SU928619A1 - Dynamic element - Google Patents

Dynamic element Download PDF

Info

Publication number
SU928619A1
SU928619A1 SU792717857A SU2717857A SU928619A1 SU 928619 A1 SU928619 A1 SU 928619A1 SU 792717857 A SU792717857 A SU 792717857A SU 2717857 A SU2717857 A SU 2717857A SU 928619 A1 SU928619 A1 SU 928619A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
emitter
bus
voltage
collector
Prior art date
Application number
SU792717857A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Василий Дмитриевич Дмитриев
Original Assignee
Куйбышевский политехнический институт им.В.В.Куйбышева
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Куйбышевский политехнический институт им.В.В.Куйбышева filed Critical Куйбышевский политехнический институт им.В.В.Куйбышева
Priority to SU792717857A priority Critical patent/SU928619A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU928619A1 publication Critical patent/SU928619A1/en

Links

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Description

Изобретение относитс  к импульсной технике, в частности, к динамическим элементам, обладающим двум  устойчивыми состо ни ми. Известны ди намические триггерные и логические элементы, использую&1ие транзисторы 1 , f27. Осповиой недостаток таких элементов заключаетс  в наличии конденсаторной св зи между транзисторами , что увеличивает габариты элементов . Наиболее близким к данному техническому решению  вл етс  динамический элемент, выполненный на основе симметричного статического триггера на транзисторах с импульсным коллекTopHtoM питанием, также, содержагщй два транзистора, коллекторы которых подключены через резисторы к шине пе ременного напр жени  питани , а базы к входным шинам разнопол рнюс управл ющих импульсов З. Недостатки такого элемента заключаютс  в необходимости многофазного питани  и фазовой коррекции при построении на них вычислительного устройства , 1 также в большом количестве pa3HO3nehieHTOB и шин питани . Целью изобретени   вл етс  упрощение динамического элемента. Эта цель достигаетс  за счет то- го, что в динг1мическом элементе, содержащем два транзистора, коллектор первого из которых подключен через резистор к шине источника переменного напр жени , а базы транзисторов подклнученык входным минам источника разнопол рных импульсов, в базовую цепь первого транзистора последова ельно и встречно база-эмиттерному пе реходу включен диод, а эмиттер второго транзистора, подключенного коллектором к эмиттеру первого транзистора , соединен с общей шиной устройства . На фиг.1 представленапринципиаль НсШ электрическа  схема Динамическо- го элемента, на фиг.2 и 3 - эпюры выходных напр жений. Динамический элемент содержит первый транзистор 1 подключенный коллектором через резистор 2 с источником 3 переменного напр жени  питани , а э} т-:тером - к коллектору второго транзистора 4, со единенного эмиттером с общей шиной, диод 5 в базовой цепи .транзистора 1 при этом базовые цепи транзисторов 1 и 4 подключены к входным шинам 6 и 7 а эмиттер и коллектор транзистора 1 к нлходншл шинам 8 и. 9 соответственно Динамический элемент работает сле дующим образом. Висходном состо нии входные управл ющие сигналы на входных шинах б и 7 отсутствуют, а на шину источника 3 подано высокочастотное синусоидальное напр жение питани . В этом случае транзистор 4 представл ет собой значительное комплексное сопротивление ,  вл  сь нагрузкой в эмиттерной цепи транзистора 1|а переходы транзистора 1 не имеют внешнего смещени . Ваза транзистора 1 по посто нной составл ющей отключена диодом 5, а по переменной составл ющей соедине а с коллектором и эмиттером через емкости р-п-переходов. При малых амплитудах напр жени  питани  (U)ввиду , несимметричности переходов дрейфового транзистора 1, ток через него протекает в направлении от коллектора к эмиттеру. С увеличением амплитуды напр жени  питани  (V,,) величина этого тока достигает максимальной величины , а затем несколько снижаетс  (фиг.2 ) и наступает такой момент,что ток через транзистор 1 скачком мен ет свое направление и резко возрастает . Выходное напр жение Йд на выходной шине 9 скачком измен етс  от значени  в- точке а (фиг.2) до значени  в точке б, то есть из состо ни  О в состо ние -1. При дальнейшем увеличении амплитуды напр жени  питани  ( и, это направление протекани  тока сохран етс . При уменьшении амплитуды напр жени , питани  (и) срыв В1«одного напр - . жени  происходит не в точке б,а з точке 6. При этом выходное напр жение ив скачком переходит от значени  в точке б до значени  в точке а . Такое же изменение величины вшсодиого напр жени  Ug происходит и на выходной шине 8, но происхода1т , переход из состо ни  О в состо ние +1 (фиг.З ). Физический процесс изменени  выходных характеристик объ сн етс  тем, что по посто нной составл ющей тока транзистор 1 работает в режиме с отключенной базой и происходит накопление зар дов на базе за счет инерционности емкостей коллекторного и эмиттерного р-п переходов при высокочастотном напр жении питани . При увеличении ги тлитуды питани  наступает такое состо ние,что напр жение перехода база-эмиттер становитс  выше порога открывани  транзистора 1, и он приоткрываетс . При этом еще больше увеличиваетс  напр жение на его базе и транзистор скачком открываетс , а выходные напр жени .ТЗ и Jj скачком переход т в единичные состо ни  (из О в -1 и 4-1 соответственно ), Гистерезисна  зона выходных характеристик (фиг.2,3 объ сн етс  инерционностью емкостью р-п переходов транзистора 1. Перевод динамического злемента из одного состо ни  в другое осуществл ют подачей управл кицих разнопол рных штульсов на входные шины б и 7. Причем дл  обеспечени  триггерного ре .жима амплитуду напр жени  питани  (,U выбирают внутри гистереэисной зоны выхрдной характеристики, т.е. в области а-а (фиг.2 ). Исходное устойчивое состо ние соответствует О. Дл  перевода в устойчивое состо ние 1 (на выходйо;} шине 8 - +1 по выходной шине 9 - -1) на базу транзистора 4 подошт отрицательный импульс , внутреннее сопротивление транзистора 4 уменьшаетс , что приводит к увеличению амплитуды переменного напр жени  на электродах транзистора 1 и его открыванию. Выходные напр жени  на шинах 8 и 9 принимают состо ни  +1 и -1, которые не измен ютс  и после окончани  отрицательного шшульса на входной шине 7. Дл  перевода устройства в состо ние О на входную шину 6 подают положительный 11мпульс, который запирает перехо ды транзистора 1, вследствие чего он запираетс , причем это состо ние со |хран етс  и после окончани  положи тельного импульса на входной шине 6.The invention relates to a pulse technique, in particular, to dynamic elements having two stable states. Dynamic trigger and logic elements are known using & 1 transistors 1, f27. A obtrusive drawback of such elements is the presence of capacitor coupling between the transistors, which increases the dimensions of the elements. The closest to this technical solution is a dynamic element made on the basis of a symmetric static trigger on transistors with a pulse TopHtoM collection of power, also containing two transistors, the collectors of which are connected via resistors to the supply voltage bus, and the bases have different fields. Z. control pulses. The disadvantages of such an element are the need for multiphase power and phase correction when building a computing device on them, 1 also in large The number pa3HO3nehieHTOB and power rails. The aim of the invention is to simplify the dynamic element. This goal is achieved due to the fact that in the ding1mic element containing two transistors, the collector of the first of which is connected via a resistor to the alternating voltage source bus, and the bases of the transistors are connected to the input mines of the source of alternating pulses, sequentially and the counter-emitter junction is connected to a diode, and the emitter of the second transistor connected by a collector to the emitter of the first transistor is connected to the common bus of the device. Figure 1 shows the principle of the NSh electrical circuit of the Dynamic Element; figures 2 and 3 show the output voltage diagrams. The dynamic element contains the first transistor 1 connected by a collector through a resistor 2 with a source 3 of alternating supply voltage, and e} t-: ter - to the collector of the second transistor 4 connected by an emitter with a common bus, diode 5 in the base circuit of transistor 1 The base circuits of transistors 1 and 4 are connected to the input buses 6 and 7, and the emitter and collector of transistor 1 are connected to the buses 8 and 8. 9 respectively. The dynamic element works as follows. In the input state, the input control signals on the input buses B and 7 are absent, and a high-frequency sinusoidal supply voltage is applied to the source 3 bus. In this case, transistor 4 is a significant impedance, being the load in the emitter circuit of transistor 1 | and the transitions of transistor 1 do not have an external bias. The vase of transistor 1 is disconnected by a diode 5 through a constant component, and connected to a collector and an emitter through a variable pn junction capacitance through a variable component. At small amplitudes of the supply voltage (U) due to the asymmetry of the transitions of the drift transistor 1, the current flows through it in the direction from the collector to the emitter. With an increase in the amplitude of the supply voltage (V ,,), the magnitude of this current reaches a maximum value, and then somewhat decreases (Fig. 2), and there comes such a moment that the current through transistor 1 abruptly changes its direction and increases sharply. The output voltage Id on the output bus 9 abruptly changes from a value at point a (Fig. 2) to a value at point b, i.e. from state O to state -1. With a further increase in the amplitude of the supply voltage (and, this direction of current flow is maintained. With a decrease in the amplitude of the voltage, the supply (s), the breakdown B1 "of one voltage does not occur at point b, but at point 6. At the same time, the output voltage The jump changes from the value at point b to the value at point A. The same change in the magnitude of the input voltage Ug occurs on the output bus 8, but there is a transition from the state O to state +1 (FIG. 3). the process of changing the output characteristics is explained by the fact that current component transistor 1 operates in a disconnected base mode and charges accumulate at the base due to the inertia of the capacitance of the collector and emitter pn junctions at high frequency supply voltage. With increasing supply voltage, the voltage of the base transition The emitter becomes higher than the opening threshold of the transistor 1, and it opens slightly. At the same time, the voltage at its base increases even more and the transistor opens abruptly, and the output voltages. the states (from 0 to -1 and 4-1, respectively), the hysteresis of the output characteristics (Fig. 2.3, is explained by the inertia of the capacitance of the pnp transitions of the transistor 1. The transfer of a dynamic element from one state to another is carried out by feeding control of different polarity shtuls on the input buses b and 7. Moreover, to provide the trigger mode. The voltage amplitude of the supply voltage (, U is chosen inside the hystereic zone of the extrinsic characteristic, i.e. in the area aa (Fig.2). The initial steady state corresponds to O. To transfer to steady state 1 (output;} bus 8 - +1 on output bus 9 - -1) a negative impulse comes to the base of transistor 4, the internal resistance of transistor 4 decreases, which leads to an increase the amplitudes of the ac voltage across the electrodes of the transistor 1 and its opening. The output voltages on buses 8 and 9 take on states +1 and -1, which do not change and after the end of the negative pin on the input bus 7. To transfer the device to the state O on the input bus 6, a positive 11-pulse is applied, which locks the transitions transistor 1, as a result of which it is locked, and this state with | is stored after the end of the positive pulse on the input bus 6.

Таким образом, динамический мент выполн ет функцию триггера, имеет пр мой и инверсный выkoды. ОН содержит меньшее, чем известные уст ройства, число ргшиоэлементов н дл  его питани  достаточно иметь высокочастотное синусоидальное напр жение. Подключа  ко входам б и 7 диодные, : или диодно-транзисторные сборкн,можно реализовать логические ойерацин или, НЕ, И.Thus, the dynamic moment performs the function of a trigger, it has direct and inverse outputs. HE contains less than the known devices, the number of rschioelements n is enough to have a high-frequency sinusoidal voltage to power it. By connecting inputs b and 7 diode,: or diode-transistor assemblies, you can implement logical oyratsin or, NOT, I.

9и2.г9 and 2. g

. /. /

,-;, -;

%%

л г и .1 nill g and .1 nil

ШSh

V j и V V j and V

Claims (1)

(547 ДИНАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий два транзистора, коллектор первого из которых подключен через резистор к шине источника переменного напряжения, а базы транзисторов подключены к входным шинам источника разнополярных управляющих импульсов, отличающийся тем, что, с целью упрощения устройства, в -базовую цепь первого транзистора последовательно и встречно база-эмиттерному·· переходу’включен диод, а эмиттер второго транзистора, подключенного коллектором к эмиттеру первого транзистора, соединен с общей шиной устройства. .(547 DYNAMIC ELEMENT containing two transistors, the collector of the first of which is connected through an resistor to the bus of the AC voltage source, and the base of the transistors are connected to the input buses of the source of different-polarity control pulses, characterized in that, in order to simplify the device, the β-circuit of the first transistor a diode is connected sequentially and counterclockwise to the base-emitter ·· junction, and the emitter of the second transistor connected by a collector to the emitter of the first transistor is connected to the device common bus.
SU792717857A 1979-01-26 1979-01-26 Dynamic element SU928619A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792717857A SU928619A1 (en) 1979-01-26 1979-01-26 Dynamic element

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792717857A SU928619A1 (en) 1979-01-26 1979-01-26 Dynamic element

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU928619A1 true SU928619A1 (en) 1982-05-15

Family

ID=20807318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792717857A SU928619A1 (en) 1979-01-26 1979-01-26 Dynamic element

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU928619A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US2787712A (en) Transistor multivibrator circuits
US5361008A (en) Switching circuit of low power consumption
US5068571A (en) Switched bridge circuit
US2986652A (en) Electrical signal gating apparatus
US4419593A (en) Ultra fast driver circuit
EP0239762A2 (en) Buffer circuit
US2948820A (en) Multivibrator circuit
US3061799A (en) Frequency modulated multivibrator with a constant duty cycle
US4845391A (en) Switching circuits performing thyristor and triac functions
US3970870A (en) Signal rectifying circuit
US3433978A (en) Low output impedance majority logic inverting circuit
SU928619A1 (en) Dynamic element
US3610962A (en) Bipolar receiver
US3142025A (en) Astable to bistable multivibrator control circuit
US3196289A (en) Clipping system
CN111614347B (en) Low temperature floats delay circuit
US3465171A (en) Signal limiting apparatus
US3060386A (en) Transistorized multivibrator
US3426283A (en) Quadrature signal suppression circuit
US3715604A (en) Integrated circuit frequency divider having low power consumption
SU1667225A1 (en) Schmitt flip-flop
SU1108612A1 (en) Symmetric multivibrator
US3399311A (en) Frequency divider employing inductive switching
RU2028724C1 (en) Former of saw-tooth pulses of double frequency
US3391353A (en) Square-wave oscillator with threeterminal resonant circuit