SU932616A1

SU932616A1 - Магнитно-транзисторный ключ

Info

Publication number: SU932616A1
Application number: SU802932837A
Authority: SU
Inventors: Михаил Петрович Завьялов; Николай Николаевич Лаптев; Виталий Александрович Цишевский
Original assignee: Предприятие П/Я М-5374
Priority date: 1980-06-02
Filing date: 1980-06-02
Publication date: 1982-05-30

Description

(5) МАГНИТНО-ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ

1

Изобретение относитс к силовой транзисторной технике и может быть использовано в ключевых усилител х мощности, стабилизаторах, инверторах и т.п.

Известен магнитно-транзисторный ключ, содержащий трансформатор тока и силовой транзистор 1.

Однако известное устройство не отличаетс высоким быстродействием, так как перед моментом включени силового транзистора он находитс в насыщении.

Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности вл етс магнитно-транзисторный ключ, содержащий включенные по схеме составного транзистора силовой и управл ющий транзисторы , трансформатор тока, первична обмотка которого включена в силовую цепь, а вторична - последовательно с коллекторно-эмиттерным переходом управл ющего транзистора, и дополнительную обмотку, присоединенную одним выводом через диод к первому силовому электроду вспомогательного транзистора, эмиттер-базовый переход которого по.дключен к управл ющим шинам {2.

Однако и это известное устройство не отличаетс высоким быстродействием.

Цель изобретени - повышение быстродействи .

Claims

Поставленна цель достигаетс тем, что в магнитно-транзисторный ключ, содержащий включенные по схеме составного транзистора силовой и управл ющий транзисторы, трансформатор тока , первична обмотка которого включена в силовую цепь, а вторична последовательно с коллекторно-эмиттерным переходом управл ющего транзистора , и дополнительную обмотку, присоединенную одним выводом через диод к первому силовому электроду вспомогательного транзистора, эмиттербазовый переход которого подключен к управл ющим шинам, введен элемент задермки , причем второй вывод дополнительной обмотки подключен к второму силовому электроду вспомогательного. транзистора, а эмиттер-базовые переходы вспомогательного и составного транзисторов соединены между собой через элемент задержки. На чертеже представлена принципиальна электрическа схема предлагае мого устройства. Устройство содержит силовой и управл ющий транзисторы 1 и 2, включен ные по схеме составного транзистора, а также трансформатор 3 тока. Его первична обмотка f включена в силовую цепь ключа, вторична обмотка 5 - в коллекторную цепь управл юще-. го транзистора 2, а дополнительна обмотка 6 одним своим концом присоединена к коллектору вспомогательного транзистора 7, а другим св зана чере диод 8 с эмиттером того же транзисто ра. Последовательно с ключом включена нагрузка 9. Обратный диод 10 служит дл улучшени запирани силового тра зистора 1 по цепи управлени . Управл ющий переход вспомогательного транзистора св зан в противофазе с управл ющим переходом составного транзистора через элемент 11 задержки. Пусть составной транзистор (1,2) находитс во включенном состо нии, а транзистор 7 - в выключенном состо нии . Благодар действию токовой по ложительной обратной св зи обеспечиваетс насыщенное состо ние транзистора 11 в котором он находитс до момента измене и пол рности входного сигнала. В этот момент происходит включение транзистора 7 и дополнительна обмотка 6 трансформатора 3 тока замыкаетс накоротко через указанный трэнзист ч) 7 и диод 8. Действие положительной обратной св зи прекращаетс , силовой транзистор 1 выходит иг области насыщени и схема насы щенного составного транзистора преобразуетс в схему Дарлингтона (ненасыщенный составной транзистор). Таким образом, к моменту подачи че рез элемент 11,задержки выключающего сигнала на составной транзистор силовой транзистор 1 находитс в активной области, что позвол ет его выключить практически без задержки после изменени пол рности сигнала. . Параметры элемента 11 задержки выбирают таким образом, чтобы он обеспечивал задержку в подаче сигнала на составной тран;зистор, достаточную дл рассасывани избыточных носителей на этапе открытого состо ни ключа. Обычно это величина пор дка нескольких микросекунд. Ток базы транзистора 1 имеет ступенчатый характер вследствие увеличени реального коэффициента усилени транзистора по току при его переходе в активную область. Запертое состо ние ключа сохран етс доследующего изменени пол рности сигнала, поступающего на составной транзистор, после чего процессы повтор ютс . Изменение пол рности входного сигнала при выключенном состо нии ключа не приводит к изменению его состо ни . Формула изобретени Магнитно-транзисторный ключ, содержащий включенные по схеме составного транзистора силовой и управл ющий транзисторы, трансформатор тока, Iпервична обмотка которого включена в силовую цепь, а вторична - последовательно с коллекторно-эмиттерным переходом уп равл ющего транзистора, и дополнительную обмотку,присоединенную одним выводом через диод к первому силовому эЛектроду вспомогательного транзистора, эмиттер-базовый переход которого подключен к управл ющим шинам, отличающий с тем, что, с целью повышени быстродействи , в него введен элемент задержки, причем второй вывод дополнительной обмотки подключен к второму силовому электроду вспомогательного транзистора, а эмиттер-базовые переходы вспомог тельного и составного транзисторов соединены между собой через элемент задержки . . Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1 Авторское свидетельство СССР W 517987, кл. Н 03 F 3/26, 1973.
2. Глебов Б.А. и др. Высокоэффективные ключи посто нного тока.Сборник Устройства вторичных источников электропитани , РЭА,- МДНТП, М., 1976, с. 138-143 (прототип).