SU914656A1 - Method of chemical polishing of corundum crystals - Google Patents
Method of chemical polishing of corundum crystals Download PDFInfo
- Publication number
- SU914656A1 SU914656A1 SU802968653A SU2968653A SU914656A1 SU 914656 A1 SU914656 A1 SU 914656A1 SU 802968653 A SU802968653 A SU 802968653A SU 2968653 A SU2968653 A SU 2968653A SU 914656 A1 SU914656 A1 SU 914656A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- chemical polishing
- melt
- corundum
- corundum crystals
- crystal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Изобретение относится к кристаллографии и может быть использовано для химической полировки монокристаллов корунда (рубина, лейкосапфира и т.п.) с целью их дальнейшего исследования по выявлению тонкой кристаллической структуры, а такие при обработке изделий из монокристаллического корунда.The invention relates to crystallography and can be used for chemical polishing of single crystals of corundum (ruby, sapphire, etc.) with the aim of their further research to identify the fine crystal structure, and such when processing products from single crystal corundum.
Известен способ химической полировки кристаллов корунда; включающий погружение образца в расплав смеси бисульфита калия с криолитом при 850°С [1 ].The known method of chemical polishing of corundum crystals; including immersion of the sample in the melt of a mixture of potassium bisulfite with cryolite at 850 ° С [1].
Недостатком данного способа является невозможность полировки произвольно ограненного кристалла, так как данный способ обеспечивает полировку только плоскостей (1120) и (1010).The disadvantage of this method is the impossibility of polishing a randomly faceted crystal, since this method only polishes the (1120) and (1010) planes.
Наиболее близким к предлагаемому является способ химической полировки кристаллов корунда, включающий погружение образца в расплав смеси буры с криолитом при 10,40* С на 40 мин [2].The closest to the present invention is the method of chemical polishing of corundum crystals, which includes immersing the sample in the melt of a mixture of borax with cryolite at 10.40 * C for 40 minutes [2].
Недостаток известного способа заключается в том, что происходит травление плоскости (11$0)‘, это не позволяет осуществлять полировку произвольно ограненного кристалла.The disadvantage of this method is that the plane is etched (11 $ 0) ‘, it does not allow the polishing of an arbitrarily faceted crystal.
Цель изобретения - полировка произвольно ограненного кристалла.The purpose of the invention is the polishing of an arbitrarily cut crystal.
Поставленная цель достигается тем, что согласно способу химической полировки кристаллов корунда погруже· нием образца в расплав, используют расплав молибдата свинца при 1070*This goal is achieved by the fact that according to the method of chemical polishing of corundum crystals by immersing a sample into the melt, a melt of lead molybdate is used at 1070 *
1120°С и процесс ведут в течение1120 ° C and the process is carried out for
15 0,5*30 мин. 15 0.5 * 30 min.
Нижний предел температуры обусловлен температурой плавления молибдата свинца, а верхний - близостью к температуре разложения расплава.The lower limit of the temperature is due to the melting point of lead molybdate, and the upper one is close to the decomposition temperature of the melt.
Время погружения образца в расплав зависит от толщины удаляемогоThe time of immersion of the sample in the melt depends on the thickness of the removed
слоя с поверхности кристалла.layer from the surface of the crystal.
3 913 91
Малая нормальная скорость растворения, которая в предлагаемом интервале температур составляет 1,5‘Ю‘ 35- 1(Г3мкм/с, позволяет прецизионно вести процесс химической полировки монокристаллического корунда.The low normal dissolution rate, which in the proposed temperature range is 1.5'U '35-1 (G 3 µm / s), makes it possible to precisely carry out the process of chemical polishing of single-crystal corundum.
Пример 1. Пластинку лейкосапфира - бесцветный корунд, произвольного огранения размерами 10*16*2 мм, предварительно отшлифованную порошком карбида бора (Г 28, погружают в расплав молибдата свинца, полученный в платиновом стакане высокочастотным способбм нагрева и после выдержки 2.6 мин при 10 70° С извлекают из него.Example 1. A plate of leucosapphire is colorless corundum, arbitrary cut in dimensions of 10 * 16 * 2 mm, pre-polished with boron carbide powder (D 28, immersed in the lead molybdate melt obtained in a platinum glass by high-frequency heating and after holding for 2.6 minutes at 10 70 ° With extracted from it.
Обработанные таким образом плоскости представляют собой гладкие, хорошо просветленные поверхности, слегка закругленные на стыке граней пластинки;Planes treated in this way are smooth, well-coated surfaces, slightly rounded at the junction of the plate faces;
Пример 2. Пластинку лейкосапфира произвольного огранения размерами 10*16x2 мм, предварительно отшлифованную порошком карбида бора № 28, погружают в расплав молибдата свинца при 1120°С и послеExample 2. A plate of leucosapphire of arbitrary faceting with dimensions of 10 * 16x2 mm, pre-polished with boron carbide powder No. 28, is immersed in a lead molybdate melt at 1120 ° С and after
°выдержки 15 мин извлекают из него.° extracts 15 min removed from it.
В результате обработки пластинка лейкосапфира просветляется, а на стыке граней наблюдается большая округленность.As a result of processing, the leukosapphire plate is clarified, and a large roundness is observed at the junction of the faces.
Пример 3. Цилиндрический стержень лейкосапфира диаметром 8 мм, отшлифованный карбидом бора, погружают на глубину 30 мм в расплав молибдата свинца при 1100°С на 5 мин.Example 3. A cylindrical core of leucosapphire with a diameter of 8 mm, ground by boron carbide, is immersed to a depth of 30 mm in a melt of lead molybdate at 1100 ° С for 5 minutes.
Визуальное обследование показывает высокую прозрачность и гладкуюVisual inspection shows high transparency and smooth
4four
поверхность обработанного расплавом участка кристаллического стержня.surface of the melt-treated portion of the crystal rod.
Предлагаемый способ химической полировки кристаллов корунда позволяет удалять поверхностный деформированный слой с плоскостей таких ориентаций, полировка которых известными составами затруднена, либо невозможна, Это дает возможность проводить исследования истинной структуры кристалла в требуемом кристаллографическом направлении и открывает возможность его применения при просветлении и полировке изделий самых сложных конфигураций, полировка которых другими способами затруднена, либо не представляется возможной.The proposed method of chemical polishing of corundum crystals makes it possible to remove the surface deformed layer from the planes of such orientations, the polishing of which with known compositions is difficult or impossible. This makes it possible to study the true structure of the crystal in the required crystallographic direction and opens up the possibility of its application in the clarification and polishing of products of the most complex configurations , which is difficult to polish in other ways, or is not possible.
2020
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802968653A SU914656A1 (en) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | Method of chemical polishing of corundum crystals |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU802968653A SU914656A1 (en) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | Method of chemical polishing of corundum crystals |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU914656A1 true SU914656A1 (en) | 1982-03-23 |
Family
ID=20912830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU802968653A SU914656A1 (en) | 1980-08-08 | 1980-08-08 | Method of chemical polishing of corundum crystals |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU914656A1 (en) |
-
1980
- 1980-08-08 SU SU802968653A patent/SU914656A1/en active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Allen | On the mechanical properties of indium antimonide | |
US3864111A (en) | Reducing Stress Birefringence in Fused Silica Optical Elements | |
SU914656A1 (en) | Method of chemical polishing of corundum crystals | |
US5361128A (en) | Method for analyzing irregular shaped chunked silicon for contaminates | |
Wegner et al. | Preferential chemical etching of terrestrial and lunar olivines | |
Pugh et al. | A Metallographic Investigation of the Damaged Layer in Abraded Germanium Surfaces | |
Friedman et al. | Dissolution of quartz accompanying carbonate precipitation and cementation in reefs; example from the Red Sea | |
US3998653A (en) | Method for cleaning semiconductor devices | |
US3860467A (en) | Method of etching a surface of a substrate comprising LITAO{HD 3 {B and chemically similar materials | |
Ghosh et al. | Etching and polishing studies on magnesium oxide single crystals | |
Champion et al. | Etch pits in flux-grown corundum | |
Braun et al. | Surface damage of CdTe produced during sample preparation, and determination of dislocation types near microhardness indentations | |
US3619309A (en) | Treatment of aluminum oxide surfaces with molten vanadium pentoxide | |
US3093503A (en) | Coated materials having an undercut substrate surface and method of preparing same | |
Smith et al. | Top-seeded flux growth of rare-earth vanadates | |
SU727469A1 (en) | Crystal-working method | |
Wermke et al. | Comprehensive characterization of CdTe and (Cd, Zn) Te single crystals by a chemical etchant | |
US4302280A (en) | Growing gadolinium gallium garnet with calcium ions | |
JP2991583B2 (en) | Single crystal manufacturing method | |
SU1082874A1 (en) | Method of chemical polishing of lead molybdanate crystals | |
US5015328A (en) | Method of reducing surface damage in KTP optical waveguides | |
CN110133023B (en) | Method for selecting polycrystalline silicon, polycrystalline silicon and use thereof in Czochralski method | |
US4372808A (en) | Process for removing a liquid phase epitaxial layer from a wafer | |
Robinson et al. | The Chemical Polishing of Sapphire and Spinel | |
SU816331A1 (en) | Polishing pickling composition for mercury iodide |