SU851221A1 - Method of halcogenide glass crystallization temperature determination - Google Patents
Method of halcogenide glass crystallization temperature determination Download PDFInfo
- Publication number
- SU851221A1 SU851221A1 SU792794886A SU2794886A SU851221A1 SU 851221 A1 SU851221 A1 SU 851221A1 SU 792794886 A SU792794886 A SU 792794886A SU 2794886 A SU2794886 A SU 2794886A SU 851221 A1 SU851221 A1 SU 851221A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- substance
- temperature
- crystallization
- phase transition
- moment
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Description
Изобретение относится к способам обнаружения и исследования фазовых переходов в стеклоббраэных полупроводниках.The invention relates to methods for detecting and studying phase transitions in glass semiconductors.
Известны способы для определения температур фазовых переходов в материалах, которые дают полную информацию о всех фазовых переходах, материала: размягчении, кристаллизации , плавлении [1].Known methods for determining the temperature of phase transitions in materials that give complete information about all phase transitions of a material: softening, crystallization, melting [1].
Однако приборы для осуществления известных способов сложны, поскольку содержат держатели образца и эталона, нагревательную камеру, устройство регулирования. Кроме того,про- . мышленные установки, допускающие работу с образцами массой до 1 мг, достаточно редки. Способы проводятся на образцах массой от 1 до 200 мг и состоят в том, что навеску вещества помещают непосредственно на термопару, которая нагревается проходящим через нее током, в то время как халькогенидные стекла в нагретом состоянии . . обладают высокой реакционной способностью, а разъедание термопары ведет к изменению величины ее сигнала и ошибкам в определении температур фазовых переходов.However, devices for implementing the known methods are complex because they contain sample and reference holders, a heating chamber, and a control device. In addition, pro. muscular installations that allow work with samples weighing up to 1 mg are quite rare. The methods are carried out on samples weighing from 1 to 200 mg and consist in the fact that a sample of the substance is placed directly on a thermocouple, which is heated by a current passing through it, while chalcogenide glasses are in a heated state. . possess high reactivity, and the erosion of a thermocouple leads to a change in the magnitude of its signal and errors in determining the temperatures of phase transitions.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому- является способ определения температуры кристаллизации халькогенидных стекол, ’ состоящий в том, что исследуемое вещество нагревают с постоянной скоростью и регистрируют момент фазового перехода по изменению физических свойств вещества (2).The closest in technical essence to the proposed one is a method for determining the crystallization temperature of chalcogenide glasses, which consists in the fact that the test substance is heated at a constant speed and the moment of phase transition is recorded by changing the physical properties of the substance (2).
’® Недостаток указанного способа состоит в том, что на начальных стадиях фазового перехода изменения отражения незначительны и не могут быть точно зарегистрированы, что ведет к завышению измеренной температуры перехода. Кроме того, не все материалы изменяют значительно свои отражающие свойства при фазовом переходе.’® The disadvantage of this method is that at the initial stages of the phase transition, the reflection changes are insignificant and cannot be accurately detected, which leads to an overestimation of the measured transition temperature. In addition, not all materials significantly change their reflective properties during phase transition.
Цель изобретения — повышение точ20 ности определения момента фазового перехода на малых колйчествах веще ства.The purpose of the invention is to increase the accuracy of determining the moment of phase transition at small quantities of a substance.
Поставленная цель достигается тем, что в способе определения температу25 ры кристаллизации халькогенидных стекол, состоящем в том, что исследуемое вещество нагревают с постоянной скоростью и регистрируют момент фазового перехода по изменению фиэи30 ческих свойств вещества, указанную регистрацию фазового перехода осуществляют по моменту возникновения оптического излучения из исследуемого вещества.This goal is achieved by the fact that in the method for determining the crystallization temperature of chalcogenide glasses, which consists in the fact that the test substance is heated at a constant speed and the moment of phase transition is recorded by changing the phyiochemical properties of the substance, this phase transition is recorded at the time of the appearance of optical radiation from the studied substances.
На фиг. 1 представлена схема реализации способа, обнаружения фазовых переходов; на фиг. 2 — форма записи ’ самописца·, по которой устанавливают момент фазового перехода; на фиг. 3— записи сигналов, показывающие, что излучение оптического диапазона наблюдается лишь в момент кристаллизации;*® на фиг. 4 — блок-схема установки для осуществления предлагаемого способа, когда материал имеет вид порошка; на фиТ1. 5 — то же, без удаления стеклообразных пленок с подложки. 15In FIG. 1 is a diagram of an implementation of a method for detecting phase transitions; in FIG. 2 - the recording form of the recorder ·, according to which the moment of phase transition is established; in FIG. 3 — records of signals showing that radiation of the optical range is observed only at the moment of crystallization; * ® in FIG. 4 is a block diagram of an apparatus for implementing the proposed method when the material is in the form of a powder; in fiT 1 . 5 - the same, without removing glassy films from the substrate. fifteen
Схема реализации предлагаемого способа включает пластину 1 исследуемого вещества, осветитель 2, фотоприемник 3, нагреваемый столик 4, усилитель 5, самописец б и термопа- 20 РУ 7, регистрирующую * температуру столика. Самописец 6 записывает линию 8 температуры и линию 9 интенсивности отраженного света.The implementation scheme of the proposed method includes a plate 1 of the test substance, a illuminator 2, a photodetector 3, a heated table 4, an amplifier 5, a recorder b, and a thermopa 20 RU 7 that records * the temperature of the table. The recorder 6 records the temperature line 8 and the reflected light intensity line 9.
Согласно предлагаемому способу образец нагревают и измеряют интенсивность света, отраженного от его поверхности . в момент фазового перехода отражающие свойства поверхности меняются, что фиксируется фотоприемником.According to the proposed method, the sample is heated and the intensity of the light reflected from its surface is measured. at the moment of the phase transition, the reflective properties of the surface change, which is detected by a photodetector.
Кривые 10 и 11(фиг. 3)показывают, что излучение оптического диапазона наблюдается в момент кристаллизации.Curves 10 and 11 (Fig. 3) show that the radiation of the optical range is observed at the time of crystallization.
Установка для осуществления способа состоит из навески вещества 12, 35 ленточного нагревателя 13,регулятора 14 силы тока, термопары 15, лин- _ эы 16, германиевого фотодиода 17 типа ФД-5Г, усилителя 18, самописца 19, нагреваемого столика 20 и подложки 21 40 пленки.The installation for implementing the method consists of a sample of a substance 12, 35 of a tape heater 13, a current regulator 14, a thermocouple 15, a line 16, a germanium photodiode 17 of the type FD-5G, an amplifier 18, a recorder 19, a heated table 20 and a substrate 21 40 films.
Если исследуемое вещество имеет вид порошка, то способ реализуется следующим образом; «авеску вещества 12 помещают в углубление ленточного нагревателя 13, ток через который задается устройством 14, изменяющим величину тока во времени по определенному закону.Для навесок массой менее 100 мкг удобнее применить нагреватель в виде отдельной проволоки. Температура нагревателя фиксируется термопарой 15. Излучение, возникающее в момент кристаллизации, собирается линзой 16, которая фиксирует его на германиевый фотодиод 17, работающий в фотодиодном режиме. Усилитель 18 принимает сигнал фотодиода и усиливает его перед записью на самописце 19, где одновременно ведут запись нарастания температуры. Момент начала кристализации точно фиксируется по резкому импульсу светового излучения. Регистрация кристаллизации в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников без удаления их с подложки осуществляется аналогичным образом. Отличие заключается в том, что пленку на подложке 21 помещают на поверхность нагреваемого столика 20.If the test substance has the form of a powder, the method is implemented as follows; “Avescu of substance 12 is placed in the recess of the tape heater 13, the current through which is set by the device 14, which changes the current value in time according to a certain law. For hanging weighing less than 100 μg, it is more convenient to use a heater in the form of a separate wire. The temperature of the heater is fixed by a thermocouple 15. Radiation that occurs at the time of crystallization is collected by a lens 16, which fixes it to a germanium photodiode 17 operating in the photodiode mode. The amplifier 18 receives the signal of the photodiode and amplifies it before recording on the recorder 19, where the temperature rise is simultaneously recorded. The moment of crystallization onset is accurately detected by a sharp pulse of light radiation. Registration of crystallization in films of chalcogenide glassy semiconductors without removing them from the substrate is carried out in a similar way. The difference is that the film on the substrate 21 is placed on the surface of the heated table 20.
Предлагаемый способ обеспечивает определение температуры кристаллиза__ ции на малых количествах вещества с высокой точностью.The proposed method provides for determining the crystallization temperature on small amounts of a substance with high accuracy.
Claims (2)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792794886A SU851221A1 (en) | 1979-07-16 | 1979-07-16 | Method of halcogenide glass crystallization temperature determination |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU792794886A SU851221A1 (en) | 1979-07-16 | 1979-07-16 | Method of halcogenide glass crystallization temperature determination |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU851221A1 true SU851221A1 (en) | 1981-07-30 |
Family
ID=20840044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU792794886A SU851221A1 (en) | 1979-07-16 | 1979-07-16 | Method of halcogenide glass crystallization temperature determination |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU851221A1 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4927270A (en) * | 1987-11-18 | 1990-05-22 | Bonnard John A | Method of and apparatus for determining melting points |
US5088833A (en) * | 1988-02-10 | 1992-02-18 | Nova Husky Research Corporation | Method and apparatus for monitoring cloud point or like transition temperature |
US5092679A (en) * | 1990-12-14 | 1992-03-03 | Brotz Gregory R | Melting point determination apparatus and method |
-
1979
- 1979-07-16 SU SU792794886A patent/SU851221A1/en active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4927270A (en) * | 1987-11-18 | 1990-05-22 | Bonnard John A | Method of and apparatus for determining melting points |
US5088833A (en) * | 1988-02-10 | 1992-02-18 | Nova Husky Research Corporation | Method and apparatus for monitoring cloud point or like transition temperature |
US5092679A (en) * | 1990-12-14 | 1992-03-03 | Brotz Gregory R | Melting point determination apparatus and method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU851221A1 (en) | Method of halcogenide glass crystallization temperature determination | |
US4185497A (en) | Adiabatic laser calorimeter | |
US2546450A (en) | Photometric comparator instrument | |
Klein | Techniques for measuring absorption coefficients in crystalline materials | |
RU2024826C1 (en) | Device for measuring ir-radiation scattering and absorption factors | |
RU2035037C1 (en) | Method for measuring three-dimensional dispersion factor and three-dimensional absorption coefficient in optical materials | |
JPH1038856A (en) | Light absorptance measuring instrument and measuring method | |
RU2025656C1 (en) | Device for non-destructive measuring of thickness of dielectric and semiconductor films in predetermined point | |
SU587344A1 (en) | Device for determining the transmitting absorbing and reflecting properties of translucent materials | |
SU1573403A1 (en) | Method of measuring thermal diffusivity | |
SU1696982A1 (en) | Method of calorimetric calibration of device for differential thermoanalysis | |
SU1732181A1 (en) | Solid opaque materials radiation level meter | |
JPH0626976Y2 (en) | Optical disk inspection device Calibration reference plate | |
SU1187563A1 (en) | Method of determining dissipation factor of translucent solid mirror-reflection materials with small absorption factor | |
SU932288A1 (en) | Device for thermometer graduation and checking | |
SU719259A1 (en) | Method for determining phase transformation temperatures in materials | |
Charsley et al. | Measurement of the oxidative stability of polyethylene by differential thermal analysis | |
SU851183A1 (en) | Thermal weighing plant | |
SU1448249A1 (en) | Installation for determining the optical density of smoke | |
SU647606A1 (en) | Team-and-gas medium rate sensor | |
SU864084A1 (en) | Heat capacity measuring method | |
Chapman et al. | A noninterferometric optical probe | |
JPH0419496Y2 (en) | ||
RU2033603C1 (en) | Method of measurement of reflection factor | |
SU972357A1 (en) | Device for determination of wire specimen linear expansion factor |