SU871103A1 - Устройство термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов - Google Patents

Устройство термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов Download PDF

Info

Publication number
SU871103A1
SU871103A1 SU792759731A SU2759731A SU871103A1 SU 871103 A1 SU871103 A1 SU 871103A1 SU 792759731 A SU792759731 A SU 792759731A SU 2759731 A SU2759731 A SU 2759731A SU 871103 A1 SU871103 A1 SU 871103A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
diode
current
input
bias
compensation
Prior art date
Application number
SU792759731A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Гаврилович Рожков
Original Assignee
Предприятие П/Я А-7133
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-7133 filed Critical Предприятие П/Я А-7133
Priority to SU792759731A priority Critical patent/SU871103A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU871103A1 publication Critical patent/SU871103A1/ru

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМОКОМПЕНСАЦИИ ПРЯМЫХ ХАРАКТЕРИСТИК Изобретение относитс  к области радиоэлектроники и может быть использовано в радиотехнических устройствах дл  повышени  температурной стабильно ти диодных ограничителей, бапансных смесителей, логарифмических усилителей с нелинейными нагрузками и подобных схем с применением полупроводниковых диодов. Известны устройства дл  термокомпенсации полупроводниковых приборов, использующие в качестве опорного элемента терморезисторы . Недостатком известных устоойств  вл етс  то, что вольт-ампеона  характеристика таких опорных элементов линейна и при термокомпенсации приборов с нелинейными характеристиками, например диодов, возникают большие ошибки. Наиболее близким техническим оеше- нием к изобретению  вл етс  устройство содержащее генератор тока, подключенный к опорному диоду, компенсируемый диод, источник напр жени  смещени  и вычитаю
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

Claims (3)

  1. диодов щее устройство. В качестве компенсируемого диода в устройстве поименен варикап , и из напр жени  упр влени , подаваемого н  него, вычитаетс  напр жение снимаемое с опооного диод  . Однако это устройство не может быть использовано дл  термокомпенсации пр мых характеристик диодов, т.е. варикап работает в режиме обратного смещени . Компенсаци  на пр мом участке вольт-амперной характеристики оказываетс  неполной из-за трудностей обеспечени  режима пр мого смещени . Целью изобретени   вл етс  повышение точности компенсации при заданном уровне пр мого смещени . Поставленна  цель достигаетс  тем, что в устройстве дл  термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов, содержащем генератор тока, подключ енный к опорному диоду, компенсируемлй диод, источник напр жени  смещени  и вычитающее устройство, последнее выполнено ь виде дифференциального усилител . Первый его вход сое динен с опорным диоДЬм, второй вход- с источником напр жени  смещени , а вькод подключен к компенсируемому диоду, На фиг. 1 представлена функциональна  схема предлагаемого устройства НА фиг. 2 - вариант принципиальной схемы устройства с элементами задани  режимов опорного диода и вычитающего устройства, в качестве которого может быть использована схема на основе операционного усилител  с дифференциальным входом. . Предлагаемое устройство (фиг. 1) : содержит генератор тока 1, опорный диод 2, вычитающее устройство 3 и термокомпенсируемый диод 4. Ток генератора 1 проходит практичес ки полностью через опорный диод 2, соз дава  опорное напр жение, поступающее ria первый вход вычитающего устройства 3, на второй вход которого подаетс  напр жение смещени  С выхода вычитающего устройства на вход термокомпенсируемого диода 4 поступает напр жение (J UOA-U ВЫХ. ( 11ODIK. - m ОА, напр жение на опорном диоде) которое будет мен тьс  с изменением температуры окружающей среды. При достаточно близких пр мых вольт амперных характеристиках диодов 2 и 4 рабоча  точка диода по току (при отсут ствии сигнала) будет фиксирована (ток через диод 4 не зависит от температуры При использовании диода 4 в высокочастотных цеп х ток через диод мен етс  в широких пределах - от тока смещени  в рабочей точке до пр мого тока через диод при наличии сильного сигнал ( отношение максимального и минимального токов может составл ть дес тки и сотни). В этих услови х предлагаема  схема ббеспечивает качественную фиксацию рабочей точки диода 4 как при изменении сигнала, так и при колебании температуры , т.е. устройство обеспечивает по сравнению с известными устройствами более точную температурному компенсацию пр мых характеристик полупроводниковых диодов при заданном уровне пр мого смещени . Формула изобретени  Устройство дл  термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов, содержащее генератор тока, подключенный к опорному диоду, компенсируемый диод, источник напр жени  смещени  и вычитающее устройство, отли ающеес.  тем, что, с целью.повышени  точности компенсации при заданном уровне пр мого смещени , вычитающее устройство выполнено в виде дифференциального усилител , первый его вход соединен с опорным диодом, второй вход - с источником напр жени  смещени , а выход подключен .к компенсируемому диоду. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Кривоносов А. И. Температурна  компенсаци  электронных схем. М., Св зь, 1977, с. 65-75.
  2. 2.Авторское свидетельство СССР № 560192, кл. G 01 R 31/26,1977.
  3. 3.Радиоприемные устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет. Под ред. Р. А. Валитова и А. А. Куликовского. М.,Сов. радио / 1968, с. 357 (шэототип).
SU792759731A 1979-04-24 1979-04-24 Устройство термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов SU871103A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792759731A SU871103A1 (ru) 1979-04-24 1979-04-24 Устройство термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792759731A SU871103A1 (ru) 1979-04-24 1979-04-24 Устройство термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU871103A1 true SU871103A1 (ru) 1981-10-07

Family

ID=20824963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792759731A SU871103A1 (ru) 1979-04-24 1979-04-24 Устройство термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU871103A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6359918B1 (en) Light source control device
US3705316A (en) Temperature compensated light source using a light emitting diode
US7256653B2 (en) High-frequency power amplifier and communication apparatus
JP3240475B2 (ja) 光ファイバ・ジャイロスコープにおける光源用装置および半導体光源の温度測定方法
US4081670A (en) Automatic bias control circuit for injection lasers
US6172555B1 (en) Bandgap voltage reference circuit
CN111384904B (zh) 功率放大电路以及电子设备
KR940027352A (ko) 송수신기
EP0104770A2 (en) Temperature-dependent voltage generator circuitry
US3369128A (en) Logarithmic function generator
SU871103A1 (ru) Устройство термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов
US5699004A (en) Temperature compensation of logarithmic amplifiers in a sampled data system
WO1996031947A3 (en) Offset-compensated linear rf detector
KR860009555A (ko) 저전압 디지탈 투 아날로그 변환기용 입력레벨 시프트 회로
US4771233A (en) Printed curcuit board lead ammeter
KR920008785B1 (ko) 직류신호 변환용 회로
KR930003522B1 (ko) 전자증폭제어를 하는 전기신호의 증폭회로
US4395642A (en) Sine-shaping circuit
FI104451B (fi) Sähköinen syöttöpiiri erityisesti APD-diodeja varten
US3235784A (en) D. c. transmission system with temperature stabilization
US6407638B1 (en) Low temperature-corrected voltage generator device
SU564707A1 (ru) Амплитудный детектор
GB1020080A (en) Improvements in arrangements for compensating drift effects due to temperature variation
SU750746A1 (ru) Термокомпенсированный генератор стабилизированного тока
SU864091A2 (ru) Кондуктометр