Claims (2)
Изобретение огноситс к электронной технике и может быть использовано в устройствах с фотоэлектронными умножител ми (ФЭУ). Известно устройство, содержащее ФЗ/ с делителил напр жени и устройство дл регулировки усилени ФЭУ в зависимости от внешних шумов Г . Недостаток известного устройства состоит в его сложности инерционности регулировани усилени . Наиболее близким по технической сущности к изобретению вл етс фотоэлек тронное устройство, содержащее фотоэлектронный умножитель с делителем напр жени , звань которого шунтированы тран- зисторами Г2 . Недостатки известного устройства заключаютс в его сложности, большом количестве транзисторов, не учавствующих в , усилении , и значительной инерционности во.становлени чувствительности. Цель изобретени - упрощение схемы регулировани чувствительности фотоэлек- тронного умножител и уменьшение инерционности регулировани путем сокращени числа транзисторов, а также повышение усилени фотоэлектронного устройства по выходному сигналу. Цель достигаетс тем, что в фотоэлек.тронном устройстве, содержащем фотоэлектронный умножитель с делителем напр жени , звень которого игунтированы транзисторами , база транзистора, шунтирующего последним каскад усилени фотоэлектронного умножител , соединена с анодом фотоэлектронного- умножител , а в эмиттерно-коллекторную цепь транзистора включен сигнальный резистор. Кроме того, с целью изменени чувствительности по посто нному току от шумов засветки, анодна нагрузка зашунтирована входами диодно-резисторной цепи, выход которой через резистор подключен к источнику управл ющего напр жени . На чертеже принципиальна схема предлагаемого устройства. Устройство содержит фотоэлек1ронньш умножитель (ФЭУ) I с выводами 2 и 3 питани ,, делитель 4 и 5 нагф жени , усилитель (1ранзистор) 6, сигнальную наг рузку 7, резисторно-емкостный депигель 8, анодную нагрузку 9, диодно- зезисторну цепь Ю, 11 и 12, резистор 13 дл подачи напр жени смещени .на базу транзисторв Усилитель в простейшем вида содержит транзистор р- м. -р, база которого непосредственно подключена к аноду ФЭУ коллектор к диноцу, а эмиттер через нагрузочные резистор 7 - к общему вы вору 3. В качестве усилител может использоватьс и полевой транзистор. Непосредственное подключение вывоцов транзистора к анопу и динооу ФЭУ пpи feн етс когда необходимо иметь малый уровень шумов засветки. Если допускаетс более высокий ypov. вень-шумов засветки, ФЭУ, то база транзистора может быть св зана с анодом ФЭУ через конденсатор, В этом случае может быть использован также п транзистор. Нагрузка 7 может быть вклю чена как в эмиттер, так и в коллекторной цепи транзистора. Если, допустимое напр г жение транзистора меньше напр асени зве на целител 5, то питание транзистора осуществл етс от резисторно-емкостного делител 8, подк:люченноГо параллельно звену 5. Смещение на базу транзистора подаетс через резистор 13. В обоих вариангах уровень ограничени шумов ФЭУ устанавливаетс изменением нагрузки ФЭУ по посто нному току резис торами 9 и 12. Автоматическое изменение анодной нагрузки осушествл етс подачей напр жени положительной пол рности на резистор 11. Защита от шумов засветки обеспечиваетс выбором величины резисторов 9 и 12 и происходит следующим образом. Если выводы транзистора подключены непосредственно к аноду и диноду ФЭУ, то при увеличении тока ФЭУ транзистор шунтирует звено делител 5, и одновременно увеличиваетс напр жение на анод ной нагрузке ФЭУ. Пока напр жение на циноде относительно анода большое, чувствительность измен етс мало, но при уменьшении этого напр жени чувсгвительность начинает резко измен тьс , шу мы ФЭУ начинают пацать. При сн тии засветки чувствительность ФЭУ почти мгновенно восстанавливаетс , так Как к аноцу ФЭУ пошслючены только маленькие паразитные емкости. Наиболее быстрое ограничение шума ожет быть получено при непосредственом подключении полевого транзистора. В том cjty4ao анодна нагрузка может быть ыбрана очень большой, и ограничение шуов наступает фи сравнительно небольих уровн х засветки. Когда требуетс ограничить шумы при больших уровн х засветки, базу транзистора подключают через конденсатор и уменьшают величину анооной нагрузки. Дл автоматического изменени нагрузки шунтирук ций резистор 12 подключен через диод, на Который подано положительное напр жение. Диод открыт и резистор 12 шутгтирует резистор 9. При сн ти1Ш напр жени диод закрьшаетс и сопротивление нагрузки увеличиваетс . Предлагаемое устройство позвол ет ytfрос .тить схему регулировани анодной чувствительности ФЭУ по шумам засветки , уменьшить инерционность работы и повысить чувствительность устройства за счет использовани транзистора дл усилени сигнала. Дополнительный положительный эффект состоит в надежности работы цепей регулировани чувствительности . Формула изобретени Фотоэлектронное устройство, содержа- фотоэлектронный умножитель с делитетелем напр жени , звень которого шунтированы транзисторами, отличающеес тем, что, с целью упрощени схемы регулировани чувствительности фотоэлектронного умножител и уменьщени инерционности регулировани путем сокращени числа транзисторов, а также повышени усилени фотоэлектронного устройства по выходному сигналу, база транзистора, шунтирующего последний каскад усилени фотоэлектронного умножител , соединена с анодом фотоэлектронного умножител , а в эмиттерно-ко№лекторную цепь транз.истора включен сигнальный резистор. The invention is fireproof to electronic technology and can be used in photomultiplier tube (PMT) devices. A device is known that contains FZ / s voltage divider and a device for adjusting the gain of the PMT as a function of external noise. A disadvantage of the known device lies in its complexity of the inertia of gain control. The closest in technical essence to the invention is a photoelectron device containing a photomultiplier with a voltage divider, whose link is shunted by the G2 transistors. The disadvantages of the prior art device are its complexity, the large number of transistors not participating in the amplification, and the considerable inertia of the sensitivity. The purpose of the invention is to simplify the scheme for regulating the sensitivity of a photoelectric multiplier and reduce the inertia of regulation by reducing the number of transistors, as well as increasing the gain of the photoelectric device with respect to the output signal. The goal is achieved in a photoelectron device containing a photomultiplier with a voltage divider, whose links are driven by transistors, the base of the transistor that shunts the photomultiplier gain circuit, and the emitter-collector circuit of the transistor is connected to the transistor emitter anode, and resistor. In addition, in order to change the DC sensitivity from ambient noise, the anode load is bridged by the inputs of a diode-resistor circuit, the output of which is connected to a control voltage source through a resistor. The drawing is a schematic diagram of the proposed device. The device contains a photoelectric multiplier (PMT) I with power supply terminals 2 and 3, divider 4 and 5 nagging, amplifier (transistor) 6, signal load 7, resistor-capacitive depixel 8, anode load 9, diode-zasistor circuit U, 11 and 12, the resistor 13 for supplying the bias voltage. At the base of the transistor, the Amplifier, in its simplest form, contains a p-m transistor, the base of which is directly connected to the anode of the PMT collector to the dinosaur and the emitter through the load resistor 7 to the common 3. Field amplifier can also be used as an amplifier. hist. Direct connection of the leads of the transistor to the anop and dyno of the PMT is feun when it is necessary to have a low level of ambient noise. If higher ypov is allowed. Since the noise is produced by a PMT, then the base of the transistor can be connected to the anode of the PMT through a capacitor. In this case, the n transistor can also be used. Load 7 can be included both in the emitter and in the collector circuit of the transistor. If the permissible voltage of the transistor is less than the voltage of the link to the healer 5, then the power of the transistor is supplied from the resistor-capacitor divider 8, connected to the link of the link 5. The offset to the base of the transistor is supplied through the resistor 13. In both variants, the level of PMI noise is is determined by changing the load of the PMT with respect to direct current by the resistors 9 and 12. The automatic change of the anode load is carried out by applying a positive polarity voltage to the resistor 11. Protection against ambient noise is provided by choosing The sizes of resistors 9 and 12 are as follows. If the terminals of the transistor are connected directly to the anode and dynode of the photomultiplier, while increasing the current of the photomultiplier, the transistor shunts the divider link 5, and at the same time the voltage at the photomultiplier of the photomultiplier increases. While the voltage on the cynode with respect to the anode is large, the sensitivity varies little, but as this voltage decreases, the sensitivity begins to change dramatically, the PMT starts to ping. When the illumination is removed, the sensitivity of the photomultiplier is almost instantly restored, since only small parasitic capacitances are connected to the anotope of the photomultiplier. The fastest noise limit can be obtained by directly connecting a field effect transistor. At that cjty4ao anodic load, a very large selection can be selected, and a shuv limitation occurs at relatively small levels of illumination. When it is required to limit the noise at high levels of illumination, the base of the transistor is connected through a capacitor and the anode load is reduced. To automatically change the load of the shunting, resistor 12 is connected via a diode to which a positive voltage is applied. The diode is open and the resistor 12 juts down the resistor 9. When the voltage is removed, the diode closes and the load resistance increases. The proposed device allows ytfros to detect the anode sensitivity of the photomultiplier on illumination noise, reduce the inertia of operation and increase the sensitivity of the device by using a transistor to amplify the signal. An additional positive effect is the reliability of the sensitivity control circuits. The invention includes a photoelectronic device comprising a photomultiplier tube with a voltage divider, whose links are shunted by transistors, characterized in that, in order to simplify the control circuit of the sensitivity of the photomultiplier and reduce the inertia of control by reducing the number of transistors, as well as increasing the gain of the photomultiplier device. , the base of the transistor, which shunts the last cascade of amplification of the photomultiplier tube, is connected to the anode of the pv of this multiplier, and a signal resistor is connected to the emitter-to-coupling circuit of the transistor.
2. Устройство ПО П. I, О Т Л И Ч а Ю щ е е с тем, что , с целью изменени чувствительности по посто нному току от шумов засветки, анодна нагрузка зашунтирована входами диодно-резисторной цепи, выход которой через резистор подключен к источнику управл ющего напр жени .2. Software device P. I, O TL I Chaaa, so that, in order to change the sensitivity of the direct current from ambient noise, the anode load is bridged by the inputs of a diode-resistor circuit, the output of which through a resistor is connected to control voltage source.
5892525 .45892525 .4
Исгочники информации,v icxewax с фотоэлектронными умножитвп прин тые во внимание при экспертиземи. ОМП, W II, 1968, с. 15-20.Source of information, v icxewax with photoelectric multiplications taken into account in the examination. OMP, W II, 1968, p. 15-20.
I. Аверь нов Т. А. и цр. Автомат -2. Патент США М« 3321629,I. Aver new TA and CR. Automatic -2. US Patent M "3321629,
ческа регулировка усилени по шумам вкл. 250-207, опублик. 1964 (прототип).Noise gain adjustment incl. 250-207, published. 1964 (prototype).