SU935865A1 - Electrophotographic material - Google Patents

Electrophotographic material Download PDF

Info

Publication number
SU935865A1
SU935865A1 SU802940292A SU2940292A SU935865A1 SU 935865 A1 SU935865 A1 SU 935865A1 SU 802940292 A SU802940292 A SU 802940292A SU 2940292 A SU2940292 A SU 2940292A SU 935865 A1 SU935865 A1 SU 935865A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
negative
charge
increase
potential
positive
Prior art date
Application number
SU802940292A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Леонид Геннадьевич Кулемин
Стасис Ионович Тамошюнас
Original Assignee
Вильнюсский Ордена Трудового Красного Знамени И Ордена Дружбы Народов Государственный Университет Им.В.Капсукаса
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Вильнюсский Ордена Трудового Красного Знамени И Ордена Дружбы Народов Государственный Университет Им.В.Капсукаса filed Critical Вильнюсский Ордена Трудового Красного Знамени И Ордена Дружбы Народов Государственный Университет Им.В.Капсукаса
Priority to SU802940292A priority Critical patent/SU935865A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU935865A1 publication Critical patent/SU935865A1/en

Links

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

(54) ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ(54) ELECTROPHOTOGRAPHIC MATERIAL

II

Изобретение относигс  к электрофотографии и касаетс  электрофотографического материала, примен емого дл  получени  электростатического изображени .The invention relates to electrophotography and relates to an electrophotographic material used to produce an electrostatic image.

Элекгроф ото графический элемент, выполненный в виде пластины или цилиндра и фотопррвод пдего-изолируюшего сло , примен ют дл  образовани  изображени  путем равномерной зар дки поверошости с последующим экспонированием активирующим электромагнитным излучением, способным селективно рассеивать зар д на освещенных участках фотопровод щего- изолирующего сло  при одновременном сохранении зар да на неосвещенных учаCTKax .Tiпро влением скрытого электростатического изображени  отложением мелко измельченных электроскопических на поверхности фотопровод щего- изолирующего сло .An electrophotographic element made in the form of a plate or cylinder and photoprofile of this insulating layer is used to form an image by uniformly charging the surface followed by exposure to activating electromagnetic radiation capable of selectively dissipating the charge on the illuminated portions of the photoconductively insulating layer while preserving the charge on the unlighted participantsCTKax. Ti by the appearance of the latent electrostatic image by the deposition of finely ground electroscopic images the properties of the photoconductive insulating layer.

Известен элекгрофотографнческий материал , содержащий слой селенида мыщь ка , нанесенный в вакууме на электропровод щую подложку, заключающийс  в том.An electrophotographic material is known that contains a bristle selenide layer deposited in vacuum on an electrically conductive substrate, which consists of this.

что подложку нагревают до 14О-280 С, а затем производ т охлаждение со скоростью 1-5°С/мин. В результате этого увеличиваетс  потенциал зар дки к фоточувствителъность материала во всей вита- мой области спектра Cl. that the substrate is heated to 14 ° –280 ° C and then cooled at a rate of 1–5 ° C / min. As a result of this, the charging potential of the photosensitivity of the material increases in the entire white spectral region of Cl.

Недостатками данного материала  вл  ютс  больща  скорость темнового спада положительного потенциала и отсутствие фоточувствительности при отрицательном The disadvantages of this material are the greater rate of dark decay of positive potential and the lack of photosensitivity with a negative

10 поверхностном зар де.10 surface charge.

Известен также электрофотогра(})ический материал, состо щий из электропровод щей подложки и. сло  органического ф{ тогфоводника поли-N-эпоксипропилкарба-15 зола с сенсибилизатором. Применение в качестве сенсибилизатора соединений 2- -ари;ь-3-адетил-1,4-нафтохинонового р да приводит к увеличению фоточувствительности и расщирению ее спектральной об ласти в диапазоне 380-78О нм 2. Недостатками этого материала  вл ютс  мала  интегральна  чувствительность при от . рицатедьном потенциале и отсутствие фо- 93 точувсгвигельносги при положительном поген1шале ё указанной области спектра. Наиболее близким к предлагаемому  вл етс  алектрофотографический материал, состо щий из поало ски и сло  поли- N -эпоксипроггалкарбдзола с сенсибилизаторами органическими красител ми, электрон о-акцепторными или другими полупроводниковыми веществами. Материал зар жаетс  положительными и отрицательными Ю An electrophotograph (}) is also a known material consisting of an electrically conductive substrate and. a layer of organic ph {tofvovnika poly-N-epoxypropylcarba-15 ash with a sensitizer. The use of compounds of the 2- ari; l-3-adhetil-1,4-naphthoquinone series as a sensitizer leads to an increase in photosensitivity and the expansion of its spectral range in the range of 380-78 O nm 2. The disadvantages of this material are low integrated sensitivity at from The potential potential and the absence of a photo-to-horizontal engine with a positive flux at the indicated spectral region. The closest to the one proposed is an electrophotographic material consisting of a flush layer and a layer of poly-N-epoxy-progolgcarbdzola with organic dye sensitizers, an electron o-acceptor, or other semiconductor substances. The material is charged positive and negative.

зар дами, обладает хорошими эластичными свойствами, улучшенной адгезией к подложке и гибкостью СЗ.charges, has good elastic properties, improved adhesion to the substrate and SZ flexibility.

Недостатками материала  вл ютс  ниэка  фоточувствительность и узка  область спектральной чувстиительности. Кроме этого, в процессе многократного исполь-г зовани , его фотопровоа ща  поверхность подвергаетс  воздействию окружающей среды, в частности воспринимает истирание , многократное химическое, тепловое, электрическое и световое возцейсгви , в результате чего ухудшаютс  электрические характеристики фотопровод щего сло . Цель изобретени  - повышение фоточувствительности в области спектра ЗОО78О нм как при положительном, так и при отрицательном зар де с одновременным увеличением прочности материале. Цель достигаетс  тем, что электрофотографический материал, состо щий из элeктpoпpoвoдsш eй подложки и нанесенного на нее фотоактивного элемента, диспер гнрованного в поли-М-эпоксипропилкарбазоле , в качестве, фотоактивного элемента содфжит.триселенид мышь ка при следующем соотношении компонентов, мас.%: Триселенид мышь ка 1О-6О Поли- N-эпоксипропилкарбазол50-90 В качестве фотоактивного элемента он может содержать триселениа мышь ка с п|жмес ми талли , теллура, серы и/или сурьмы в количестве O,OljO,5 мас.%. На фиг. I представлен электрофотографическ й материал в виде пластины; на фиг. 2 - спектральное распределение фоточувствительности предлагаемого материала . Элект.рофотографический материал состоит из электропровод щей подложки 1 и фотопровод щего сло  2, котфый содержи частицы мелкоизмельченного фотоактивного элемента 3, диспергированного в г электроактивном веществе пшш-N-эпоксипропилкарбазоле 4. Спектральное распределение фоточувст- вительности предлагаемого материала при положительном (крива  1 и отрицательноThe disadvantages of the material are nyeka photosensitivity and a narrow spectral sensitivity region. In addition, in the process of repeated use, its photoconductive surface is exposed to the environment, in particular, it perceives abrasion, multiple chemical, thermal, electrical and light scenes, as a result of which the electrical characteristics of the photoconductive layer are impaired. The purpose of the invention is to increase the photosensitivity in the spectral region of ZOO78Onm both with positive and negative charge with a simultaneous increase in the strength of the material. The goal is achieved by the fact that an electrophotographic material consisting of an electroconductive substrate and a photoactive element deposited on it, dispersed in poly-M-epoxypropylcarbazole, as a photoactive element of the mouse arsenic triaselide in the following ratio of components, wt.%: Trielenide mouse 1O-6O Poly-N-epoxypropylcarbazole 50-90 As a photoactive element, it may contain a triplennya mouse with, mixture of thallium, tellurium, sulfur and / or antimony in the amount of O, OljO, 5 wt.%. FIG. I shows the electrophotographic material in the form of a plate; in fig. 2 - the spectral distribution of the photosensitivity of the proposed material. The electrophotographic material consists of an electrically conductive substrate 1 and a photoconductive layer 2, which contains particles of finely ground photoactive element 3 dispersed in g of electrically active material nc-N-epoxypropylcarbazole 4. The spectral distribution of photosensitivity of the proposed material with a positive (curve 1 and negative

Claims (3)

та, так и на границе раздела его с электроактовным веществом поли-N-эпоксипропилкарбазолом за счет инжекции носителей зар да в электроактивный элемент. 54 ( крива  2) зар дах (фиг. 2) измер ют по времени полуспада начального потенциала при посто нном числе квантов монохроматического света. Сущность изобретени  заключаетс  в том, что повышение фоточувствительности в широкой области спектра вызвано высокоэффективной абсорбцией света и фотогенерацией носителей зар да, прорсход5тщей как в частицах фотоактивного элеменУвеличение механической прочности материала обусловлено хорошей взаимосв зью мелк.оизмельченного фотоактивного элемента с электроактивным св зуюдшм веществом . Кроме этого, прочность к э-пе- ктрическому воздействию вызвана увеличение м ди элек т ри ческ ой п роницае м ости материала. Рекомендуетс  подложка 1 из любого подход щего материала, например, алюми-ни , стали, латуни и меди. Подложка i может быть жесткой или гибкой и имь-ть любую требуемую толщину. Типичные подлонсКи включают гибкие ленты, листы, полосы, пластины, цилиндры и т.п. Подложка может быть из металлизированной бумаги, а также слдастой, состо щей из пластика, псакрытого тонким слоем алюмини  или окиси меди, или стекла, покрытого тонким слоем хрома или окиси олова. .В качестве фотоактивного элемента 3 примен етс  триселенид мышь ка или он же с примес ми талли , теллура, серы или сурьмы в количестве О,О1-О,5 мас.%, частицы Которого, размером в пределах 0,О I - 2,О мкм, циспергирсеаны в поли-N-эпоксипропилкарбазоле 4. Толщина фотопровод щего сло  2 должна быть в пределах 3-10О мкм, предпочтительно 5- 50 мкм. П р и м е р I. Стеклошдвый сплав триселенида мышь ка измельчают в микромельнщхе в течение ЗО мин, просеивают через сито и подучают порошок, размер частиц которого равен О,01-2,0 мкм. Просе нный порошоКВ количестве 2,5 г смешивают с 25 г 20%чного раствора поп - N-эпоксииропилкарбазола в тодуоле и диспергируют в мельнице в течение 1 ч. Полученную суспензию нанос т на медную фольгу О,О5 мм и сушат в термостате 2О-ЗО мин при 6О-65°С. Фотопровод ышй слой толщиной 4-5 мкм зар жаетс  до 35О В положительного зар да и 150 В отрицательного зар да. На фиг. 2 показано спектральное рас пре целение фоточувсгвигельносги материала прк положительном и отрицательном зар цах. Экспозици  полуспада начального положительного потенциала при освещении светом лампы накаливани  составл ет 3 лкс, а отрицательного потенциала 6 лкс. Врем  полуспаца попонсительного потенциала в темноте 90 с, отрицательного - ЗО с. П р и м е р 2. Элактрофотографический материал получают аналогично примеру 1 за исключением того, что в качестве фотоактивного элемента примен ют три селенид мышь ка с примес ми талли  или теллура в количестве 0,2 мас.%, Измельченный порошок в количестве 1,5 г смешивают с 25 г ЗО%-ного раствора ПЭПК и толуоле к диспергируют в мельнице в течение 4О мин. Нанесенный на подложку и высушенный в термостате фотопроводниковый слой толщиной 8-9 мкм зар жаешьс  положительным зар дом до 500 В и отрицательнымдо ЗОО В. Экспозици  по .луспада положительного потенциала составл ет 6 лкс, а отрицательного - 10 лкс. Врем  полуспада положительного потенциала в темноте 6О с, а отрицательного 40 с. Область фоточувствительности ЗОО 780 нм как при положительном, так и при отрицательном зар де. При м е р 3, Электрографический материал получают аналогично прикюру 1 за исключением того, что в качестве фо-. товктивного элемента примен ют смесь триселенида мышь ка в количестве 95 вес.% и триселеница сурьмы в количестве 5 вес.%. Измельчение стекловидных сплавов происходит в микромельнице однсеременно с их перемешиванием в течение 1,5 ч . Изготовленный фотопроводниковый слой толщиной 3-4 мкм зар жаетс  и до положительного потенциала 250 В и отрицательного - 100 В. Экспозици  полуспада положительного зар - да 2,5 лкс, отрицательного 5,5 лкс.Область фоточувствительности ЗОО-78О нм при обоих пол рност х зар да. У/1учщение фотоэлектрических свойств элекгрофотографического материала св зано с тем, что по сравнению с известн1 МИ сло ми на основе поли-N-эпоксигфо- пилкарбазола расшир етс  область спектра и увелишваетс .чувствительность к интегральному свету в ЗО-1ОО раз в зависимости от пол рности и величины зар да , обусловленна  высокоэффективной генерацией и транспортировкой носителей зар да в фотопровод щем слое. ГТс ышение прочности обусловлено большой мик- ротвердостью триселеница мышь ка и вз имосв зью компонентов материала, а также увеличением диэлектрической проницаемости фотопровод щего сло  в 1,21 ,8 раза. При этом сохран ютс  эластические и адгезионные свойства, необх1 димые дл  вьюокоэффективных носителей, записи информации на гибкой основе. Формула изобретени  1.Электрофотографический материал, состо щий из электрогфсвод щей подложки и нанесенного на нее фотоактивного элемента, диспергированного в поли-N-эпоксипропилкарбазоле , отличающийс  тем, что, с целью повышени  фоточувствительности в области спектра ЗОО-78О нм кшс при положительном, так и при отрицательном зар де с оцновременным увеличением прочности материала, а  в качестве фотоактивного элемента содержит триселенид мышь ка при следующем соотношении компонентов, мас.%: Триселенид мышь ка1О-5О Поли-N-эпоксипропилкарбазол5О-9О 2.Материал по п. 1, отличающийс  тем, что в качестве фотоактий- ного элемента он содержит триселениц мышь ка с примес ми талли , теллура, серы 1И/ИЛИ рурьмы в количестве О,01-Ю,5 мас.%,. Источники информации, прин тые во внимание при эксдартиэе 1.Автфское свидетельство СССР |М« 245555, кл. G ОЗ Q 5/О82, 1966. both at the interface with the electro-active substance poly-N-epoxypropylcarbazole due to the injection of charge carriers into the electroactive element. 54 (curve 2) charges (Fig. 2) are measured by the half-life of the initial potential with a constant number of quanta of monochromatic light. The essence of the invention is that an increase in photosensitivity in a wide spectral range is caused by highly efficient absorption of light and photogeneration of charge carriers that occur as photoactive elements in particles. The increase in the mechanical strength of the material is due to the good interconnection of the finely ground photoactive element with an electroactively coupled substance. In addition, the strength to e-spektricheskoy impact caused by an increase in the electrical resistance of the material. A substrate 1 of any suitable material, such as aluminum, steel, brass and copper, is recommended. Substrate i can be rigid or flexible and have any desired thickness. Typical liners include flexible belts, sheets, strips, plates, cylinders, and the like. The substrate may be of metallized paper, as well as a sladasty, consisting of plastic, covered with a thin layer of aluminum or copper oxide, or glass, covered with a thin layer of chromium or tin oxide. As a photoactive element 3, arsenic triselenide or he is used with impurities of thallium, tellurium, sulfur or antimony in the amount of O, O1-O, 5 wt.%, Whose particles, with a size in the range 0, O I - 2, About μm, cispergirseanes in poly-N-epoxypropylcarbazole 4. The thickness of the photoconductive layer 2 should be in the range of 3-10 O μm, preferably 5-50 μm. PRI me R I. A glassy alloy of mouse triselenide is ground in a micromelon for 30 minutes, sieved through a sieve and powder is obtained, the particle size of which is O, 01–2.0 µm. A 2.5 g sieved powder of powdered amount is mixed with 25 g of a 20% solution of pop-N-epoxypropylcarbazole in toduol and dispersed in a mill for 1 hour. The resulting suspension is applied on O, O5 mm copper foil and dried in a thermostat 2O-30. min at 6 ° -65 ° C. The photoconductor layer with a thickness of 4–5 µm is charged to 35 OV of positive charge and 150 V of negative charge. FIG. Figure 2 shows the spectral resolution of the photosensitive material of the material on positive and negative charges. The exposure time of the initial positive potential when illuminated by incandescent lamp light is 3 lx, and the negative potential is 6 lx. The half-time of the potential potential in the dark is 90 s, the negative one is 30 s. EXAMPLE 2 An elactic photographic material was prepared analogously to example 1, except that three selenide arsenic with admixture of thallium or tellurium in an amount of 0.2 wt.% Were used as the photoactive element. Powdered powder in an amount of 1, 5 g are mixed with 25 g of a ZO% PEPC solution and toluene is dispersed in a mill for 4O minutes. A photoconductor layer with a thickness of 8–9 µm deposited on a substrate and dried in a thermostat is positively charged up to 500 V and negative to 3OO B. Exposure for the positive potential is 6 lux, and negative - 10 lux. The half-life of the positive potential in the dark is 6 O s, and the negative one is 40 s. The photosensitivity region of the ZOO is 780 nm, both with positive and negative charge. Example 3, Electrographic material is obtained in the same way as Press 1, except that as a photo. a mixture of arsenic triselenide in an amount of 95 wt.% and antimony trilenite in an amount of 5 wt.% are used in the active element. Grinding of glassy alloys takes place in a micromill at the same time, with stirring for 1.5 hours. The manufactured photoconductor layer with a thickness of 3-4 µm is charged to a positive potential of 250 V and negative - 100 V. The exposure half-life is positive charge 2.5 lx, negative 5.5 lx. Photosensitivity area ZOO-78 O nm for both fields charge The U / 1 photovoltaic properties of electrophotographic material are related to the fact that, compared to the known MI layers based on poly-N-epoxypropylcarbazole, the spectral region increases and the sensitivity to the integral light increases from 30 to 30 OO, depending on polarity and the magnitude of the charge due to the highly efficient generation and transportation of charge carriers in the photoconductive layer. The increase in strength is due to the high microhardness of the mouse triseli- nica and the coupling of the material components, as well as an increase in the dielectric constant of the photoconductive layer by 1.21, 8 times. At the same time, elastic and adhesion properties, which are necessary for view-efficient media, are preserved, so that information is recorded on a flexible basis. Claim 1. Electrophotographic material consisting of an electro-absorbing substrate and a photoactive element deposited on it, dispersed in a poly-N-epoxypropylcarbazole, characterized in that, in order to increase photosensitivity in the ZOO-78 O range. at a negative charge with a significant increase in the strength of the material, and as a photoactive element contains mouse tselenenide with the following ratio of components, wt.%: Mouse trilene ka1O-5O Poly-N-epoxypropyl arbazol 5O-9O 2. The material according to claim 1, characterized in that it contains as a photoacting element triple mice with impurities of thallium, tellurium, sulfur 1I / OR, oryomas in an amount of 0.01%, 5% by weight , Sources of information taken into account when executing 1. Authors' certificate of the USSR | M “245555, cl. G OZ Q 5 / O82, 1966. 2.Авторское свидетельство СССР № 720414, кл. Q 03 Q 5/О6, 1977. 2. USSR author's certificate number 720414, cl. Q 03 Q 5 / O6, 1977. 3.Авторское свидетельство СССР N 5О32ОО, кл. Q ОЗ Q 5/О6, 1972 (прототип).3. USSR author's certificate N 5O32OO, cl. Q OZ Q 5 / O6, 1972 (prototype). Фиг.FIG. 5л. nV5l. nV тt 9090 6060 30thirty 300 400 500 600 700 А.нм300 400 500 600 700 A.nm Фиг. 2.FIG. 2
SU802940292A 1980-06-17 1980-06-17 Electrophotographic material SU935865A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802940292A SU935865A1 (en) 1980-06-17 1980-06-17 Electrophotographic material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU802940292A SU935865A1 (en) 1980-06-17 1980-06-17 Electrophotographic material

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU935865A1 true SU935865A1 (en) 1982-06-15

Family

ID=20901957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU802940292A SU935865A1 (en) 1980-06-17 1980-06-17 Electrophotographic material

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU935865A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4265990A (en) Imaging system with a diamine charge transport material in a polycarbonate resin
CA1131492A (en) Imaging member containing a 1,6 diarylamino substituted pyrene derivative in a polycarbonate charge transport layer
US5238607A (en) Photoconductive polymer compositions and their use
JPS6034747B2 (en) image forming member
US4409309A (en) Electrophotographic light-sensitive element
US3121007A (en) Photo-active member for xerography
CA1075068A (en) Imaging system
US4382118A (en) Electrophotographic member with transport layer having inorganic n-type particles
US3928036A (en) Flexible xerographic photoreceptor element
US3712810A (en) Ambipolar photoreceptor and method
US3898083A (en) High sensitivity visible infrared photoconductor
CA1057557A (en) Xerographic photoreceptor device containing interlocking continuous chains of photoconductor
EP0130787B1 (en) An electrophotographic method for the formation of two-colored images
US4197119A (en) Electrophotographic process
SU935865A1 (en) Electrophotographic material
US3867143A (en) Electrophotographic photosensitive material
US4254199A (en) Electrophotographic imaging method having a double charging sequence
JPS63158560A (en) Electrophotographic sensitive body
CA1174889A (en) Imaging member including an intermediate layer of an acetal of poly(vinyl alcohol) and a photoconductive layer
US3709683A (en) Infrared sensitive image retention photoreceptor
US4482619A (en) X-Ray electro-photographic recording material and method for generating an electrical charge image in such material
US3971742A (en) Organo-chalcogen compositions
Faria et al. Cd/S, Se: Cu-photoconductive material for electrophotography
US4385105A (en) Electrophotographic image carrier structure
JPS63158556A (en) Electrophotographic sensitive body