SU871710A1

SU871710A1 - Super high frequency generator

Info

Publication number: SU871710A1
Application number: SU792810197A
Authority: SU
Inventors: В.В. Смородин
Original assignee: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиофизики И Электроники Ан Усср
Priority date: 1979-08-16
Filing date: 1979-08-16
Publication date: 1982-08-15

Description

1one

Изобретение относитс к радиотехиике и может использоватьс в устройствах св зи и радиолокации.The invention relates to radio engineering and can be used in communication devices and radar.

Известен генератор сверхвысоких частот, содержащий образованный первым и вторым зеркалами открытый резонатор, внутри которого размещены полупроводниковые диоды 1.A known microwave generator containing an open cavity formed by the first and second mirrors, inside of which semiconductor diodes 1 are placed.

Однако генератор СВЧ недостаточно устойчив в работе, имеет малую выходную мощность и не настраиваетс на заданную частоту.However, the microwave generator is not sufficiently stable in operation, has a low output power and is not tuned to the specified frequency.

Цель изобретени - увеличение выходной мощности, новыщение устойчивости режима работы и обеспечение настройки на заданную частоту.The purpose of the invention is to increase the output power, increase the stability of the operation mode and provide tuning to the specified frequency.

Дл этого в генераторе СВЧ первое зеркало составлено из отдельных изолированных и смещенных один относительно другого в поперечном направленни металлических брусьев, к которым нрнкреплены своими электродами полупроводниковые диоды , а первое зеркало установлено с возможностью перемещени и поворота относительно второго зеркала.For this, in the microwave generator, the first mirror is composed of separate isolated and displaced one relative to the other in the transverse direction of the metal bars, to which semiconductor diodes are fixed to their electrodes, and the first mirror is mounted for movement and rotation relative to the second mirror.

На чертеже изображена схема генератора СВЧ.The drawing shows a diagram of the microwave generator.

Генератор сверхвысоких частот содержит первое и второе зеркала 1, 2, причем первое зеркало 1 состоит из металлическихThe microwave generator contains the first and second mirrors 1, 2, and the first mirror 1 consists of metal

брусьев 3 с полупроводниковыми диодами 4, а второе зеркало 2 имеет отверстие 5 св зи.bars 3 with semiconductor diodes 4, and the second mirror 2 has a communication hole 5.

Генератор сверхвысоких частот работаетMicrowave generator works

5 следующим образом.5 as follows.

При нодаче напр жени смещени через металлические брусь 3 к нолупроводннковым диодам 4 домены сильного пол , раснростран сь в полупроводнике, возбуждают периодическую структуру, котора формирует излучение основного вида колебаний в нанравленни второго зеркала 2. Перестройка резонатора осуществл етс изменением рассто ни между первым и вторым зеркалами 1 и 2 и угла поворота первого зеркала 1 относительно второго зеркала 2.When the bias voltage is applied through the metal bars 3 to the four-conductor diodes 4 strong field domains, spreading in the semiconductor, excite a periodic structure that forms the radiation of the main mode of oscillation in the direction of the second mirror 2. Reconstruction of the resonator is performed by changing the distance between the first and second mirrors 1 and 2 and the angle of rotation of the first mirror 1 relative to the second mirror 2.

Предлагаемый генератор позвол ет достичь разр жени спектра колебаний, такThe proposed generator makes it possible to achieve a discharge of the oscillation spectrum, so

20 как высшие виды колебаний излучаютс из резонатора в стороны. Это значительно облегчает возмол ность суммировани мощиостей многих полупроводниковых диодов 4 и увеличивает полосу перестройки генератора. Так как первое зеркало 1 может быть выполнено достаточно массивным, то существенно улучшаетс теплоотвод от полуироводниковых диодов 4, что позвол ет просуммировать мощности практически не30 ограниченного числа полупроводниковых20, as higher modes of oscillation are emitted from the resonator to the sides. This greatly facilitates the possibility of summing up the power of many semiconductor diodes 4 and increases the generator tuning bandwidth. Since the first mirror 1 can be made quite massive, the heat removal from the semi-diode diodes 4 is significantly improved, which makes it possible to sum up the power of almost a limited number of semiconductor devices.

диодов 4 н получить увеличение мощности генератора. Кроме того, обеспечение хорошего тенлоотвода позвол ет получить большие частоты генерируемых колебаний.diodes 4 n get an increase in generator power. In addition, providing a good tenlootv allows to obtain high frequencies of the generated oscillations.

Таким образом предложенный генератор имеет большую чем прототин мошность и более устойчив в работе.Thus, the proposed generator has more power than Prototin and is more stable in operation.

Claims

1. A microwave detector, containing an open resonator formed by the first and second mirrors, inside which are placed semiconductor diodes, characterized in that, in order to increase the output power and increase the stability of the operating mode, the first mirror is composed of separate isolated and mixed one with another in the transverse direction of metal bars to which semiconductor diodes are attached with their electrodes.

2. The hepatore according to claim 1, excluding the fact that, in order to tune to a given frequency, the first mirror is installed with the possibility of non-shifting and rotation relative to the second mirror.

Sources of information taken during examination

1. Copyright book))) STVO USSR for the application of Lo 2753936 / 18-09, cl. And OZG 9/12, 16.04.79 (prototype).

(////////// //////// / Л

k

t

/ 2

f