Claims (3)
Изобретение относитс к вычислительной тех нике и может быть использовано в устройствах пам ти и отображени информации. Известно матричное рельефографическое устройство , содержащее две параллельные стекл нные пластины с двум группами взаимно ортогональных электродов строк и столбцов, и деформируемый слой, нанесенный на внутреннюю поверхность одной из пластин 1. Недостатком устройства вл етс низка надежность, св занна с отсутствием запоминани записанной информации. Известно устройство дл деформографическото преобразовани изображений, содержащее фотополупроводаиковый слой и деформируемый слой с габким зеркальным электродом, разделенные непрозрачные диэлектрическими сло ми. Проецирование на фотополупроводниковый слой оптического изображени приводит к деформации зеркального электрода The invention relates to computing technology and can be used in memory devices and information display. A matrix relief device is known, which contains two parallel glass plates with two groups of mutually orthogonal row and column electrodes, and a deformable layer deposited on the inner surface of one of the plates 1. The disadvantage of the device is the low reliability associated with the lack of storage of the recorded information. A device for deforming image transformation is known, which comprises a photo-conductor layer and a deformable layer with a gabby mirror electrode, separated by opaque dielectric layers. Projection on the photosemiconductor layer of the optical image leads to the deformation of the mirror electrode
2. Недостатком устройства также вл етс низка надежность. Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому вл етс запоминающее устройство дл отображени информации, в котором прозрачна диэлектрическа пластина с электродами строк покрыта фотополупроводниковым слоем и имеетс осветитель запиш и стирани с блоком сканировани по фотоголупроводниковому слою изображени столбца (33. Недостатком устройства вл етс его сложность , вызванна налижем блока оптического сканировани , синхронизированного с поступающей информацией, и низка надежность. . Цель изобретени - повышение надежности запоминающего устройства. Поставленна цель достигаетс тем, что в поминающем устройстве, содержащем две тараллельно установленные прозрачные диэлект {жческие пластины, группу параллельных прозразных электродов строк, нанесенных на внутреннюю поверхность первой пластшгы н соединенных с первой щиной управлени , деформируемый слой, группу прозрачных электродов столбцов, соединенных с второй шиной управлени , н фоточувствительньш полупроводниковый слой, введены призма полного внутреннего отражени , изолирующий даэлектрический слои, прозрачный электрод поддерживающего напр жени , оптический растр, выполненный в виде параллельных полос непрозрачного материала, расположенных под углом 45° к электродам строк, и треть шина управлени , а электроды столбцов вьтолнены в виде полос провод щего матертала, ортогональных электродам строк, с выступами в област х между электрода1 1И строк и параллельно им, нанесенных на изоли рующий диэлектрический слой, причем деформируемый слой нанесен на полосы электродов столбцов и изолирующий диэлектрический слой нанесенный на прозрачные электроды строк, призма полного внутреннего отражени установлена на первой прозрачной диэлектрической пластине, полосы непрозрачного материала нанесены на прозрачный электрод поддерживающе го напр жени , фоточувствительный полупровод никовый слой нанесен на полосы непрозрачного материала и на прозрачный электрод поддерживающего напр жени , , нанесенный на внутреннюю поверхность второй прозрачной диэлект рической пластины и подключенный к третьей шине управлени , а деформируемый слой оптически св зан с фоточувствительным полупровод никовым слоем. На фиг. 1 показана принципиальна схема запоминающего устройства; на фиг. 2 - пластина с электродами строк и столбцов; на фиг. 3 - пластина с оптическим растром и фоточувствительным пол5шроводниковым слоем. Запоминающее устройство содержит призму 1 полного внутреннего отражени , прозрачную диэлектрическую пластину 2, прозрачные электроды 3 строк, прозрачный диэлектрический слой 4, электроды 5 столбцов с выступами 6, деформируемый слой 7. Втора прозрачна диэлектрическа пластина 8 имеет прозрачный электрод 9, оптический растр 10, выполненный в виде рещетки непрозрачных полос, фоточувствительный полупроводниковый слой 11, который одной стороной обращен к деформируемому слою 7. Над пластиной 8 расположен осветитель 12. Электроды столбцов подклю чены к источникам 13 напр жений развертки. Электроды строк подключены к источникам 14 управл ющих напр жений. Между прозрачиым электродом 9 и общей точкой включен источник 15 переменного напр жени поддержки , который отключаетс ключом 16. Устройство работает следую1Ш м образом. Угол падени считьшающего светового потока 17 на деформируемый слой близок к пр дельному углу полного внутреннего отражени деформируемого сло и несколько больше его В отсутствие рельефа поверхности деформируeNKiro сло счить1вающий световой поток отрау )аетс от границы раздела деформируемого записываемого столбца, вызывает деформацию , поверхности сло 7. При этом нарушаютс услови полного внутреннего отражени и часть считывающего потока освещает прилежащий участок поверхности фотополупроводникового сло , увеличива его проводимость. При этом возрастает действие пол источника переменного напр жени поддержки, что в свою очередь приводит к возрастанию деформаций. Возникша таким образом электрооптическа положи тельна обратна св зь поддерживает записанный рельеф поверхности сло 7 до момента сн ти напр жени с источника 15. Причем, благодар дополнительной модул ции проводимости фотополупроводникового сло за счет освещени его с внешней стороны через оптический растр осветителем 12, рельеф деформируемого сло становитс периодическим и ориентирован параллельно оптическому растру. Деформируемый слой может быть вьщолнен из гелеобразного материала и имеет толщину 30-50 мкм. Фотополупроводниковый слой (например, сернисто-кадмиевый) имеет толщину 30-50 мкм. Зазор между деформируемым слоем и фотопроводниковым слоем составл ет 20-30 мкм. Управл ющие напр же ш и напр жени развертки измен ютс в пределах 0-150 В. Переменное напр жение поддерживани составл ет 300-400 В. Таким образом в предлагаемом устройстве поступающие входные электрические сигналы запоминаютс в виде рельефа деформируемого сло на любое заданное врем , чем существенно повышаетс надежность устройства. Формула изобретени Запоминающее устройство, содержащее две паралельнр установленные прозрачные диэлектрические пластины, группу параллельных прозрачных электродов строк, нанесенных на внутреннюю поверхность первой пластины и соединенных с первой шиной управлени , деформируемый слой, группу прозрачных электродов столбцов, соединенных с второй шиной управлени , и фоточувствительный полупроводниковый слой, отличающеес тем, что, с целью повышени надежности устройства, в него введены призма полного внутреннего отражени , изолирующий диэлектрический слой, прозрачный электрод поддерживающего напр жени , оптический растр, вьщолненный в виде параллельных полос непрозрачного материала, расположенных под углом 45° к электродам строк, и треть шина управлени , а электроды столбцов выполнены в виде полос провод щего материала, ортогональных электродам строк, с выступами в област х между электродами строк и параллельно им, на изолирующий диэлектрический слой, причем деформируемый слой нанесен на полосы электродов сло и обращенна к деформируемому слою поверхность полупроводникового сло остаетс неосвещенной. При этом электрическое поле от источника 15 вл етс недостаточным дл возникновени рельефа. Запись информации проводитс по столбцам. Напр жение раэвертки и электрода записываемого столбца равно О, а на электродах столбцов равно + 2/3 U. Дл электродов строк, точки пересечени которых с записываемым столбцом соответствуют светлым участкам изображени , управл ющие напр жени равны и. Дл остальных строк управл ющие напр жени равны 1/3 U. Выбор указанных значений напр жений снижает вли ние перекрестных св зей. В пределах записываемого элемента электрическое поле, действующее между электродом строки и выступами электродов столбцов и изолирующий диэлектрический слой, нанесенный на прозрачные электроды2. The disadvantage of the device is also low reliability. The closest in technical essence to the present invention is a storage device for displaying information, in which a transparent dielectric plate with row electrodes is covered with a photo semiconductor layer and has a write and erase illuminator with a scanning unit over a photo-semiconductor layer of a column image (33. The disadvantage of the device is its complexity, caused by the zooming of an optical scan unit synchronized with the incoming information, and low reliability. The goal is achieved by the fact that in a reminder device containing two parallel-mounted transparent dielectric plates, a group of parallel transparent electrodes of rows printed on the inner surface of the first plate and connected to the first control thickness, a deformable layer, a group of transparent column electrodes connected to the second control bus, n photosensitive semiconductor layer, introduced a prism of total internal reflection, an insulating electrode layers, a transparent voltage-carrying electrode, an optical raster made in the form of parallel strips of opaque material located at an angle of 45 ° to the row electrodes, and a third control bus, and the column electrodes are filled in the form of strips of conducting material orthogonal to the row electrodes, protrusions in the areas between the electrode 1 1and the lines and parallel to them, deposited on an insulating dielectric layer, and the deformable layer is deposited on strips of column electrodes and the insulating dielectric layer is deposited The transparent electrodes are mounted on the first transparent dielectric plate, the strips of opaque material are deposited on a transparent supporting voltage electrode, the photosensitive semiconductor layer is deposited on strips of an opaque material and on a transparent supporting voltage electrode, deposited on an internal the surface of the second transparent dielectric plate and connected to the third control bus, and the deformable layer is optically coupled to the photocell ity of semiconductor layer. FIG. 1 is a schematic diagram of a memory device; in fig. 2 - plate with row and column electrodes; in fig. 3 - plate with optical raster and photosensitive polyconductor layer. The memory device contains a full internal reflection prism 1, a transparent dielectric plate 2, transparent electrodes 3 rows, a transparent dielectric layer 4, electrodes 5 columns with protrusions 6, a deformable layer 7. The second transparent dielectric plate 8 has a transparent electrode 9, an optical raster 10 made in the form of a grid of opaque strips, a photosensitive semiconductor layer 11, which one side faces the deformable layer 7. A lighter 12 is located above the plate 8. The column electrodes are under Liu cheny sources 13 zheny voltage sweep. The row electrodes are connected to sources 14 of control voltages. Between the transparent electrode 9 and the common point, the source 15 of the alternating voltage support is turned on, which is turned off by the key 16. The device operates as follows. The incidence angle of the matching light flux 17 on the deformable layer is close to the immediate angle of total internal reflection of the deformable layer and somewhat larger than it. In the absence of the surface relief, the deformation of the NKiro layer reflects the light flux from the interface of the deformable recorded column, causes deformation of the surface of layer 7. When This violates the conditions of total internal reflection and a portion of the reading flow illuminates the adjacent surface area of the photo-semiconductor layer, increasing it the awn In this case, the effect of the field of the source of alternating support voltage increases, which in turn leads to an increase in deformations. Electro-optical positive feedback arising in this way maintains the recorded surface relief of layer 7 until the voltage is removed from source 15. Moreover, due to the additional modulation of the conductivity of the photo-semiconductor layer by illuminating it from the outside through the optical raster with illuminator 12, the relief of the deformable layer becomes periodic and is oriented parallel to the optical raster. The deformable layer can be made of a gel-like material and has a thickness of 30-50 microns. The photo-semiconductor layer (for example, sulfur-cadmium) has a thickness of 30-50 microns. The gap between the deformable layer and the photoconductor layer is 20-30 µm. The control voltages w and voltages of the sweep vary from 0 to 150 V. The alternating voltage of support is 300-400 V. Thus, in the proposed device, the incoming electrical signals are stored as a relief of the deformable layer for any given time than the reliability of the device is significantly increased. Claim of the invention A memory device comprising two parallel mounted transparent dielectric plates, a group of parallel transparent row electrodes deposited on the inner surface of the first plate and connected to the first control bus, a deformable layer, a group of transparent column electrodes connected to the second control bus, and a photosensitive semiconductor layer , characterized in that, in order to increase the reliability of the device, a prism of total internal reflection is introduced into it, dielectric layer, transparent voltage supporting electrode, optical raster, made in the form of parallel strips of opaque material at an angle of 45 ° to the row electrodes, and a third control bus, and the column electrodes are made in the form of strips of conductive material orthogonal to the row electrodes, with protrusions in the areas between the electrodes of the rows and parallel to them on the insulating dielectric layer, the deformable layer being deposited on the strips of the electrodes of the layer and the surface facing the deformable layer The semiconductor layer remains unlit. In this case, the electric field from the source 15 is insufficient for the occurrence of the relief. Information is recorded in columns. The ravervolt voltage and the electrode of the recorded column are O, and the electrodes of the columns are + 2/3 U. For row electrodes, the intersection points of which with the recorded column correspond to bright areas of the image, the control voltages are equal to and. For the remaining rows, the control voltages are 1/3 U. Selecting the specified voltage values reduces the effect of cross-linking. Within the recordable element, the electric field acting between the row electrode and the protrusions of the column electrodes and the insulating dielectric layer deposited on the transparent electrodes
Ъ 10 И It I уB 10 and it i y
Фиг.1 строк, призма полного внутреннего отражени установлена на первой прозрачной диэлектрической пластине, полосы непрозрачного материала нанесены на прозрачный электрод поддерживающего напр жени , фоточувствительный полупроводниковый слой нанесен на полосы непрозрачного материала и на прозрачный электрод поддерживающего напр жени , нанесенный на внутреннюю поверхность второй прозрачной диэлектрической пластины и подключенный к третьей щине управлени , а деформируемый слой оптически св зан с фоточувствительным полупроводниковым слоем. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизу 1.Авторское свидетельство СССР N 598101, кл. G 06 К 15/18, 1978. 2.Авторское свидетельство СССР N 641384, кл. G 02 F 1/19, 1979. Fig. 1 lines, the prism of total internal reflection is mounted on the first transparent dielectric plate, the strips of opaque material are deposited on the transparent supporting voltage electrode, the photosensitive semiconductor layer is deposited on the strips of opaque material and on the transparent support voltage electrode deposited on the inner surface of the second transparent dielectric plates and connected to the third control panel, and the deformable layer is optically coupled to the photosensitive semiconductor icy layer. Sources of information taken into account in the examination 1. The author's certificate of the USSR N 598101, cl. G 06 K 15/18, 1978. 2. The author's certificate of the USSR N 641384, cl. G 02 F 1/19, 1979.
3. Авторское свидетельство СССР N 627529, кл. G 11 В 11/00, 1978 (прототип).3. USSR author's certificate N 627529, cl. G 11 V 11/00, 1978 (prototype).
Вид АType A
Вид вView in
.г.g
Фиг. 3FIG. 3