SU898284A1

SU898284A1 - Method of preparing replicas

Info

Publication number: SU898284A1
Application number: SU802880490A
Authority: SU
Inventors: Игорь Петрович Калинкин; Федор Гаврилович Доника; Феликс Идельевич Кожокарь; Юрий Васильевич Горемыкин
Original assignee: Сктб Твердотельной Электроники С Опытным Производством Института Прикладной Физики Мсср
Priority date: 1980-02-08
Filing date: 1980-02-08
Publication date: 1982-01-15

Description

(54) СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ РЕПЛИК(54) METHOD OF PREPARING REPLIKS

1one

Изобретение относитс к технологии приготовлени объектов дл электронно-микроскопических исследований.The invention relates to the technology of preparing objects for electron microscopic studies.

Известны способы приготовлени объектов дл электронно-микроскопических исследований в виде обычных реплик 1.Known methods for preparing objects for electron microscopic studies in the form of ordinary replicas 1.

Однако данные способы не позвол ют при исследовании объектов вы вить определенное направление на электронно-микроскопическом изображении. Така задача возникает, например, при исследовании объектов с морфологическими поверхностными неоднородност ми в определенных направлени х размером менее 2-3 мм, пленках полупроводников и металлов переменной толщины, вы влении микронеоднородностей полупроводниковых кристаллов и т.п.However, these methods do not allow the detection of objects in a certain direction in an electron microscopic image. Such a problem arises, for example, in the study of objects with morphological surface inhomogeneities in certain directions smaller than 2-3 mm, films of semiconductors and metals of variable thickness, the detection of micro-inhomogeneities of semiconductor crystals, etc.

Наиболее близким к предлагаемому вл етс способ приготовлени самооттененных углеродных реплик, заключающийс в том, что при приготовлении, реплик плоскость объекта располагают под .углом к направлению распространени материала реплики (углерода) в специальном вакуумном устройстве 2 Однако при дальнейших операци х с репликой происходит неконтролируемыйThe closest to the present invention is a method for preparing self-shaded carbon replicas, which means that during preparation, the object's replica is positioned at an angle to the direction of propagation of the replica material (carbon) in a special vacuum device 2 However, further replica operations take place uncontrollably

поворот реплики, что делает невозможным соотнесение заданного направлени на объекте и его электронномикроскопическом изображении.rotation of the replica, which makes it impossible to correlate a given direction on the object and its electron microscopic image.

Цель изобретени - повышение информативности исследовани за счет получени ориентированных относительно объекта реплик.The purpose of the invention is to increase the information content of the study by obtaining replicas oriented relative to the object.

Указанна цель достигаетс тем, This goal is achieved by

10 что согласно способу приготовлени реплик путем вакуумного распылени материала реплики на плоскую поверхность объекта, расположенную под углом к направлению распылени , на поверхность объекта нанос т линейную метку, а распыление материала реплики производ т в направлении, проекци которого на плоскость объекта параллельна указанной метке.10 that according to the method of preparing replicas by vacuum spraying of the replica material on the flat surface of the object at an angle to the direction of spraying, a linear mark is applied to the surface of the object, and spraying of the replica material is performed in a direction that is projected onto the object plane parallel to the specified mark.

20 Направление теней на реплике, по .лученной таким способом, указывает зафиксированное линейной меткой направление .20 The direction of the shadows on the cue, according to the method thus generated, indicates the direction fixed by the linear mark.

Например., дл иссл.едовани объектов, представл ющих собой пленки теллурида цинка переменной толщины (0,002-1 мкм) на германиевых пластинах размером 2-3 мм, на их поверхность наноситс самооттененна углеродна реплика (под углом оттенени For example, to investigate objects that are zinc telluride films of variable thickness (0.002-1 µm) on germanium plates of 2-3 mm in size, a self-shaded carbon replica is applied to their surface (at an angle of

45°) с помощью данного способа. Линейную метку нанос т в направлении наибольшего изменени толщины пленок.45 °) using this method. A linear mark is applied in the direction of the greatest change in film thickness.

Использование предлагаемого способа позвол ет изучить процессы формировани полупроводниковых гетероструктур теллурид цинка - германий, изменение морфологических характерис ,тик пленок в зависимости от их толщины , зародышеобразование, рост и коалесценцию кристаллических частиц теллурида цинка при ранних стади х роста и при автоэпитаксиальном росте.Using the proposed method allows one to study the formation of semiconductor heterostructures of zinc telluride - germanium, changes in morphological characteristics, tick of films depending on their thickness, nucleation, growth and coalescence of crystalline particles of zinc telluride at early stages of growth and during autoepitaxial growth.

Способ может быть использован при ориентировании реплик и других объектов дл электронной микроскопии путем их оттенени , например биологических , кристаллических и др. С его помощью можно исследовать объекты по морфологическим неоднородност м на участках поверхности размером менее 2-3 мм, и тем самым повысить информативность измерений.The method can be used in orienting replicas and other objects for electron microscopy by shading them, for example, biological, crystalline, etc. It can be used to study objects by morphological heterogeneity on surface areas less than 2-3 mm in size, and thereby increase the information content of measurements .

Claims

1. USSR author's certificate number 325537, cl. G 01 N 1/28, 1970.

2. Shimmel G. Methods of electronic 4-copy. M., Mir, 1972, p. 117 (prototype).