SU907643A1

SU907643A1 - Multichannel semiconductor change-over switch

Info

Publication number: SU907643A1
Application number: SU802891324A
Authority: SU
Inventors: Герман Кабирович Галимов
Original assignee: Московский Ордена Трудового Красного Знамени Электротехнический Институт Связи
Priority date: 1980-01-24
Filing date: 1980-01-24
Publication date: 1982-02-23

Description

(5) МНОГОКАНАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ П;.. РЕ КЛЮЧА ЕЛЬ(5) MULTICHANNEL SEMICONDUCTOR P; .. RE KEY FIR

II

Изобретение относитс к радиотехнике и может быть использовано в радиолокационных станци х, системах космической св зи и т.д.The invention relates to radio engineering and can be used in radar stations, space communication systems, etc.

Известен многоканальный полупроводниковый переключатель, содержащий турникетное сочленение отрезка коаксиальной линии передачи с р дом отрезков полосковой линии передачи, в каждом из которых установлен полупроводниковый выключатель с p-l-H диодами 1 .A multichannel semiconductor switch is known that contains a turnstile articulation of a segment of a coaxial transmission line with a number of segments of a strip transmission line, each of which has a semiconductor switch with p-l-H diodes 1.

Однако в известном переключателе Использование, принципа разветвлени полосковой линии не позвол ет обеспечить коммутацию большого числа каналов не увеличива его габаритов.However, in the known Use switch, the principle of branching a strip line does not allow switching a large number of channels without increasing its dimensions.

Цель изобретени - уменьшение габаритов при увеличении числа каналов .The purpose of the invention is to reduce the size with increasing number of channels.

Поставленна цель достигаетс тем, что в многоканальном пролупроводниковом переключателе, содержащем турникетное сочленение отрезка коаксиальНОЙ линии передачи с р дом отрезков полосковой линии передачи, в каждом из которых установлен полупроводниковый выключатель с p-i-Vi диодами, плоскости токонесущих полосок в отрезках полосковой линии передачи расположены параллельно оси отрезка коаксиальной линии передачи.The goal is achieved by the fact that in a multichannel semiconductor switch containing a turnstile articulation of a coaxial transmission line segment with a series of strip transmission line segments, each of which has a semiconductor switch with pi-Vi diodes, the planes of current-carrying strips in the strip transmission line segments are parallel to the axis cut coaxial transmission line.

На фиг. 1 представлена конструктивна схема предлагаемого переклю10 чател ; на фиг. 2 - принципиальна схема переключател . FIG. 1 shows the structural scheme of the proposed switch; in fig. 2 is a circuit diagram of a switch.

Переключатель содержит турникетное сочленение отрезка 1 коаксиальной линии передачи с р дом отрезков The switch contains a turnstile articulation of segment 1 of a coaxial transmission line with a series of segments.

IS 2 полосковой линии передачи, полупроводниковые выключатели 3 и заземл ющие пластины 4.IS 2 stripline transmission line, semiconductor switches 3 and grounding plates 4.

Переключатель работает следующим образом.The switch works as follows.

2020

Энерги поступает в отрезок 1 коаксиальной линии передачи и подходит к точке разветвлени А. Далее энерги поступает в тот отрезок 2Energy enters segment 1 of the coaxial transmission line and approaches branch point A. Next, energy enters that segment 2

полосковой линии передачи, в котором выключатель 3 (откр находитс в состо нии открыто . Выключатели 3 в остальных каналах (BaQf) заперты и входное сопротивление этих каналов равно бесконечности, в результате чего запертые каналы не шунтируют входной канал.a stripline transmission line in which switch 3 (open is in the open state. Switches 3 in the other channels (BaQf) are locked and the input impedance of these channels is infinite, as a result of which the locked channels do not bypass the input channel.

Заземл ющие пластины 4 (см. фиг. 2) вл ютс общими дл всех полосковых линий в пределах коммутатора. Отрезки 2 коммутируемых ортогональных полосковых линий подсоединены к отрезку 1 коаксиальной линии так, что ось коаксиальной линии вл етс линией пересечени плоскостей всех отрезков 2 ортогональных линий. Поскольку толщина отрезка 1 коаксиальной линии мала - обычно 0,5 мм, то к нему может быть подключено достаточно большое число коммутируемых каналов без сколько-нибудь заметного увеличени размеров узла разветвлени коммутатора. Так, при диаметре бтрезка 1 коаксиальной линии, равном 10 мм и толщине отрезка 2 ортогональной полосковой линии 0,5 мм, возможно построение коммутатора на б9 каналов .Grounding plates 4 (see FIG. 2) are common to all strip lines within the switch. Segments 2 of switched orthogonal strip lines are connected to segment 1 of a coaxial line so that the axis of the coaxial line is the line of intersection of the planes of all segments of 2 orthogonal lines. Since the thickness of segment 1 of the coaxial line is small - usually 0.5 mm, a sufficiently large number of switched channels can be connected to it without any noticeable increase in the size of the switch branching node. So, if the diameter of the cutter 1 of the coaxial line is 10 mm and the thickness of the segment 2 of the orthogonal stripline is 0.5 mm, it is possible to build a switch for b9 channels.

Таким образом, в предлагаемом переключателе по сравнению с игввестным применение радиального разветвлени из ортогональных полосковых линий, а также то, что ось входного каналаThus, in the proposed switch as compared with the well-known one, the use of radial branching from orthogonal strip lines, as well as the fact that the axis of the input channel

перпендикул рна плоскости коммутируемых каналов, позволило существенно уменьшить размеры узла разветвлени , что обеспечило возможность создани компактных переключателей на дес тки и сотни каналов при одновременном снижении потерь СВЧ энергии и упрощени конструкции. Так в 10-канальном переключателе, построенном по предлагаемой схеме, потери СВЧ энергии снижены в 2 - 3 раза.perpendicular to the plane of the switched channels, allowed us to significantly reduce the size of the branching node, which made it possible to create compact switches for tens and hundreds of channels while reducing microwave energy losses and simplifying the design. So in the 10-channel switch, built on the proposed scheme, the loss of microwave energy is reduced by 2 - 3 times.

Claims

1. Design and calculation of strip devices. M., Sov.radio, 197 (prototype).

- / st / n. /;

Fa Z.