SU915223A1 - Method of frequency tuning of vacuum piezoelectric resonators - Google Patents
Method of frequency tuning of vacuum piezoelectric resonators Download PDFInfo
- Publication number
- SU915223A1 SU915223A1 SU802961310A SU2961310A SU915223A1 SU 915223 A1 SU915223 A1 SU 915223A1 SU 802961310 A SU802961310 A SU 802961310A SU 2961310 A SU2961310 A SU 2961310A SU 915223 A1 SU915223 A1 SU 915223A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- frequency
- resonator
- vacuum
- plasma
- piezoelectric
- Prior art date
Links
Description
Изобретение относится к радиоэлектронике и может использоваться при изготовлении пьезоэлектрических резонаторов.The invention relates to electronics and can be used in the manufacture of piezoelectric resonators.
Известен способ настройки частоты пьезоэлектрических резонаторов, основанный на изменении массы активных зон пьезоэлемента, при котором механически удаляют часть массы пьеэоэлемента' до его вакуумирования Γΐ] .A known method of adjusting the frequency of piezoelectric resonators, based on a change in the mass of the active zones of the piezoelectric element, in which a part of the mass of the piezoelectric element is mechanically removed before it is evacuated Γΐ].
Недостатками данного способа являются низкая точность настройки частоты и ухудшение добротности резонаторов после настройки.The disadvantages of this method are the low frequency tuning accuracy and the deterioration of the good quality of the resonators after tuning.
Известен также способ настройки частоты вакуумных пьезоэлектрических резонаторов, при котором наносят в вакуумной камере возбуждающие электроды на пьезоэлемент, вакуумируют резонатор и настраивают частоту воздействием плазмы путем приложения высокого электрического напряжения между дополнительно введенным электродом и концентратором плазьы, расположенным на возбуждающем электроде пьезоэлемента [2].Also known is a method of adjusting the frequency of vacuum piezoelectric resonators, in which excitation electrodes are applied to a piezoelectric element in a vacuum chamber, evacuate the resonator and adjust the frequency by plasma action by applying a high voltage between the additionally inserted electrode and the plasma concentrator located on the exciting electrode of the piezoelectric element [2].
Недостатком известного способа является невысокая точность настройки, что связано со значительной площадью воздействия плазмы на пьезо2The disadvantage of this method is the low tuning accuracy, which is associated with a significant area of plasma effect on piezo 2
элемент и изменением частоты после вакуумирования резонатора.element and frequency change after evacuation of the resonator.
Цель изобретения - повышение точ5 ности настройки частоты вакуумныхThe purpose of the invention is to improve the accuracy of setting the frequency of vacuum
пьезоэлектрических резонаторов.piezoelectric resonators.
Поставленная цель достигается тем, что согласно способу настройки частоты вакуумных пьезоэлектрических резонаторов, при котором наносят в вакуумной камере возбуждающие электроды на пьезоэлемент, вакуумируют резонатор и настраивают частоту воздействием плазмы путем приложения высокого электрического напряженияThis goal is achieved by the fact that according to the method of adjusting the frequency of vacuum piezoelectric resonators, in which the exciting electrodes are applied to the piezoelectric cell in the vacuum chamber, the resonator is evacuated and the frequency is adjusted by the action of plasma by applying high electrical voltage
15 между дополнительно введенным электродом и концентратором плазмы, расположенным на возбуждающем электроде пьезоэлемента, после нанесения возбуждающих электродов их защищают вне расположения концентратора плазмы технологическим экраном, а настройку частоты проводят до вакуумирования резонатора в той же вакуумной камере.15 between the additionally inserted electrode and the plasma concentrator located on the exciting electrode of the piezoelectric element, after applying the exciting electrodes, they are protected outside the location of the plasma concentrator with the process screen, and the frequency is adjusted before evacuating the resonator in the same vacuum chamber.
2525
На фиг.1 показан подвергающийся настройке предложенным способом пьезоэлектрический резонатор; на фиг.2 блок-схема установки для настройкиFigure 1 shows a piezoelectric resonator subject to adjustment by the proposed method; in Fig.2 block diagram of the installation to configure
30 и вакуумирования резонатора.30 and vacuum resonator.
33
915223915223
4four
Пьезоэлектрический резонатор содержит пьеэоэлемент 1 с возбуждающими электродами 2 и 3, на которых расположены концентраторы плазмы 4 и 5 . из электропроводящего материала. Пьезоэлемент 1 смонтирован на основа- 5 нии 6. Перед настройкой пьезоэлемент 1 защищают· технологическим экраном 7 вне зоны расположения концентраторов 4 и 5.The piezoelectric resonator contains a piezoelectric element 1 with exciting electrodes 2 and 3, on which plasma concentrators 4 and 5 are located. from electrically conductive material. The piezoelectric element 1 is mounted on the base 5. 5 Before setting up, the piezoelectric element 1 is protected with a technological screen 7 outside the location of the concentrators 4 and 5.
Пьезоэлектрический резонатор с ’ 10 технологическим экраном 7 размещают в вакуумной камере 8, в которой создают давление 1-5·10'3 мм.рт.ст. Затем в камеру 8 напускают инертный газ, например аргон и поддерживают давле- ί 5 ние 5· ΙΟ"* л-1 -10'1} мм рт.ст. С помощью переключателя 9 подключают к резонатору . измеритель 10 частоты и измеряют частоту резонатора. После этого с помощью переключателя 9 подключают к 20 резонатору источник 11 высокого электрического напряжения, обеспечивающего режим зажигания и поддержания аномального тлеющего разряда. При этом с помощью переключателя 12 обеспечивают 25 подачу этого напряжения на один из концентраторов 4 или 5. Для получения значительных перестроек частоты вначале подают высокое напряжение на один из концентраторов, а затем на зд другой.- В качестве концентраторов 4 и 5 могут использоваться частицы припоя, припаянные к возбуждающим электродам 2 и 3.A piezoelectric resonator with a '10 technological screen 7 is placed in a vacuum chamber 8, in which a pressure of 1-5 · 10' 3 mm Hg is created. An inert gas, for example argon, is then injected into the chamber 8. The pressure is maintained at a pressure of 5 · "* l -1 -10 ' 1 } mm Hg. Using a switch 9, a frequency meter 10 is connected to the resonator. After that, using a switch 9, a high voltage source 11 is connected to the resonator 20. This mode ensures the ignition mode and maintains an anomalous glow discharge, while using switch 12, this voltage is applied to one of the concentrators 4 or 5 by 25. frequency high voltage is first fed to one of the hubs, and then zd drugoy.- as hubs 4 and 5 can be used solder particles soldered to the excitation electrodes 2 and 3.
Тлеющий разряд в вакуумной камере 8 поддерживается между концентра- . тами 4 или 5 и дополнительным электродом 13. Удаление материала, концентраторов, а следовательно, и скорость настройки линейно зависят от времени воздействия тлеющего разря- 40 да. Поэтому необходимый режим настройки легко устанавливается по номограммам. Настройка осуществляетсяA glow discharge in the vacuum chamber 8 is maintained between concentration-. 4 or 5 and an additional electrode 13. The removal of the material, concentrators, and, consequently, the speed of adjustment, linearly depend on the time of exposure to a glow discharge. Therefore, the required tuning mode is easily set by nomograms. Setup is carried out
при напряжениях 0,8-2,5 кВ. При токе через разрядный промежуток 7-10мкА обеспечивается величина перестройки частоты 20·.10*5 от номинальной частоты. При этом точность настройки составляет величину ± 5·10*6 .at voltages 0.8-2.5 kV. At a current through the discharge gap of 7–10 µA, a frequency tuning value of 20 · .10 * 5 of the nominal frequency is provided. At the same time, the tuning accuracy is ± 5 · 10 * 6 .
Предлагаемый способ обеспечивает высокую точность настройки частоты, не вносит ухудшения в электрические параметры резонаторов и обеспечивает высокую технологичность операции настройки.The proposed method provides high frequency tuning accuracy, does not impair the electrical parameters of the resonators and ensures high adaptability of the tuning operation.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802961310A SU915223A1 (en) | 1980-07-09 | 1980-07-09 | Method of frequency tuning of vacuum piezoelectric resonators |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802961310A SU915223A1 (en) | 1980-07-09 | 1980-07-09 | Method of frequency tuning of vacuum piezoelectric resonators |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU915223A1 true SU915223A1 (en) | 1982-03-23 |
Family
ID=20910130
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU802961310A SU915223A1 (en) | 1980-07-09 | 1980-07-09 | Method of frequency tuning of vacuum piezoelectric resonators |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU915223A1 (en) |
-
1980
- 1980-07-09 SU SU802961310A patent/SU915223A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4822240B2 (en) | Method and apparatus for low voltage plasma doping using double pulses. | |
US6777037B2 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
KR970003455A (en) | Device for obtaining dose uniformity in plasma doped ion implantation process | |
JPS62218834A (en) | Gas manometer | |
US4638536A (en) | Method of making a resonator having a desired frequency from a quartz crystal resonator plate | |
JP2602215B2 (en) | Frequency adjustment method of piezoelectric vibrator | |
US4802968A (en) | RF plasma processing apparatus | |
SU915223A1 (en) | Method of frequency tuning of vacuum piezoelectric resonators | |
JP2737377B2 (en) | Plasma processing equipment | |
JPH04196708A (en) | Frequency adjustment device and method for piezoelectric element | |
KR100200009B1 (en) | Method of fabricating ito transparent conducting films | |
JPS5917237A (en) | Glow discharge device | |
JPH0818372A (en) | Frequency adjustment device for piezoelectric element, and piezoelectric frequency adjusting method | |
JPH03123022A (en) | Plasma film forming device | |
JP4724866B2 (en) | Apparatus and method for adjusting frequency of piezoelectric device, and piezoelectric device | |
JPH0666291B2 (en) | Plasma etching equipment | |
JPH04196707A (en) | Frequency adjustment device and method for piezoelectric element | |
JP5339755B2 (en) | MEMS vibrator, semiconductor package | |
JPH1041773A (en) | Frequency adjustment device | |
JPS6270567A (en) | Trigger mechanism | |
JPS60189925A (en) | High frequency discharge reactor | |
Kovalev et al. | A numerical study of the high-frequency discharges used for the excitation of waveguide lasers(Chislennoe issledovanie vysokochastotnykh razriadov, ispol'zuemykh dlia vozbuzhdeniia volnovodnykh lazerov) | |
JP2526228B2 (en) | Electronic beam type plasma device | |
JPH05234697A (en) | Microwave plasma treating device | |
JP3157433B2 (en) | Frequency adjustment device |