SU947919A1 - Резистивный материал - Google Patents
Резистивный материал Download PDFInfo
- Publication number
- SU947919A1 SU947919A1 SU802948117A SU2948117A SU947919A1 SU 947919 A1 SU947919 A1 SU 947919A1 SU 802948117 A SU802948117 A SU 802948117A SU 2948117 A SU2948117 A SU 2948117A SU 947919 A1 SU947919 A1 SU 947919A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- resistance
- resistive material
- silicon monoxide
- chrome
- thin
- Prior art date
Links
Landscapes
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
Изобретение относитс к радиоэлектронике и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных резисторов.
Известен резистивный материала 1, содержащий, вес.%: моноокись кремни 2-6, .ситалл. 40-80 и хром остальное .
Недостатком резистивного материала вл етс большой отрицательный температурный коэффициент сопротивлени (ТКС) - пор дка (7-10 Мег 1/градус - и низка стабильность сопротивлени - 1-2% за 1000 ч работы при температуре около .
Наиболее близким по технической сущности решени вл етс резистив- . ный материал дл высокоомных резисторов с малым значением ТКС 2, содержсцций , вес. % : также моноокись кремни 15-30, ситалл 15-30 и хром остальное .
Однако он, вл сь высокоомным, имеет низкую временную стабильность сопротивлени .
Отмеченные недостатки не позвол ют использовать известные реэистивные материалы дл 1 апылени стабильных высокоомных резисторов при изготовлении интегральных микросхем.
Цель изобретени - повышение стабильности сопротивлени тонкопленочных резисторов при сохранении высокого удельнЪго сопротивлени и низ- кого значени ТКС.
Поставленна цель достигаетс тем, что резистивный материал, содержащий моноокись кремни , ситалл и хром, содержит компоненты в следую
10 нем количественном соотнс иении, вес.%:
Моноокись кремни 30-40 Ситалл30-40
ХромОстальное
15
Примеры конкретного выполнени ..
Дл изготовлени тоикопленочных резисторов на основе предлагаемого резистивного материала приготовлено.
20 9 образцов резистивного материала с максимальным, минимальным и средник содержанием моноокиси кремни , сита лла и хрома.
25
Методом термовакуумного напылени иа ситалловые подложки из каждого из дев ти подготовленных образцов резистивного материала изготовлены по 100 шт тонкопленочных резисторов.
30 При этом толщина и площадь напыленной плен.ки дл всех изготовленных резисторов по всем дев ти образцам были выбраны одинаковыми .
Составы резистивного материала и полученные электрические характеристики тонкопленочных резисторов приведены в таблице.
Claims (1)
- Формула изобретенияРезистивный материал, содержащий моноокись кремния, ситалл и хром, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности сопротивления тонкопленочных резисторов при сохранении высокого удельного сопро тивления и низкого значения температурногб ‘коэффициента сопротивле-. ния, он содержит исходные компоненты в следующем количественном соотношений, вес.%:Моноокись кремния 30-40 (Ситалл 30-40Хром остальное
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU802948117A SU947919A1 (ru) | 1980-07-01 | 1980-07-01 | Резистивный материал |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU802948117A SU947919A1 (ru) | 1980-07-01 | 1980-07-01 | Резистивный материал |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU947919A1 true SU947919A1 (ru) | 1982-07-30 |
Family
ID=20905069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU802948117A SU947919A1 (ru) | 1980-07-01 | 1980-07-01 | Резистивный материал |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU947919A1 (ru) |
-
1980
- 1980-07-01 SU SU802948117A patent/SU947919A1/ru active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR830001873B1 (ko) | 저항체 조성물 | |
| KR870011634A (ko) | 고저항 및 고안정성을 가진 적층 필름 저항기 | |
| GB1514527A (en) | High resistance cermet film and method of making the same | |
| US4454495A (en) | Layered ultra-thin coherent structures used as electrical resistors having low temperature coefficient of resistivity | |
| SU947919A1 (ru) | Резистивный материал | |
| US4338145A (en) | Chrome-tantalum alloy thin film resistor and method of producing the same | |
| CA1291885C (en) | Metal film resistors | |
| JPS5822379A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト | |
| SU890450A1 (ru) | Резистивный материал | |
| Schippel | Properties of evaporated Ni-Cr films with an aluminum content of about 50% | |
| JPH0287501A (ja) | 電気抵抗材料 | |
| JPH044722B2 (ru) | ||
| SU911630A1 (ru) | Резистивный материал | |
| JPH0412601B2 (ru) | ||
| US3315208A (en) | Nitrogen stabilized titanium thin film resistor and method of making same | |
| SU442516A1 (ru) | Материал дл высокоомных резисторов | |
| JPS5711813A (en) | Preparation of carbide film resistor | |
| Wright et al. | A Method of Producing a Resistance Element for a Resistance Thermometer | |
| Singh | Sputtered Molybdenum Film Resistors | |
| JPS6236622B2 (ru) | ||
| SU942174A1 (ru) | Резистивный материал | |
| JPS6395601A (ja) | 抵抗薄膜 | |
| SU834773A1 (ru) | Материал дл толстопленочныхРЕзиСТОРОВ | |
| SU970484A1 (ru) | Резистивна композици | |
| JPH045241B2 (ru) |