SU871103A1 - Устройство термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов - Google Patents
Устройство термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов Download PDFInfo
- Publication number
- SU871103A1 SU871103A1 SU792759731A SU2759731A SU871103A1 SU 871103 A1 SU871103 A1 SU 871103A1 SU 792759731 A SU792759731 A SU 792759731A SU 2759731 A SU2759731 A SU 2759731A SU 871103 A1 SU871103 A1 SU 871103A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- diode
- current
- input
- bias
- compensation
- Prior art date
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМОКОМПЕНСАЦИИ ПРЯМЫХ ХАРАКТЕРИСТИК Изобретение относитс к области радиоэлектроники и может быть использовано в радиотехнических устройствах дл повышени температурной стабильно ти диодных ограничителей, бапансных смесителей, логарифмических усилителей с нелинейными нагрузками и подобных схем с применением полупроводниковых диодов. Известны устройства дл термокомпенсации полупроводниковых приборов, использующие в качестве опорного элемента терморезисторы . Недостатком известных устоойств вл етс то, что вольт-ампеона характеристика таких опорных элементов линейна и при термокомпенсации приборов с нелинейными характеристиками, например диодов, возникают большие ошибки. Наиболее близким техническим оеше- нием к изобретению вл етс устройство содержащее генератор тока, подключенный к опорному диоду, компенсируемый диод, источник напр жени смещени и вычитаю
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
Claims (3)
- диодов щее устройство. В качестве компенсируемого диода в устройстве поименен варикап , и из напр жени упр влени , подаваемого н него, вычитаетс напр жение снимаемое с опооного диод . Однако это устройство не может быть использовано дл термокомпенсации пр мых характеристик диодов, т.е. варикап работает в режиме обратного смещени . Компенсаци на пр мом участке вольт-амперной характеристики оказываетс неполной из-за трудностей обеспечени режима пр мого смещени . Целью изобретени вл етс повышение точности компенсации при заданном уровне пр мого смещени . Поставленна цель достигаетс тем, что в устройстве дл термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов, содержащем генератор тока, подключ енный к опорному диоду, компенсируемлй диод, источник напр жени смещени и вычитающее устройство, последнее выполнено ь виде дифференциального усилител . Первый его вход сое динен с опорным диоДЬм, второй вход- с источником напр жени смещени , а вькод подключен к компенсируемому диоду, На фиг. 1 представлена функциональна схема предлагаемого устройства НА фиг. 2 - вариант принципиальной схемы устройства с элементами задани режимов опорного диода и вычитающего устройства, в качестве которого может быть использована схема на основе операционного усилител с дифференциальным входом. . Предлагаемое устройство (фиг. 1) : содержит генератор тока 1, опорный диод 2, вычитающее устройство 3 и термокомпенсируемый диод 4. Ток генератора 1 проходит практичес ки полностью через опорный диод 2, соз дава опорное напр жение, поступающее ria первый вход вычитающего устройства 3, на второй вход которого подаетс напр жение смещени С выхода вычитающего устройства на вход термокомпенсируемого диода 4 поступает напр жение (J UOA-U ВЫХ. ( 11ODIK. - m ОА, напр жение на опорном диоде) которое будет мен тьс с изменением температуры окружающей среды. При достаточно близких пр мых вольт амперных характеристиках диодов 2 и 4 рабоча точка диода по току (при отсут ствии сигнала) будет фиксирована (ток через диод 4 не зависит от температуры При использовании диода 4 в высокочастотных цеп х ток через диод мен етс в широких пределах - от тока смещени в рабочей точке до пр мого тока через диод при наличии сильного сигнал ( отношение максимального и минимального токов может составл ть дес тки и сотни). В этих услови х предлагаема схема ббеспечивает качественную фиксацию рабочей точки диода 4 как при изменении сигнала, так и при колебании температуры , т.е. устройство обеспечивает по сравнению с известными устройствами более точную температурному компенсацию пр мых характеристик полупроводниковых диодов при заданном уровне пр мого смещени . Формула изобретени Устройство дл термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов, содержащее генератор тока, подключенный к опорному диоду, компенсируемый диод, источник напр жени смещени и вычитающее устройство, отли ающеес. тем, что, с целью.повышени точности компенсации при заданном уровне пр мого смещени , вычитающее устройство выполнено в виде дифференциального усилител , первый его вход соединен с опорным диодом, второй вход - с источником напр жени смещени , а выход подключен .к компенсируемому диоду. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Кривоносов А. И. Температурна компенсаци электронных схем. М., Св зь, 1977, с. 65-75.
- 2.Авторское свидетельство СССР № 560192, кл. G 01 R 31/26,1977.
- 3.Радиоприемные устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет. Под ред. Р. А. Валитова и А. А. Куликовского. М.,Сов. радио / 1968, с. 357 (шэототип).
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792759731A SU871103A1 (ru) | 1979-04-24 | 1979-04-24 | Устройство термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792759731A SU871103A1 (ru) | 1979-04-24 | 1979-04-24 | Устройство термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU871103A1 true SU871103A1 (ru) | 1981-10-07 |
Family
ID=20824963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792759731A SU871103A1 (ru) | 1979-04-24 | 1979-04-24 | Устройство термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU871103A1 (ru) |
-
1979
- 1979-04-24 SU SU792759731A patent/SU871103A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6359918B1 (en) | Light source control device | |
US3705316A (en) | Temperature compensated light source using a light emitting diode | |
US7256653B2 (en) | High-frequency power amplifier and communication apparatus | |
JP3240475B2 (ja) | 光ファイバ・ジャイロスコープにおける光源用装置および半導体光源の温度測定方法 | |
US4081670A (en) | Automatic bias control circuit for injection lasers | |
US6172555B1 (en) | Bandgap voltage reference circuit | |
CN111384904B (zh) | 功率放大电路以及电子设备 | |
KR940027352A (ko) | 송수신기 | |
EP0104770A2 (en) | Temperature-dependent voltage generator circuitry | |
US3369128A (en) | Logarithmic function generator | |
SU871103A1 (ru) | Устройство термокомпенсации пр мых характеристик полупроводниковых диодов | |
US5699004A (en) | Temperature compensation of logarithmic amplifiers in a sampled data system | |
WO1996031947A3 (en) | Offset-compensated linear rf detector | |
KR860009555A (ko) | 저전압 디지탈 투 아날로그 변환기용 입력레벨 시프트 회로 | |
US4771233A (en) | Printed curcuit board lead ammeter | |
KR920008785B1 (ko) | 직류신호 변환용 회로 | |
KR930003522B1 (ko) | 전자증폭제어를 하는 전기신호의 증폭회로 | |
US4395642A (en) | Sine-shaping circuit | |
FI104451B (fi) | Sähköinen syöttöpiiri erityisesti APD-diodeja varten | |
US3235784A (en) | D. c. transmission system with temperature stabilization | |
US6407638B1 (en) | Low temperature-corrected voltage generator device | |
SU564707A1 (ru) | Амплитудный детектор | |
GB1020080A (en) | Improvements in arrangements for compensating drift effects due to temperature variation | |
SU750746A1 (ru) | Термокомпенсированный генератор стабилизированного тока | |
SU864091A2 (ru) | Кондуктометр |