Изобретение относитс к обработке твердых материалов, в частности к алмазно-абразивной обработке полупроводниковых пластин. Известен способ шлифовки твердых хрупких материалов свободным абразивом . Шлифованна поверхность имееТ равномерно-матовую фактуру, образующуюс при перекатывании незакрепленных абразивных зерен 1. Однако производительность этого способа низка. Известен также способ обработки твердых материалов, согласно котором шлифовка твердых материалов св занны абразивом производитс с многократны выхаживанием дл повышени качества обработанной поверхности 1.2. Однако процесс выхаживани не уст ран ет характерных следов-реза, не поз&ол ет получить однородную поверх ность обрабатываемого материала. Цель изобретени - получение одно.- родной поверхности пластин при высокой производительности процесса Указанна цель достигаетс тем, что в известном процессе, включающем операции шлифовани св занным абразивом и выхаживани , после шлифовани св занным,абразивом на этапе выхаживани в зону ббработки подают абразивную суспензию с величиной зерна равной размеру выступающей части зерна св занного абразива. Примен емый свободный абразив должен иметь размер зерна приблизительно равный размеру выступающей из св зки части зерен шлифовального круга. Так как в св занном абразиве примерно 1/3 часть зерна находитс в св зке , то размер зерен свободного абразива должен быть приблизительно равен 2/3 размера зерна св занного абразива , т.е. размеру выступающей части зерна св занного абразива. При меньшем размере зерен свободного абразива (менее размера выступающей части его.действие неэффективно, так как на поверхности обрабатываемого материала остаютс в виде рисок следы шлифовани св занным абразивом. При большем размере зерен свободного абразива (больше размера выступающей -части зерна св занного абразива) ухудшаетс класс шероховатости поверхности обрабатываемого материала и увеличиваетс глубина нарушенного поверхностного сло . При обработке пластин фосфида галли алмазным кругом поверхность пластин имеет характерную сетку с четко выраженными следами реза от алмазного круга. После удалени основного припуска материала в зону обработки на этапе выхаживани подаетс абразивна суспензи с микропорошком. Поверхность пластин после обработки имеет однородную поверхность, следы реза отсутствуют.The invention relates to the processing of solid materials, in particular to diamond abrasive machining of semiconductor wafers. There is a method of grinding hard brittle materials with a free abrasive. The grinded surface has a uniformly matt texture that is formed when the loose abrasive grains are rolled 1. However, the productivity of this method is low. There is also known a method for treating hard materials, according to which grinding of hard materials connected with abrasives is carried out with repeated nursing to improve the quality of the treated surface 1.2. However, the process of nursing does not eliminate the characteristic traces of the cut, and it does not allow us to obtain a uniform surface of the material being processed. The purpose of the invention is to obtain a uniform surface of the plates with a high productivity of the process. This goal is achieved by the fact that in a known process, which includes grinding and bonded abrasive and nursing, after grinding with bonded, abrasive at the nursing stage, an abrasive suspension with a value is applied to the grinding zone during the nursing step. grain equal to the size of the protruding part of the grain associated abrasive. The free abrasive used should have a grain size approximately equal to the size of the part of the grinding wheel protruding from the bond. Since approximately 1/3 of the grain in the bonded abrasive is in bond, the grain size of the free abrasive should be approximately equal to 2/3 of the grain size of the bonded abrasive, i.e. the size of the protruding part of the grain associated abrasive. With a smaller grain size of the free abrasive (less than the size of the protruding part of it. The effect is inefficient, since the surface of the material being processed remains in the form of scratches, the grinding traces are bound by the abrasive. With a larger grain size of the free abrasive (larger than the protruding part, the grain of the bonded abrasive) worsens the surface roughness class of the material being processed and the depth of the damaged surface layer increase.When gallium phosphide plates are treated with a diamond circle, the surface of the plates has a kternuyu mesh with clear traces cut by a diamond wheel. After removal of oversize material in the main processing zone in step Developmental care supplied abrasive slurry with micropowder. The surface of wafers after processing has a uniform surface, traces of cut no.
Способ позвол ет сочетать высокую производительность шлифовани св занным абразивом при съеме основного припуска материала на обработку и обеспечивать высокие геометрические параметры пластин (плоскостность, клиновидность) при требуемой однородности поверхности, получаемой при шлифовании свободным абразивом.The method allows to combine high grinding performance with bonded abrasives when removing the main material allowance for processing and to ensure high geometrical parameters of the plates (flatness, wedging) with the required surface uniformity obtained by grinding with a free abrasive.
Завершение процесса шлифовани (выхаживани ) при подаче в зону обработки свободного абразива в виде суспензии не увеличивает длительности процесса шлифовани и не требует реконструкции существующего спецтехнологического оборудовани .Completion of the grinding process (nursing) when feeding in the treatment area of a free abrasive in the form of a suspension does not increase the duration of the grinding process and does not require the reconstruction of the existing special technological equipment.