SU951482A1 - Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани - Google Patents
Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани Download PDFInfo
- Publication number
- SU951482A1 SU951482A1 SU803223744A SU3223744A SU951482A1 SU 951482 A1 SU951482 A1 SU 951482A1 SU 803223744 A SU803223744 A SU 803223744A SU 3223744 A SU3223744 A SU 3223744A SU 951482 A1 SU951482 A1 SU 951482A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- halogen
- reaction
- water
- lamp
- heat treatment
- Prior art date
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
Description
1
Изофетение относитс к элекгротех- нике и может быть использовано в электротехнической промышленности дл производства галогенных ламп накаливани ,
В современной электротехнической промышленности примен емые способы введени галогена в рабочий объем лампы не позвол ют с достаточной степенью .точности и надежности производить дозировку галогена.
Известен способ ведени галогена в виде газогалогенной смеси Е13 f
Однако происходит расслоение газогалогенной смеси в баллоне с нарушением однородности, галогенсодержащее соединение адсорбируетс на стенках и может диссоциировать, давление паров может измен тьс в зависимости от тек пературы окружающей среды - все эти факторы дестабилизируют кондентрадшо гешогена в галогенной лампе.
Известен способ введени галогена в виде безводных, малолетучихсоединений галогена, термически диссоциирующих при рабочих температурах в объеме колбы лампы.
При этом, усложн етс технологи изготовлени , так как введенные соеди . нени гигроскс гачны и при наличии
napQB воды реагируют с ней с о азова ннем в некоторых случа х токсичных продуктов реакции ts .
Поскольку галогениды ввод т в ввде
,Q раствора, где растгворителем вл етс бензо;, толуол, петролейный эфир вли другие непол рные растворители, то в при откачке некоторое количест о х, по ,пада в рабочее масло насоса, разисвжает
f5 его к делает непригодным. И, наконец, примен емые соединени согласно.значени м энергии Гнббса весьма прочны, и процесс термического разложени может неполным, что ведет к недостатку
20 галогена в дампе и его -грудной управл емости .
Claims (3)
- Навбопее близким к предлагаемому вл етс способ дозирсоанного введение галогена в галогенную пвмау, включающий 395 введение термически устойчивых галогеки дов металлов в объем колбы с последук щей термообработкой в среде кислорода, который св зывает металл, освобожда при этом галоген по реакции Сз : 2МГ +02. 2МО + Тз. Существующий способ дозировки .имеет р д недостатков. Во-первых, контроль дозировки вводимого кислорода ограничен погрешностью измерительного прибора. Во-вторьпс, реакци выделени галогена осуществл етс при высоких температурах , сравнимых с температурой разм гчени кварцевого стекла оболочки и выхода ее из стро , а пр мой подогрев телом накала может привести к потемнению колбы из-за реакции кислорода с вольфрамом тела накала. Наконец, к свободному галог ну предъ вл ютс жесткие требовани по точности дозировки, так как отклонени привод т либо к разъ.еданию вводов и поддержек , либо к потемнению колбы. Все эт факторы вл ютс причиной недостаточной надежности в точности дозировки галоген Цель изобретени - повышение надежности , точности и упрощение дозировки галогена в галогенную лампу накаливани Поставленна цель достигаетс тем, ето согласно способу введени галогена в галогенную лампу накаливани , включающем введение термически устойчивых галогенидов металлов в объем колбы с последующей термообработкой в среде кислорода, в лампу вместе с галогенидами металлов ввод т воду в стехиометрическом соотнощении с последними, а термообработку провод т при температуре 200-500 С. Кроме того, с целью повьпдени чисто ты газовой атмосферы лампы в качестве галогенидов металлов используют галогениды металлов И1 группы, обладающие гет терными свойствами. Введение галогенидов металлов1И груп пы с водой в виде, например моногид- рата галогенида, с последук дей термообработкой , обеспечивает дозированное количество галогенводорода по реакции: МеГ,,+ Hjp оо- оо%МеОГ + 2HF, который менее реакционен, чем чистый галоген, а потому более надежен относительно точности дозировки. В предлагаемом спех;обе операци выделени галогенводорода осуществл етс термообработкой при относительно низких температурах (2ОО-500 С) по сравнению с известным способом, а так 2 как вода находитс в св занном состо нии и при термообработке вступает в реакцию непосредственно с галогенидом металла, то термообработку можно проводить пр мым прогревом тела накала без возникновени реакции вольфрама с водой. Образующиес в результате реакщш с водой оксигалогениды металлов при высоких температурах дкспропорционируЮ1т: ЕМеОГ ,,, в результате чего образуютс безводные галогениды металлов, обладающие геттерными свойстваг от по отношению к парам воды, кислороду и кислородсодержащим газам, а также к водороду, которые могут присутствовать в газовой атмосфере при наполнении или вьщел етс в процессе горени из конструктивных элементов . В случае кислорода процесс поглощени идетПО реакции: МеГа, + 1/2 + F-j Водород, взаимодейству с тркгалогенидом , восстанавливает его до дигалогенида с образованием дополнительного галогенводорода НГ, в дальнейшем дигалогениды при высоких температурах диспропорционируют с образованием тригалогенидов и чистых металлов, также обладающих -геттерными свойствами. .Этот ме- хайизм можно представить следующими реакци ми: МеГ,, + +НГ МеГ + Me. Пример .Берут некоторое количество гексагидрата хлорида лантана и ввод т в ампулу из кварцевого стекла, вакуумноплотно соединенную с откачной прогреваемой системой, включающей омегатронную лампу РМО-4с дл регистрации состава остаточных газов измерителем парциальных давлений ИПДО-ГА. Производитс постепенный нагрев ампулы с одновременной записью спектра остаточной атмосферы. ПРИ температуре 200 С между пиками 34 и 38 масс по вл етс пик 36 массы, соответствующий хлорис- тому водороду НСР, по реакции: 100-5000 LaOai-lHCt U)Ьасе ,,и.о При дальнейщем увеличении температуры интенсивность пика уменьшаетс , что говорит об окончании реакции (1). При емпературе вьцце 850 С вновь наблюаетс пик 36 массы, т.е. хлористого одорода, объ сн емый реакцией хлористого пантана, образовавшегос в результате реакции диспропорционировани оксихлорида , с водой по реакции (1). Вода может выдел тьс также из кварцевого отекла ампулы. Этот пример характе- ризует образование галогенводорода при низких температурах и геттерные свойства трихлорида по отношению к воде при высоких тектературах с образованием дополнительного количества галогенводорода . . П р и м е р 2. Берут заготовки галогенных ламп типа КГМ и готов т 3 пар тии ламп, в качестве галогене од ержашего соединени берут бромид одного из редкоземельных металлов. В лампы первой партии ввод т безводный трихлорид; во второй - гексагидрат трихлорида, а в третьей - гексагидрат проходил предварительную термообработку , так что кристаллический трибромид содержит в своем составе одну молекулу кристаллизационной воды. В процессе испытани в лампах первой партии наблюдаетс большой спад све тового потока уже через несколько часов горени из-за потемнени колб. Это объ с н етс -нарушением галогенного цикла иэза недостатка галогена, так как бромиды весьма устойчивы тормодинамически и лишь часть их разложилась на спирали,, а остальна часть распылилась на колбув виде соединени MeBl, Лампы второй партии выход т из стро в течение часа из-за разрушени тела накала, так как при нагревании гексагидрат трибромида тер ет кристаллизационную воду: MeBv,,-bMiO- fAeB,,-H-j O+5H2.0. в объеме лампы свободна вода посту пает в реакцию с распыленным вольфрамо тела накала по циклу Ленгмюра: ШзР-«- }Ч «-1Н1, причем перенос вольфрама осуществл етс с гор чих частей на холодные, и тело накала разрушаетс . В третьей партии лампы имеют стабильные параметры в процессе испытаНИИ , что подтверждает надежность точнос ти дозировки галргена в виде галогенводорода , причем выделение его происходит в 2-х температурных интервалах по реакци м: Mefcn,. ло15о wveoeir (Lubr ЗГАеOftv- е)0о-1ооо°с 6v,j CD Во втором случае (2)образовавшийс трибромид уже вьшолн ет роль геттера , т.е. вступает в реакцию со свободными парами воды по реакции (1),-а при наличии кислорода или водорода - по следующим реакци м: MeBv-j- - i/ipz - MeoBrt6v-,j (.ъ) MeBr,,-fHa.-(Meftr2.taH8r (4) и наконец, дибромиды при высоких . температурах диспропорционируют с образованием трибромида и чистого металла: 5ме гмеВг, 4- ме (.5) Металлы 1Н группы, в свою очередь, имеют хорошие сорбционные характеристики . Таким образом, данный способ введени обеспечивает надежность дозировки расчетного количества галогена и гарантирует поглощение вредных микроконцен- траций газовых компонент в процессе эи;плуатации благодар геттерным свойствам вводимых соединений элементов группы. Использование способа дозировки вводимого галогена по сравнению с сущест вук цими способами позвол ет надежно производить точную дозировку галогена при низкой температуре термообработки и выделении галогенводорода; гарантирует стабильность эксплуатационных параметров благодар действию газопоглотител загр зн юших газов. Формула изобретени 1.Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани , включаюший введение термически устойчивых галогенидов металлов в объем колбы с последующей термообработкой в среде кислорода, отличающийс тем, ЧТО; с целью повьш1ени надежности , точности.и упрощени дозировки, в лампу вместе с галогенидами металлов ввод т воду в стехиометрическом соотношении с последними, а термообработку провод т при температуре 2ООsoo c .
- 2. Способ по п. 1,отли.чающ и и с тем, что, с целью повъшхенн ЧиСтоты газовой атмосферы лампы, в качестве галогенидов металлов используют галогениды металлов 14 группы.&S14628Источники информеоош,2. Патент США № 3811063,прин тые во вннмавве при эксперугиэекл. 313-222, 1973.1, Патент США № 3589790,
- 3. Авторское свидетельство СССРкп. 316-20, 197О.№ 502424, кл. Н О1 К 3/22, 1974.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU803223744A SU951482A1 (ru) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU803223744A SU951482A1 (ru) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU951482A1 true SU951482A1 (ru) | 1982-08-15 |
Family
ID=20934074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU803223744A SU951482A1 (ru) | 1980-12-26 | 1980-12-26 | Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU951482A1 (ru) |
-
1980
- 1980-12-26 SU SU803223744A patent/SU951482A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Wise et al. | FLUORINE BOMB CALORIMETRY. V. THE HEATS OF FORMATION OF SILICON TETRAFLUORIDE AND SILICA1, 2 | |
Riley | Simultaneous determination of water and carbon dioxide in rocks and minerals | |
Jensen et al. | Catalysis of radical recombination in flames by iron | |
SU951482A1 (ru) | Способ дозированного введени галогена в галогенную лампу накаливани | |
US3582307A (en) | Methd of removing water from melts of inorganic glass | |
US3850602A (en) | Salt vapor atmosphere treatment of quartz crystal granules | |
Penfield | On some methods for the determination of water | |
Mah | Heats of formation of niobium dioxide, niobium subnitride and tantalum subnitride | |
Scott et al. | Tetraethyllead: Heat of Formation by Rotating-Bomb Calorimetry. | |
Price | First and Second Pressure Limits of Explosion of Diborane—Oxygen Mixtures1 | |
Ficalora et al. | Mass spectrometric studies at high temperatures: XXIX, thermal decomposition and sublimation of alkali metal sulfates | |
US3540951A (en) | Method for doping semiconductor crystals with phosphorus | |
US3416895A (en) | Method of purifying graphite | |
Holt et al. | XXXVIII.—Oxidation of the alkali metals | |
Smith et al. | Enthalpy of formation triethylamineborane | |
Smith et al. | Combustion Calorimetry of Organic Chlorine Compounds. The Heat of Combustion of 2, 3, 5, 6-Tetrachloro-p-xylene1 | |
US3503719A (en) | Heterolytic fission of elementary fluorine in the preparation of an adduct of fluorinated lewis bases with lewis acids | |
GB2226309A (en) | Optical fibre manufacture | |
Haschke | Reactions of strontium, lanthanum, and europium iodides. Direct preparation of phosphorus triiodide from phosphates | |
Corbett et al. | The Scandium Trichloride-Scandium System and the Question of the Existence of Solid, Lower Chlorides of Scandium | |
Des Marteau et al. | A new method for the preparation of fluorodisulfate salts | |
US4233536A (en) | Incandescent lamp getter | |
Kirklin et al. | Enthalpy of combustion of purine | |
Nikolaev et al. | Thermal properties of hydrofluorides | |
Johnson | Some Chemical and Physical Properties of Phosphorus Pentafluoride |