SU923335A1 - Волноводный газовый лазер - Google Patents

Волноводный газовый лазер Download PDF

Info

Publication number
SU923335A1
SU923335A1 SU803210043A SU3210043A SU923335A1 SU 923335 A1 SU923335 A1 SU 923335A1 SU 803210043 A SU803210043 A SU 803210043A SU 3210043 A SU3210043 A SU 3210043A SU 923335 A1 SU923335 A1 SU 923335A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
crystal
waveguide
laser
modulator
opposite
Prior art date
Application number
SU803210043A
Other languages
English (en)
Inventor
В.В. Григорьянц
М.Е. Жаботинский
Л.Н. Магдич
Б.А. Кузяков
Original Assignee
Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср filed Critical Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср
Priority to SU803210043A priority Critical patent/SU923335A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU923335A1 publication Critical patent/SU923335A1/ru

Links

Landscapes

  • Lasers (AREA)

Description

ской поверхности, радиус ее кривизны оп редел етс  из соотношени (,-.)R.,+8), где Я - длина волны излучени , б - параметр расстройки, ,7032а, а -больша  сторона внутренней поверхности волноводной разр дной трубки. На фиг. 1 показана конструкци  лазера; на фиг. 2 - схема определени  углов, под которыми расположены грани кристаллов. На фиг. I изображены: лазерное зеркало I, волноводна  разр дна  трубка 2, волноводна  разр дна  трубка 3 пр моугольного сечени , электрод 4, кристалл 5 акустооптического модул тора, входна  грань 6 кристалла, противолежаш,а  поверхность 7 кристалла, внутреннее лазерное зеркало 8, пьезопреобразователь 9, выходное излучение 10. Оптический резонатор состоит из лазерного зеркала 1 и внутреннего зеркала 8, установленного непосредственно на поверхности 7 кристалла 5 акустооптического модул тора . Входна  грань 6 кристалла 5 замыкает волноводную разр дную трубку 3 пр моугольного сечени . Входна  грань 6 кристалла модул тора срезана под углом Брюстера. Противолежаща  ей поверхность 7 расположена перпендикул рно направлению недЕфрагированного лазерного луча, распростран ющегос  внутри кристалла 5 модул тора и касательна  плоскость к ее центру образует с оптической осью резонатора угол а, равный удвоенному дополнительному углу и углу Брюстера. На фиг. 2 показана схема дл  определени  угла а, где щ - показатель преломлени  воздуха, П) - показатель преломлени  кристалла Ge, ф -угол Брюстера. Устройство работает следующим образом. Активна  среда создаетс  в газовом тлеющем разр де, возбуждаемым высоковольтным источником питани , напр жение которого подаетс  на электроды 4 и заполн ет волноводную разр дную трубку 3. Когерентное излучение, возникающее в активной среде, отражаетс  от лазерного зеркала 1, проходит по волноводной трубке 3 и попадает на входную грань 6 кристалла 5 модул тора. Лазерный луч преломл етс  на входной грани 6, срезанной под углом Брюстера и, проход  внутри кристалла 5 модул тора, попадает на противолежащую поверхность 7 кристалла, на которой расположено внутреннее лазерное зеркало 8. Отража сь от лазерного зеркала 8, лазерный луч возвращаетс  в волноводный канал , усиливаетс  в активной среде и попадает на лазерное зеркало 1. Этот процесс многократно повтор етс , так как оптический путь лазерного луча замкнут. При подаче модулирующего напр жени  на пьезопреобразователь 9 в кристалле 5 модул тора возбуждаетс  бегуща  акустическа  волна, котора  образует дифракционную решетку дл  падающей световой волны. Направлени  распространени  звуковой и световой волны образуют между собой угол Брэгга. Дифрагиру  на акустической волне, часть лазерного луча отклон етс  от первоначального направлени  в кристалле , отражаетс  от одной из граней кристалла и выходит (10, фиг. 1) из модул тора . При такой схеме работы модлу тора реализуетс  режим модул ции св зи. Дл  разв зки оптического резонатора при выключенном напр жении модул тора одно из зеркал выполнено полупрозрачным. Частота модулирующего напр жени  определ етс  акустооптическими параметрами кристалла модул тора, в качестве которого дл  модул ции световой волны ,6 мкм . используетс  ие, и заключена в пределах 300-500 МГц. Выходна  мощность излучени  волноводного газового лазера существенно зависит от уровн  потерь внутри резонатора, включающих потери в волноводе, на лазерных зеркалах, потери на выходных окнах и в модул торе. Поэтому существенным вопросом  вл етс  уменьшение потерь внутри оптического резонатора за счет уменьшени  числа используемых оптических внутрирезонаторных элементов и уменьшени  потерь на всех используемых элементах. В данной конструкции лазера входна  грань 6 кристалла 5 модул тора непосредственно замыкает торец волноводной газоразр дной трубки 3 под углом Брюстера к оптической оси резонатора, что позвол ет уменьшить число оптических элементов внутри резонатора и, следовательно, уменьшить потери, которые возникают при использовании выходного окна в газоразр дной трубке. Эти потери складываютс  из потерь на рассе ние и отражение на поверхност х выходного окна и потерь на поглощение в материале окна. Кроме этого , отсутствует свободное пространство между торцом волноводного канала и кристаллом модул тора, что уменьшает потери на согласование лазерного луча в этих элементах. Лазерный луч из волноводной газоразр дной трубки 3 попадает непосредственно в кристалл 5 модул тора и отражаетс  в обратном направлении от зеркала 8 или высокоотражающего покрыти , нанесенного на поверхность 7 кристалла , поверхность 7 расположена перпендикул рно направлению недифрагированного луча, распростран ющегос  внутри кристалла . При этом уменьшаютс  потери на согласование между лучом, проход щим в кристалле, лазерным зеркалом. Если противолежаща  поверхность крисалла выполнена в виде сферической поверхности , то радиус ее кривизны опреде етс .ч из услови  оптимального согласовани  волноводной моды и лазерного пучка в кристалле модул тора. Величина R соответствует соотношению
2иа
1 + 8 .
1 -8 R
где К - длина волны излучени , б - параметр расстройки, Wo 0,7032 а, а - больша  сторона внутренней поверхности волноводной разр дной трубки. Параметр расстройки б зависит от добротности резонатора и суммарного коэффициента усилени . При максимальном усилении активной среды величина б удовлетвор ет соотношению
2тсшЙ
,3
Противолежащую поверхность кристалла можно выполнить в виде цилиндрической поверхности с радиусом кривизны R, определ емым вышеприведенным соотношением. Потери излучени  будут минимальными при толш,ине кристалла, равной, например, меньшей стороне внутренней поверхности волноводной разр дной трубки, т. е. кристалл модул тора  вл етс  продолжением волноводного канала в одной из взаимно перпендикул рных плоскостей.
В случае выполнени  противолежаш,ей поверхности кристалла плоской, внутреннее зеркало, образованное высокоотражаюш ,им покрытием,  вл етс  плоским, что накладывает ограничение на рассто ние между выходным торцом волноводной разр дной трубки и зеркалом. Величина этого рассто ни  / определ етс  из услови  малости потерь, возникающих за счет дифракции излучени  на торце волноводного канала, таким образом, что . При таком выборе рассто ни  / потери на дифракцию остаютс  меньше потерь на поглощение в кристалле модул тора, и можно добитьс  превышени  усилени  активной среды над суммарными внутрирезонаторными потер ми. Габариты пьезопреобразовател  и поперечного сечени  волноводной трубки канала подобраны так, чтобы обеспечить оптимальное согласование объема акустического столба и лазерного пучка, проход щего в кристалле 5.
Другим фактором, обуславливающим уменьшение потерь в резонаторе,  вл етс  уменьшение потерь в самом модул торе. Использование акустооптического модул тора из Ge, работа которого основана на дифракции лазерного луча на ультразвуковой волне позвол ет реализовать режим внутри резонаторной модул ции, так как суммарные оптические потери в таком кристалле на пор док величины меньше потерь в кристалле модул тора из GaAg.
В данном устройстве кристалл модул тора выполн ет одновременно несколько функций: замыкает волноводный канал,  вл етс  продолжением волновода,  вл етс  лазерным зеркалом и модул тором.
Существенным достоинством данного устройства  вл етс  также компактность и
возможность установки всех оптических элементов на одном общем основании, т. е. по вл етс  возможность реализовать конструкцию волноводного лазера интегрального типа. Таким образом, данное
устройство позвол ет устранить недостатки, присущие ранее известным устройствам, и обеспечивают возможность конструировани  малогабаритных волноводных газовых лазеров с внутрирезонаторным модул тором .

Claims (5)

1.Волноводный газовый лазер, содержащий волноводную разр дную трубку пр моугольного сечени  и модул тор, помещенные в оптический резонатор, состо щий из двух зеркал, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  выходной мощности излучени , модул тор выполнен в виде акустооптического шестигранного кристалла , при этом торцева  поверхность волноводной разр дной трубки пр моугольного сечени  замкнута входной гранью кристалла
акустооптического модул тора, установленной под углом Брюстера, а противолежаща  входной грани поверхность кристалла выполнена криволинейной, касательна  плоскость к центру которой составл ет с
оптической осью резонатора угол, равный удвоенному дополнительному углу к углу Брюстера, и на ней расположено одно из зеркал резонатора, причем толщина кристалла модул тора равна меньшей стороне
внутренней поверхности волноводной разр дной трубки.
2.Лазер по п. 1, от л ич а ю щи и с  тем, что противолежаща  входной грани поверхность кристалла выполнена сферической.
3. Лазер поп. 1, отличающийс  тем, что противолежаща  входной грани поверхность кристалла выполнена в виде цилиндрической поверхности.
4. Лазер по пп. 1-3, отличающийс 
тем, что радиус кривизны R противолежащей входной грани поверхности кристалла выбран из соотношени ;
2
-MQ
R .
1-8
1+5
где Я - длина волны излучени , 0,7032 а, а - больша  сторона внутренней поверхности волноводной разр дной
трубки, б - параметр расстройки.
5. Лазер по п. 1, отл и ч а ющи и с  тем, что противолежаща  входной грани поверхность кристалла выполнена плоской, а рассто ние меледу ней и торцом волноводной
разр дной трубки Eie больше, чем 20 а. 78
Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе
I. Stein А. «Chirp modulated CO2-wavequide laser IEEE. J. Quant Electron, QE-11, 1975, N 8, p. 1.630.
923335
2. Патент США N« 4105953, кл. 331-94,5Q, оиублик. 1978 (прототии).
SU803210043A 1980-11-28 1980-11-28 Волноводный газовый лазер SU923335A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803210043A SU923335A1 (ru) 1980-11-28 1980-11-28 Волноводный газовый лазер

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU803210043A SU923335A1 (ru) 1980-11-28 1980-11-28 Волноводный газовый лазер

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU923335A1 true SU923335A1 (ru) 1982-10-23

Family

ID=20928993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU803210043A SU923335A1 (ru) 1980-11-28 1980-11-28 Волноводный газовый лазер

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU923335A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004061507A1 (en) * 2002-12-17 2004-07-22 Massachusetts Institute Of Technology Waveguide-to-semiconductor device coupler

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004061507A1 (en) * 2002-12-17 2004-07-22 Massachusetts Institute Of Technology Waveguide-to-semiconductor device coupler
US6944368B2 (en) 2002-12-17 2005-09-13 Massachusetts Institute Of Technology Waveguide-to-semiconductor device coupler

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4257016A (en) Piezo-optic, total internal reflection modulator
US3905676A (en) Coupling device for optical waveguide
US3760292A (en) Integrated feedback laser
US4118675A (en) Laser tuning with an acousto-optic lens
JPS6290618A (ja) 光変調装置
US4057770A (en) Acousto-optic Q-switch
US3414839A (en) Unidirectional ring laser
US3389348A (en) Gating system for high power laser cascade
GB2052842A (en) Fast acousto-optic q-switch laser
SU923335A1 (ru) Волноводный газовый лазер
US4216440A (en) Surface acoustic wave tuning for lasers
JPH08510571A (ja) 電磁放射の周波数を上昇させる装置
RU2448353C1 (ru) Акустооптический модулятор света
US3891308A (en) Acoustooptic modulator
US4339821A (en) Acousto-optic mode-locked laser
US4019155A (en) Acousto-optic modulated laser
US3464027A (en) Laser modulation by focused acoustic energy
US3529886A (en) Iodic acid acousto-optic devices
JP3633045B2 (ja) 波長フィルタ
EP0114716A2 (en) Acoustic-optic beam deflector
SU556688A1 (ru) Лазер с внутренней ультразвуковой модул цией интенсивности излучени
US3569856A (en) Laser frequency modulating system
EP4354216A1 (en) Optical beam intensity modulator
JPS6150291B2 (ru)
KR100360474B1 (ko) 제2고조파발생장치