SU920838A1 - Запоминающее устройство - Google Patents

Description

, 1, . Изобретение относитс  к вычислительной технике и может быть использовано при разработке накопител  информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) дл  внешней пам ти ЭВМ. Одно из известных запоминающих устройств (ЗУ) содержит магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации, образующие основные замкнутые и дополнительные каналы продвижени  ЦМД, соединенные между собой посредством токопровод шей шины, и магниторезистивные датчики , подключенные к дополнительному каналу продвижени  ЦМД. Это ЗУ широко используетс  в системах пам ти на ЦМД Недостатком такого ЗУ  вл етс  невысока  помехоустойчивость и, как следствие, повышенна  чувствительность к воздействию внешних и внутренних факторов йЧнедостаточно хороша  взаимозамен емость его модулей. Наиболее близким к предлагаемому  вл -, етс  ЗУ на ЦМД, содержащее магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации , образуюшие магнитосв занные между собой основные и дополнительные каналы продвижени  ЦМД и магниторезистивные датчики, подключенные к дополнительным каналам 2. Последнее ЗУ  вл етс  более помехоустойчивым , чем первое. Недостатками данного устройства  вл ютс  большие времена вывода и ввода информации в режимах считывани  и записи из-за того, что ЦМД проход т рассто ни  между област ми магнитной св зи основньгх и дополнительных каналов за два периода управл ющего пол . Кроме того, дополни,тельные каналы содержат большое количество аппликаций. Цель изобретени  - повышение быстродействи  и упрощение ЗУ. Поставленна  цель достигаетс  тем, что в ЗУ, содержащем магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на которой расположены основные замкнутые и два дополнительных канала продвижени  цилиндрических магнитных доменов из ферромагнитных аппликаций, один из которых магнитосв зан с основными замкнутыми каналами продвижени  Цилиндрических магнитных доменов, магниторезистивные

датчики, подключенные к дополнительным каналам продвижени  цилиндрических магнитных доменов, токопровод щие шины, расположенные в основных замкнутых и дополнительных каналах продвижени  цилиндрических магнитных доменов, токопровод щие шины основных замкнутых и второго дополнительного каналов продвижени  цилиндрических магнитных доменов магнитосв заны с первым дополнительным каналом продвижени  цилиндрических магнитных доменов .

При этом дополнительные каналы выполнены из асимметричных С-образных ферромагнитных аппликаций, причем первые концы каждой из аппликаций второго дополнительного канала продвижени  цилиндрических магнитных доменов магнитосв заны с первыми концами и внешними сторонами соответствующих смежных аппликаций первого дополнительного канала продвижени  цилиндрических магнитных доменов, а вторые концы каждой из аппликаций второго дополнительного канала продвижени  цилиндрических магнитных доменов магнитосв заны с внешними сторонами соответствующих смежных аппликаций второго дополнительного канала продвижени  цилиндрических магнитных доменов.

На чертеже изображена принципиальна  схема запоминающего устройства.

Предлагаемое ЗУ содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, на поверхности которой расположены ферромагнитные аппликации 3, образующие основные замкнутые каналы 4 продвижени  ЦМД, первый дополнительный 5 канал продвижени  ЦМД с аппликаци ми 6 ассимметричной С-образной формы, имеющими первые 7, вторые 8 концы и внешние стороны 9, второй дополнительный канал 10 продвижени  ЦМД с аппликаци ми 11 асимметричной С-образной формы, имеющими первые 12, вторые 13 концы и внешние стороны 14. Указанные аппликации дополнительных каналов магнитосв заны между собой в узлах магнитной св зи 15.

Дополнительные каналы заканчиваютс  магниторезистивными датчиками 16 и 17, включенными в мостовую схему. Дл  обеспечени  работы ЗУ под аппликаци ми располагаютс  токопровод ща  шина 18 с петл ми 19 и токопровод ща  щина 20 с петл ми 21 магнитосв занные с каналом 5 в узлах 15 магнитной св зи каналов, и соединённые между собой последовательно. ЗУ содержит также генератор 22 единиц с шиной 23, генератор 24 записи ЦМД с шиной 25.Шины 23 и 25 соединены последовательно и заканчиваютс  выводами 26 и 27, а работа генераторов разделена по времени друг относительно друга на 180°.

Работа предлагаемого ЗУ производитс  путем управлени  перемещени  ЦМД с помощью ферромагнитных аппликаций и вращаю щегос  в плоскости магнитоодноосной пленки управл юшегос  магнитного пол , а также с помощью токопровод щих шин и подаваемых по ним импульсов тока.

Управл ющее поле наводит в аппликаци х магнитнйе полюса А, Б, В, Г, взаимодействие которых с ЦМД обеспечивает движение последних.

Запоминающее устройство работает следующим образом.

Перед началом работы по выводам 26 и 27 и шине 24 генератора22 подают импульсы тока, зарождают ЦМД, и заполн ют, таким образом, единицами все  чейки первого дополнительного 5 канала продвижени  ЦМД. В дальнейшем импульсы тока в генератор 22 подают посто нно и посто нно записывают ЦМД-единицы в канал 5.

При осуществлении режима записи информации в каналы 4 по выводам 26 и 27 0 и шине 25 генератора 24 со сдвигом по времени на 180° относительно момента работы генератор,а 22 подают импульсы тока, соответствующие записываемой информации. Эта информаци  продвигаетс  по каналу

10и при положении В вектора пол  Hi по5 падает в позиции 13 и 14 аппликаций 11.

В это врем  в канале 5 в позици х 9 и 12 также наход тс  ЦМД. В момент записи (положение В вектора Hi) по щинам 18 и 20 и, следовательно, по петл м 19 и 21

Q подают импульсы токов разной пол рности, в результате чего обеспечиваетс  взаимодействие доменов в каналах 5 и 10, и ЦМД канала 5 из позиций 9 и 12 и узлов св зи 15 переход т (переключаетс ) в позиции каналов 4.i

5 При осуществлении режима считывани  информации, наход щейс  в каналах 4, в момент В вектора Ни подают импульс тока в проводники 18 и 20 и петли 19 и 21 одинаковой пол рности. В это врем  в канале

Q 10 ЦМД отсутствуют, а ЦМД канала 5 занимают те же позиции, что и при указанном режиме записи.

В каналах 4 находитс  информаци  в виде наличи  (единица) или отсутствие (нуль) ЦМД. При положении В вектора Ни

эта информаци  находитс  в позици х 8 аппликаций 6. Если считываютс  единицы, то при подаче импульса тока в проводники 18 и 20 и в результате взаимодействи  ЦМД канала 5 из позиции 9 и 12 и мост св зи 15 переход т в позиции 13 и 14 аппликаций

11канала 10. При дальнейшем продвижении по каналу 10 ЦМД считываютс  датчиком 17. Если считываютс  нули, то описанного перехода ЦМД из канала 5 в канал 10 не происходит и нули считываютс  (в

5 виде активных нулей) датчиком 16.

Таким образом осуществл етс  парафазное считывание ЦМД датчиками 16 и 17.

Claims (2)

1. Предлагаемое ЗУ на ЦМД с парафазным выводом информации имеет следующие преимущества: повышаетс  быстродействие ЗУ за счет уменьшени  времени записи ЦМД путем магнитных св зей токопровод ш,их шин основных замкнутых и второго дополнительного каналов продвижени  ЦМД с первым дополнительным каналом продвижени  ЦМД; при ocyщectвлeнии режимов записи и считывани  информации ЦМД продвигаетс  по дополнительным каналам 5 и 10 в два раза быстрее по сравнению с известным устройством, так как проход т рассто ни  между узлами 15 магнитной св зи за один оборот пол  упрош,аетс  построение ЗУ с парафазным считыванием информации за счет сокрашенн  кoличecJвa аппликаций дополнительных каналов и включени  общих дл  этих каналов С-образных аппликаций. Формула изобретени  1. Запоминающее устройство, содержащее магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на которой расположены основные замкнутые и два дополнительных канала продвижени  цилиндрических магнитных доменов из ферромагнитных аппликаций, один из которых магнитосв зан с основными замкнутыми каналами продвижени  цилиндрических магнитных доменов, магниторезистивные датчики, подключенные к дополнительным каналам продвижени  цилиндрических магнитных доменов , токопровод щие шины, расположенные в основных замкнутых и дополнительных каналах продвижени  цилиндрических магнитных доменов, отличающеес  тем, что, с целью повышени  быстродействи  и упроще ни  устройства,, токопровод щие шиньг основных замкнутых и второго дополнительного каналов продвижени  цилиндрических магнитных доменов магнитосв заны с первым дополнительным каналом продвижени  цилиндрических магнитных доменов. 2. Устройство по п. 1, отличающеес  тем, что дополнительные каналы выполнены из ассиметричных С-образных ферромагнитных аппликаций, причем первые концы каждой из аппликаций второго дополнительного канала продвижени  цилиндрических магнитных доменов магнитосв заны с первыми концами и внещними сторонами соответствующих смежных аппликаций первого дополнительного канала продвижени  цилиндрических магнитных доменов, а вторые концы каждой из аппликаций второго дополнительного канала продвижени  цилиндрических магнитных доменов магнитосв заны с внешними сторонами соответствующих смеж ных, аппликаций второг.о дополнительного канала продвижени  цилиндрических магнитных .доменов. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.ТИИЭР, т. 63, 1975, с. 107.
2. 2.Авторское свидетельство СССР № 526017, кл. G 11 С 11/14, 1976 (прототип ).