SU894804A1

SU894804A1 - Resistive material

Info

Publication number: SU894804A1
Application number: SU802872128A
Authority: SU
Inventors: Михаил Григорьевич Слушков; Василий Иванович Карпеченков; Любовь Ивановна Горькова; Евгений Иванович Астров; Юрий Аронович Шоткин
Original assignee: Предприятие П/Я А-3312; Горьковский Политехнический Институт
Priority date: 1980-01-22
Filing date: 1980-01-22
Publication date: 1981-12-30

Description

(54) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ(54) RESISTANT MATERIAL

Изобретение относитс к электронной тех нике, в частности к резисторостроению, и мо жет быть применено в качестве провод щего сло дл тонкопленочных резисторов и дл элементов схем, полученных методом ионноплазменного напылени . Известны резистивные материалы на основе тугоплавких металлов и их соединений, примен емые дл получени тонких пленок методом ионно-плазменного напылени , например ,Gr-Si, Gr-SiO2 1. Недостатком резистивных пленок, полученных из этих материалов, вл етс высокий ТКС (температурный коэффигдаент сопротивлени ) (±3000-5000-10 /° С) и плоха воспроизводимость результатов. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому вл етс сплав 2 хром кремни и вольфрама, которьгй содержит, вес.% Хром52-60 Кремний34-47 Вольфрам1-6 Недостатком известного резистивного материала вл етс малый /шаиазон номиналов И высокий ТКС получаемых резистивных пленок: тонкопленочньге . резисторы имеют ТКС до + 180010 1/°С и удельное электросопротивление до 50 Ом/п. Цель изобретени - расширение диапазона значений удельного сопротивлени и снижени температурного коэффициента сопротивлени . Поставленна цель достигаетс тем, что в резистивный материал, состо щий из хрома, вольфрама и кремни , дополнительно введена двуокись марганца, при следующем соотношении компонентов, вес.%: Вольфрам Кремний Двуокись 2-30 марганца Остальное Введение в известный резистивный материал двуокиси марганца позвол ет снизить ТКС получаемых резистивных пленок, расширить диапазон их удельных сопротивлений, сохранить во всем диапазоне высокую стабильность их свойств во времени при температуре окружающей среды до + 200° С.The invention relates to electronic engineering, in particular, resistor engineering, and can be used as a conductive layer for thin film resistors and for elements of circuits produced by the method of ion-plasma spraying. Resistive materials based on refractory metals and their compounds used for the preparation of thin films by the method of ion-plasma spraying, for example, Gr-Si, Gr-SiO2 1 are known. A disadvantage of resistive films obtained from these materials is the high TX (temperature coefficient resistance) (± 3000-5000-10 / ° C) and the reproducibility of the results is poor. The closest in technical essence to the present invention is an alloy of 2 chromium silicon and tungsten, which contains, wt.% Chromium 52-60 Silicon 34-47 Tungsten 1-6 resistors have TKS up to + 180010 1 / ° С and specific resistivity up to 50 Ohm / n. The purpose of the invention is to expand the range of resistivity values and reduce the temperature coefficient of resistance. The goal is achieved by adding manganese dioxide to a resistive material consisting of chromium, tungsten and silicon, with the following ratio of components, wt.%: Tungsten Silicon Dioxide 2-30 manganese Else Introduction to a known resistive material manganese dioxide allows reduce the TKS of the obtained resistive films, expand the range of their specific resistances, maintain over the entire range the high stability of their properties over time at ambient temperatures of up to + 200 ° C.

Кроме того, введение MuOj способствует стеклообразованию, что позвол ет получать более прочные MHUjeHH дл ионно-плазменного напылени .In addition, the introduction of MuOj promotes glass formation, which makes it possible to obtain more durable MHUjeHH for ion-plasma spraying.

89480448948044

Пример. Дл получени мишеней готов т 4 порошкообразные смеси, содержащие исходные компоненты в количествах (вес.%), приведенных в табл. 1.Example. To obtain targets, 4 powder mixtures are prepared containing the starting components in amounts (wt.%) Given in Table. one.

Таблица 1Table 1

Claims

Claim

Resistive material for the manufacture of thin-film resistors, including chromium, tungsten and silicon, characterized 55

VNIIPI Order 11501/83 with the fact that, in order to expand the range of resistivity and reduce the temperature coefficient of resistance, it additionally contains manganese dioxide in the following quantitative ratio

nim components, wt.%: Tungsten 2-15 Silicon 2-15 ⁴⁵ Dioxide manganese 2-30 Chromium Rest Sources of information, accepted into account when examining 50 1. Kondratov Η. M. Resistive materials - ’’ Reviews on electronic technology ’. Ser. ”Ma-

Terials ”, Vol. 4 (635), 1979, p. 23.

2. USSR Copyright Certificate No. 376816, cl. H 01 C 7/02 (prototype).

Circulation 787 Subscription

Branch of PPP ’’ Patent, Uzhhorod, st. Project, 4