оболочки и выхода ее из стро , а пр мой подогрев телом накала может привести к потемнению колбы из-за реакции кислорода с вольфрамом тела накала. Наконец, к свободному галог ну предъ вл ютс  жесткие требовани  по точности дозировки, так как отклонени  привод т либо к разъ.еданию вводов и поддержек , либо к потемнению колбы. Все эт факторы  вл ютс  причиной недостаточной надежности в точности дозировки галоген Цель изобретени  - повышение надежности , точности и упрощение дозировки галогена в галогенную лампу накаливани  Поставленна  цель достигаетс  тем, ето согласно способу введени  галогена в галогенную лампу накаливани , включающем введение термически устойчивых галогенидов металлов в объем колбы с последующей термообработкой в среде кислорода, в лампу вместе с галогенидами металлов ввод т воду в стехиометрическом соотнощении с последними, а термообработку провод т при температуре 200-500 С. Кроме того, с целью повьпдени  чисто ты газовой атмосферы лампы в качестве галогенидов металлов используют галогениды металлов И1 группы, обладающие гет терными свойствами. Введение галогенидов металлов1И груп пы с водой в виде, например моногид- рата галогенида, с последук дей термообработкой , обеспечивает дозированное количество галогенводорода по реакции: МеГ,,+ Hjp оо- оо%МеОГ + 2HF, который менее реакционен, чем чистый галоген, а потому более надежен относительно точности дозировки. В предлагаемом спех;обе операци  выделени  галогенводорода осуществл етс  термообработкой при относительно низких температурах (2ОО-500 С) по сравнению с известным способом, а так 2 как вода находитс  в св занном состо нии и при термообработке вступает в реакцию непосредственно с галогенидом металла, то термообработку можно проводить пр мым прогревом тела накала без возникновени  реакции вольфрама с водой. Образующиес  в результате реакщш с водой оксигалогениды металлов при высоких температурах дкспропорционируЮ1т: ЕМеОГ ,,, в результате чего образуютс  безводные галогениды металлов, обладающие геттерными свойстваг от по отношению к парам воды, кислороду и кислородсодержащим газам, а также к водороду, которые могут присутствовать в газовой атмосфере при наполнении или вьщел етс  в процессе горени  из конструктивных элементов . В случае кислорода процесс поглощени  идетПО реакции: МеГа, + 1/2 + F-j Водород, взаимодейству  с тркгалогенидом , восстанавливает его до дигалогенида с образованием дополнительного галогенводорода НГ, в дальнейшем дигалогениды при высоких температурах диспропорционируют с образованием тригалогенидов и чистых металлов, также обладающих -геттерными свойствами. .Этот ме- хайизм можно представить следующими реакци ми: МеГ,, + +НГ МеГ + Me. Пример .Берут некоторое количество гексагидрата хлорида лантана и ввод т в ампулу из кварцевого стекла, вакуумноплотно соединенную с откачной прогреваемой системой, включающей омегатронную лампу РМО-4с дл  регистрации состава остаточных газов измерителем парциальных давлений ИПДО-ГА. Производитс  постепенный нагрев ампулы с одновременной записью спектра остаточной атмосферы. ПРИ температуре 200 С между пиками 34 и 38 масс по вл етс  пик 36 массы, соответствующий хлорис- тому водороду НСР, по реакции: 100-5000 LaOai-lHCt U)Ьасе ,,и.о При дальнейщем увеличении температуры интенсивность пика уменьшаетс , что говорит об окончании реакции (1). При емпературе вьцце 850 С вновь наблюаетс  пик 36 массы, т.е. хлористого одорода, объ сн емый реакцией хлористого пантана, образовавшегос  в результате реакции диспропорционировани  оксихлорида , с водой по реакции (1). Вода может выдел тьс  также из кварцевого отекла ампулы. Этот пример характе- ризует образование галогенводорода при низких температурах и геттерные свойства трихлорида по отношению к воде при высоких тектературах с образованием дополнительного количества галогенводорода . . П р и м е р 2. Берут заготовки галогенных ламп типа КГМ и готов т 3 пар тии ламп, в качестве галогене од ержашего соединени  берут бромид одного из редкоземельных металлов. В лампы первой партии ввод т безводный трихлорид; во второй - гексагидрат трихлорида, а в третьей - гексагидрат проходил предварительную термообработку , так что кристаллический трибромид содержит в своем составе одну молекулу кристаллизационной воды. В процессе испытани  в лампах первой партии наблюдаетс  большой спад све тового потока уже через несколько часов горени  из-за потемнени  колб. Это объ с н етс -нарушением галогенного цикла иэза недостатка галогена, так как бромиды весьма устойчивы тормодинамически и лишь часть их разложилась на спирали,, а остальна  часть распылилась на колбув виде соединени  MeBl, Лампы второй партии выход т из стро в течение часа из-за разрушени  тела накала, так как при нагревании гексагидрат трибромида тер ет кристаллизационную воду: MeBv,,-bMiO- fAeB,,-H-j O+5H2.0. в объеме лампы свободна  вода посту пает в реакцию с распыленным вольфрамо тела накала по циклу Ленгмюра: ШзР-«- }Ч «-1Н1, причем перенос вольфрама осуществл етс с гор чих частей на холодные, и тело накала разрушаетс . В третьей партии лампы имеют стабильные параметры в процессе испытаНИИ , что подтверждает надежность точнос ти дозировки галргена в виде галогенводорода , причем выделение его происходит в 2-х температурных интервалах по реакци м: Mefcn,. ло15о wveoeir (Lubr ЗГАеOftv- е)0о-1ооо°с 6v,j CD Во втором случае (2)образовавшийс  трибромид уже вьшолн ет роль геттера , т.е. вступает в реакцию со свободными парами воды по реакции (1),-а при наличии кислорода или водорода - по следующим реакци м: MeBv-j- - i/ipz - MeoBrt6v-,j (.ъ) MeBr,,-fHa.-(Meftr2.taH8r (4) и наконец, дибромиды при высоких . температурах диспропорционируют с образованием трибромида и чистого металла: 5ме гмеВг, 4- ме (.5) Металлы 1Н группы, в свою очередь, имеют хорошие сорбционные характеристики . Таким образом, данный способ введени  обеспечивает надежность дозировки расчетного количества галогена и гарантирует поглощение вредных микроконцен- траций газовых компонент в процессе эи;плуатации благодар  геттерным свойствам вводимых соединений элементов группы. Использование способа дозировки вводимого галогена по сравнению с сущест вук цими способами позвол ет надежно производить точную дозировку галогена при низкой температуре термообработки и выделении галогенводорода; гарантирует стабильность эксплуатационных параметров благодар  действию газопоглотител  загр зн юших газов. Формула изобретени  1.Способ дозированного введени  галогена в галогенную лампу накаливани , включаюший введение термически устойчивых галогенидов металлов в объем колбы с последующей термообработкой в среде кислорода, отличающийс   тем, ЧТО; с целью повьш1ени  надежности , точности.и упрощени  дозировки, в лампу вместе с галогенидами металлов ввод т воду в стехиометрическом соотношении с последними, а термообработку провод т при температуре 2ООsoo c .
  2. 2. Способ по п. 1,отли.чающ и и с   тем, что, с целью повъшхенн  ЧиСтоты газовой атмосферы лампы, в качестве галогенидов металлов используют галогениды металлов 14 группы.
    &S14628
    Источники информеоош,2. Патент США № 3811063,
    прин тые во вннмавве при эксперугиэекл. 313-222, 1973.
    1, Патент США № 3589790,
  3. 3. Авторское свидетельство СССР
    кп. 316-20, 197О.№ 502424, кл. Н О1 К 3/22, 1974.
SU803223744A 1980-12-26 1980-12-26 Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани SU951482A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803223744A SU951482A1 (ru) 1980-12-26 1980-12-26 Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803223744A SU951482A1 (ru) 1980-12-26 1980-12-26 Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU951482A1 true SU951482A1 (ru) 1982-08-15

Family

ID=20934074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU803223744A SU951482A1 (ru) 1980-12-26 1980-12-26 Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU951482A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Wise et al. FLUORINE BOMB CALORIMETRY. V. THE HEATS OF FORMATION OF SILICON TETRAFLUORIDE AND SILICA1, 2
Riley Simultaneous determination of water and carbon dioxide in rocks and minerals
Jensen et al. Catalysis of radical recombination in flames by iron
SU951482A1 (ru) Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани
US3582307A (en) Methd of removing water from melts of inorganic glass
US3850602A (en) Salt vapor atmosphere treatment of quartz crystal granules
Penfield On some methods for the determination of water
Mah Heats of formation of niobium dioxide, niobium subnitride and tantalum subnitride
Scott et al. Tetraethyllead: Heat of Formation by Rotating-Bomb Calorimetry.
Price First and Second Pressure Limits of Explosion of Diborane—Oxygen Mixtures1
Ficalora et al. Mass spectrometric studies at high temperatures: XXIX, thermal decomposition and sublimation of alkali metal sulfates
US3540951A (en) Method for doping semiconductor crystals with phosphorus
US3416895A (en) Method of purifying graphite
Holt et al. XXXVIII.—Oxidation of the alkali metals
Smith et al. Enthalpy of formation triethylamineborane
Smith et al. Combustion Calorimetry of Organic Chlorine Compounds. The Heat of Combustion of 2, 3, 5, 6-Tetrachloro-p-xylene1
US3503719A (en) Heterolytic fission of elementary fluorine in the preparation of an adduct of fluorinated lewis bases with lewis acids
GB2226309A (en) Optical fibre manufacture
Haschke Reactions of strontium, lanthanum, and europium iodides. Direct preparation of phosphorus triiodide from phosphates
Corbett et al. The Scandium Trichloride-Scandium System and the Question of the Existence of Solid, Lower Chlorides of Scandium
Des Marteau et al. A new method for the preparation of fluorodisulfate salts
US4233536A (en) Incandescent lamp getter
Kirklin et al. Enthalpy of combustion of purine
Nikolaev et al. Thermal properties of hydrofluorides
Johnson Some Chemical and Physical Properties of Phosphorus Pentafluoride