SU860973A1 - Восстановительна среда дл пайки - Google Patents
Восстановительна среда дл пайки Download PDFInfo
- Publication number
- SU860973A1 SU860973A1 SU792855712A SU2855712A SU860973A1 SU 860973 A1 SU860973 A1 SU 860973A1 SU 792855712 A SU792855712 A SU 792855712A SU 2855712 A SU2855712 A SU 2855712A SU 860973 A1 SU860973 A1 SU 860973A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- soldering
- hydrogen
- medium
- atomic
- reducing
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/38—Selection of media, e.g. special atmospheres for surrounding the working area
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к области пайки твердотельных приборо-в, преимущественно к низкотемпературной пайке, и может быть использовано дл пайки полупроводниковых приборов м гкими припо ми.
Изв,ест1но использование различных контролируемых сред дл пайки твердотельных приборов: вакуум, инертна и восстановительна среда 1. Вакуум и инертна среда служат защитной атмосферой при пайке от кислорода воздуха, а восстановительна среда, позвол ет восстанавливать нежелательные окисные пленки с па емой поверхности, подверга их разрушению. В результате улучшаетс качество пайки.
Наиболее близким к изобретению вл етс воостаиовительна среда дл пайки твердотельных приборов, содержаща молекул рный водород 2.
Однако, 1восстановительные свойства восстановительной среды, например атмосферы водорода, ухудшаютс с понижением температуры пайки. При низкотемпературной пайке м гкими припо ми (температура пайки 220-290°С) водород практически тер ет свои восстановительные свойства, поскольку в заметное взаимодействие с кислородом он вступает при температурах выше 300°С.
Целью изобретени вл етс повышение качества па ного соединени при пайке низкотемпературными припо ми.
Целью изобретени вл етс повышение
5 качест ва пайки.
Поставленна цель достигаетс тем, что восстановительна среда дл пайки твердотельных приборов дополнительно содержит атомарный водород при следующем соотноIQ шении, объем. %:
Атомарный Водород1-30
Молекул рный водородОстальное
Известно, что обычный молекул рный
водород тер ет свои восстановительные
15 свойства при низкотемпературной пайке твердотельных приборов м гкими припо ми . Практически оп служит как обычна инертна контролируема среда. Применение восстановительной среды, содержащей
20 атомарный и молекул рный водород в качестве контролируемой среды за счет более высокой активности атомарного водорода позвол ет получить новый качественный эффект в тех же услови х. Атомарный водород как более сильный восстановитель вступает в химическое взаимодействие с нежелательными окислами на па емой поверхности , подверга их разрушению. Тем самым активизируетс процесс пайкн и улуч30 шаетс качество па ных соединений.
Таким Образом, восстановительна среда , содержаща атомарный и молекул рный водород, позвол ет использовать ее восстановительные свойства и при температурах низкотемпературной пайки твердотельных приборов м гкими припо ми. Нижний предел объемного содержани атомарного водорода 1% определ тс комплексом физико-химических процессов, протекающих при пайке, причем основным фактором вл етс абоорбционно-автокаталитический механизм восстановлени офисной пленки. Предел 30% определ етс безопасностью работы с такой средой и трудност ми ее получени .
Пример 1. Проводилась герметизаци пайкой 200 штук интегральных схем (ИС) в корпусах. Крыщки корпусов из никеЛ )Я предварительно обслуживались гор чим способом припоем ПОС-61. Герметизаци осуществл лась с помощью инфракрасного нагрева в атмосфере оч иШенного водорода , а также в среде, содержащей 1 о бъемн. % атомарного и 99 объемн. °/о молекул рного водорода. Результаты показали, что применение указанной среды по сравнению с атмосферой обычного (молекул рного) водорода позвол ет повысить качество пайки, следствием чего )вл етс увеличение выхода годных изделий на 1,1%.
Пример 2. По технологии, описанной в .примере 1, проводилась герметизаци пайкой 100 щтук ИС в среде, содержащей 9 объемн. % атомарного водорода и 91 объемн . °/о молекул рного водорода. Выход годных изделий увеличилс на 5,1%.
Как видно из примеров, изобретение улучщает качество пайки за счет интенсивного удалени окисных пленок с па емой поверхности, что ведет к снижнию брака и увеличению выхода годных изделий.
Claims (2)
1.Лакедемонский А. В., Хр пин В. Е. «Справочник па льщика, «Мащи ностроение , 1963, с. 226-227;
2.Петрунин И. Е. «Физико-химические процессы при пайке, М., «Высща щкола, 1972, с. 103-123.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792855712A SU860973A1 (ru) | 1979-12-19 | 1979-12-19 | Восстановительна среда дл пайки |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792855712A SU860973A1 (ru) | 1979-12-19 | 1979-12-19 | Восстановительна среда дл пайки |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU860973A1 true SU860973A1 (ru) | 1981-09-07 |
Family
ID=20866179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792855712A SU860973A1 (ru) | 1979-12-19 | 1979-12-19 | Восстановительна среда дл пайки |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU860973A1 (ru) |
-
1979
- 1979-12-19 SU SU792855712A patent/SU860973A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4231809A (en) | Method of removing impurity metals from semiconductor devices | |
EP0546443B1 (en) | Soldering by conduction of heat from a plasma | |
EP0371693B1 (en) | Improvements relating to soldering processes | |
US3734791A (en) | Surfactant-containing soldering fluxes | |
WO1996033039A1 (en) | Fluxless soldering method | |
US3806365A (en) | Process for use in the manufacture of semiconductive devices | |
US4632295A (en) | Reduction atmosphere workpiece joining | |
IE80688B1 (en) | Halogenated carboxylic acid cleaning agents for fabricating integrated circuits and a process for using the same | |
EP0517430B1 (en) | Plasma based soldering | |
JPH0225291A (ja) | はんだペースト | |
MY127663A (en) | Method for analyzing impurities within silicon wafer | |
KR100328157B1 (ko) | 카드뮴부재땜납용은합금 | |
SU860973A1 (ru) | Восстановительна среда дл пайки | |
US3970239A (en) | Fluxing technique for removing lead oxide | |
JPS6219511B2 (ru) | ||
US5478493A (en) | Hexamethyldisiloxane containing azeotropes | |
US2800711A (en) | Brazing method | |
KR900014068A (ko) | 리플로우 땜납으로 지지체에 부품을 접합시키는 방법 | |
JPH04319091A (ja) | フラックスレスはんだ | |
US3791879A (en) | Solder flux composition | |
SU983092A1 (ru) | Стекло | |
JP3138782B2 (ja) | はんだ付け方法 | |
SU1164026A1 (ru) | Состав газовой среды дл пайки | |
US3791886A (en) | Solder flux composition | |
SU863710A1 (ru) | Способ диффузионного насыщени металлов и сплавов |