SU834800A1 - Installation for processing article optical surfaces - Google Patents
Installation for processing article optical surfaces Download PDFInfo
- Publication number
- SU834800A1 SU834800A1 SU782648366A SU2648366A SU834800A1 SU 834800 A1 SU834800 A1 SU 834800A1 SU 782648366 A SU782648366 A SU 782648366A SU 2648366 A SU2648366 A SU 2648366A SU 834800 A1 SU834800 A1 SU 834800A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- workpiece
- plasma beam
- plasma
- diaphragm
- ion source
- Prior art date
Links
Description
Изобретение относится к прецизионной обработке поверхностей, а именно к электрофизическим установкам, предназначенным для формообразования оптических поверхностей бомбардировкой потоком .заряженных частиц. 5 The invention relates to precision surface treatment, namely to electrophysical installations intended for shaping optical surfaces by bombardment by a stream of charged particles. 5
Известны ионно-лучевые установки для формообразования оптических поверхностей, в которых обработка поверхности детали осуществляется ионным пучком, отклоняемым на небольшие уг- ,0 лы с помощью системы магнитных линз. Такое устройство позволяет обрабатывать детали небольших размеров со сравнительно невысокой точностью, приблизительно 1 мкм fl].Known ion-beam systems for forming the optical surfaces, in which process the workpiece surface is performed by an ion beam, deflectable into small ug- 0 ly by magnetic lens system. Such a device allows you to process parts of small sizes with relatively low accuracy, approximately 1 μm fl].
Однако в известных установках обработка деталей больших размеров с большей точностью достигается путем использования механического привода перемещения пучка относительно обрабатываемой поверхности, контроль формы поверхности производится с помощью специальных оптических систем, встроенных в установку, или независимых, которые позволяют контролировать либо глубину съема на отдельных участках поверхности, либо всю поверхность. Установки, содержащие встроенные оптические системы для контроля формообразования, сложны, имеют большую стоимость и используются для обработки деталей диаметром не более 300 мм.However, in known installations, processing of large-sized parts with greater accuracy is achieved by using a mechanical drive to move the beam relative to the surface to be treated, surface shape control is carried out using special optical systems built into the installation, or independent, which allow you to control either the depth of removal on individual surface sections, or the entire surface. Plants containing integrated optical systems for controlling the shaping are complex, have a high cost and are used to process parts with a diameter of not more than 300 mm.
Наиболее близкой к предлагаемой является установка для обработки оптических поверхностей изделий, содержащая вакуумную камеру с размещенными в ней ионнным источником, снабженным приводом перемещения, приспособлением для крепления обрабатываемого изделия с приводами· крепления изделия и вращения приспособления вокруг собственной оси, систему контроля за формообразованием обрабатываемой поверхности, блоки управления и сравненияClosest to the proposed one is a device for processing optical surfaces of products, containing a vacuum chamber with an ion source placed in it, equipped with a displacement drive, a device for fastening the workpiece with drives · fastening the product and rotating the device around its own axis, a control system for shaping the processed surface, control and comparison units
Недостатками установки являются малая производительность и низкие тех ;The disadvantages of the installation are low productivity and low tech;
нологические возможности, обусловленные малым диаметром ионного пучка, отсутствием возможности плавной регулировки размеров пучка (диаметр пучка регулируется дискретно, набором диафрагм) , а также невозможностью исправления дефектов обрабатываемой поверхности (в виде углублений и люменов) в связи с напылением дополнительного слоя.the logical possibilities due to the small diameter of the ion beam, the lack of the possibility of smooth adjustment of the beam size (the beam diameter is discretely controlled by a set of apertures), as well as the inability to correct defects on the treated surface (in the form of recesses and lumens) due to the deposition of an additional layer.
Цель изобретения - увеличение про изводительности и расширение технологических возможностей.The purpose of the invention is to increase productivity and expand technological capabilities.
Поставленная.цель достигается благодаря тому, что установка для об- 15 работки оптических поверхностей изделий, содержащая вакуумную камеру с размещенными в ней ионным источником, снабженным приводом перемещения, приспособлением для крепления обрабатываемого изделия с приводами крепления изделия и вращения приспособления вокруг собственной оси, систему контроля за формообразованием обрабатываемой поверхности, блоки управления и сравнения, снабжена мишенью, о „ расположенной под углом.к плоскости обрабатываемой поверхности, регулируемой диафрагмой и заслонкой с при- 3θ водами, установленными между ионным источником и мишенью, а также ловушкой распыленного материала обрабатываемого изделия, а приспособление для крепления обрабатываемого изде- 35 лия дополнительно снабжено приводами возвратно-поступательного движения, перемещения и наклона в плоскости падения плазменного пучка ионного источника на обрабатываемую поверх- 4θ ность ‘изделия, причем выходы блока управления соединены с ионным источником и его приводом, с блоком сравнения и с приводами крепления и перемещений обрабатываемого изделия, а 45 также с приводами заслонки и диафрагмы, а вход блока управления соединен с выходом системы контроля через блок сравнения.Postavlennaya.tsel achieved thanks to the fact that the installation of For creation of the optical surfaces 15 rabotki articles, comprising a vacuum chamber arranged therein an ion source provided with a displacement drive device for fixing the workpiece with the actuators and fastening articles rotational device about its own axis, the control system for shaping the machined surface, the control and comparison units are equipped with a target, located at an angle to the plane of the machined surface, adjustable emoy diaphragm and shutter with water pri- θ 3 set between the ion source and the target, as well as trap the pulverized material of the workpiece, and means for mounting the processed izde- lija 35 is further provided with actuators reciprocating motion, moving and tilting in the plane of incidence of the plasma an ion beam source onto the treated surface 4 θ ness' products, wherein the control unit outputs are connected to the ion source and its drive, a comparison unit and with the actuators and fastening V scheny workpiece 45 as well as valve actuators and diaphragm, and the input control unit connected to the output control through the comparison unit.
На фиг.1 изображена функциональ- JQ ная схема предлагаемой полуавтоматической установки для формообразования оптических поверхностей путем распыления материала с обрабатываемой поверхности, напыления на нее допол- 55 нительного слоя; на фиг.2 - узел для крепления и перемещения изделий по координатам Ед и ψ на величины соответственно дЕд и & ψ относительFigure 1 shows a functional JQ diagram of the proposed semi-automatic installation for shaping optical surfaces by spraying material from the treated surface, spraying on it an additional 55 layer; figure 2 - node for mounting and moving products along the coordinates of Un and ψ by the values respectively DEU and & ψ relative
834800 4 но плазменного пучкана фиг.З - отверстие плавно регулируемой диафрагмы и ее эффективный диаметру на фиг.4 часть обрабатываемой поверхности плоского зеркала, имеющего отступление от плоскости в виде бугра произвольной формы, план; на фиг. 5 и 6дискретное расположение следов плазменного пучка в процессе обработки этого участка поверхности, нормальный и продольный разрезы бугра.834800 4 but the plasma beam of Fig.Z - the hole of the continuously adjustable diaphragm and its effective diameter in Fig.4 is a part of the machined surface of a flat mirror having a deviation from the plane in the form of a mound of arbitrary shape, plan; in FIG. 5 and 6 discrete arrangement of traces of a plasma beam during the processing of this surface area, normal and longitudinal sections of the hill.
.Установка (фиг.1) содержит вакуумную камеру 1, приспособление 2 С приводами для крепления и перемещения обрабатываемого изделия, установленное в вакуумной камере с возможностью дискретного поворота: вокруг собственной оси . 0Ν на угол Δ (по координате ψ) , наклона вокруг оси ОУ на угол Δ. (по координате у) и дискретного поступательного перемещения вдоль оси 0Ζ (по координате Ζ) в плоскости падения плазменного пучка на обрабатываемую поверхность изделия 3, ионный источник 4, соединенный с вакуумной камерой 1 сильфоном 5, систему 6 контроля за формообразованием, плавно регулируемую’диафрагму 7, установленную между ионными источником 4 и приспособлением 2 для крепления и перемещения обрабатываемого изделия по оси плазменного пучка ионного источника 4 и снабженную заслонкой 8, мишень 9, установленную между плавно регулируемой диафрагмой 7 и приспособлением 2 для крепления и перемещения обрабатываемого изделия 3 на пути распространения плазменного пучка, (когда ионный источник плазменного пучка 4 повернут вокруг центра О,,) , ловушку 10, установленную на пути распыляемого с обрабатываемой поверхности материала, приводы 11 и 12 дискретных поворотов приспособления 2 для крепления и перемещения обрабатываемого изделия 3 вокруг собственной оси 0Ν на угол д Ψ (по координате Ψ) и оси ОУ на угол д£д(по координате у) , привод 13 для дискретного перемещения приспособления 2 вдоль оси 0Z, приводы. 14-16 плавной регулировки эффективного диаметра диафрагмы, управления положением заслонки 8 и ионного источника 4 плазменного пучка, блок 17 управления работой установки, блок 18 для сравнения сигнала системы контроля распыления (напыления) с базовым сигналом. При. Installation (figure 1) contains a vacuum chamber 1, a device 2 With drives for mounting and moving the workpiece, installed in a vacuum chamber with the possibility of discrete rotation: around its own axis. 0Ν by the angle Δ (along the coordinate ψ), the inclination around the axis of the OS by the angle Δ. (along the y coordinate) and discrete translational movement along the 0Ζ axis (along the Ζ coordinate) in the plane of incidence of the plasma beam on the workpiece surface 3, an ion source 4 connected to a vacuum chamber 1 by a bellows 5, a shaping control system 6, continuously adjustable with a diaphragm 7, mounted between the ion source 4 and the device 2 for mounting and moving the workpiece along the axis of the plasma beam of the ion source 4 and equipped with a shutter 8, the target 9, mounted between a continuously adjustable diameter fragment 7 and a device 2 for mounting and moving the workpiece 3 on the path of the plasma beam propagation (when the ion source of the plasma beam 4 is rotated around the center О ,,), a trap 10 installed on the path of the material sprayed from the treated surface, the actuators 11 and 12 are discrete rotations of the tool 2 for fastening and moving the workpiece 3 around its own axis 0Ν by the angle d Ψ (along the coordinate Ψ) and the axis of the op-amp by the angle d £ d (along the coordinate y), drive 13 for discrete movement of the tool 2 along the axis 0Z drives. 14-16 continuously adjusting the effective diameter of the diaphragm, controlling the position of the shutter 8 and the ion source 4 of the plasma beam, unit 17 for controlling the operation of the unit, block 18 for comparing the signal of the atomization control system (spraying) with the base signal. At
834800 6 необходимости напыления слоя на поверхность изделия 3 ионный источник 4 плазменного пучка поворотом вокруг центра 0-,. с помощью привода 16 наводится на мишень 9. Как при напыле- 5 нии, так и при распылении поверхности обрабатываемого изделия 3 форма и размеры плазменного пучка, а следователы но, ц участка обрабатываемой поверхности, определяются эффективным диаметром D (фиг.3); плавно регулируемым диафрагмой 7 и заслонкой 8, управляемых соответственно приводами.14 и 15. Отверстие диафрагмы 7 выполнено в виде правильного шестиугольника.834800 6 necessary to spray a layer on the surface of the product 3 ion source 4 plasma beams by rotation around the center 0- ,. with the help of the drive 16 it is aimed at the target 9. Both during sputtering 5 and when spraying the surface of the workpiece 3, the shape and dimensions of the plasma beam, and therefore, the area of the treated surface, are determined by the effective diameter D (Fig. 3) ; continuously adjustable diaphragm 7 and shutter 8, respectively controlled by actuators 14 and 15. The opening of the diaphragm 7 is made in the form of a regular hexagon.
Установка работает следующим образой.Installation works as follows.
В блок 17 управления вводятся программы; величина и последователь’ность исполнения движений по координатам Ч» , у и Z, определяющих положе- ние центра плазменного пучка на поверхности изделия 3, глубина распыления (напыления) материала с обрабаты- 25 ваемой поверхности (на обрабатываемую поверхность) изделия 3, эффективный диаметр регулируемой диафрагмы и положение заслонки 8 как функции координат Ψ , у и Z. По сигналам 30 с блока 17 'управления установкой приспособление 2 для крепления и перемещения изделия с помощью приводов 11- ориентируется так, чтобы ось плазменного пучка (или потока распыленного материала мишени) совпала с начальными координатами Vo , у и Ζθ (фиг.б), определенными программой перемещений и поворотов относительно осей ON, 0Y и 0Ζ , соответственно, 40 при этом за счет наклона приспособления 2 вокруг оси ОУ обеспечивается эффективный угол падения плазменного пучка на поверхность изделия ( = =60+10°). Затем с блока 17 управления 45 !последовательно посылаются сигналы на включение ионного источника 4, а также приводов 14-16. В результате плазменный пучок направляется под углом 60^1СРна поверхность изделия 3 50 (в случае распыления) либо на мишень 9 в случае напыления материала на поверхность изделия 3), при этом плавно регулируемая диафрагма 7 раскрывается до необходимого значения эффективного диаметра, а заслонка в зависимости от формы обрабатываемого участка поверхности открывает частично или полностью отверстие диафрагмы 7.In block 17 of the control program; posledovatel'nost magnitude and execution of movements B coordinates', y and Z, defining the position of the center of the plasma beam on the surface of the article 3, the depth of sputtering (sputtering) of the material with 25 Vai processed surface (treated surface) of the article 3, the effective diameter the adjustable diaphragm and the position of the shutter 8 as a function of the coordinates Ψ, y and Z. According to the signals 30 from the installation control unit 17 ', the device 2 for fastening and moving the product using actuators 11- is oriented so that the axis of the plasma beam (or flow of the sprayed target material) coincided with the initial coordinates V o , y and Ζθ (Fig. b) defined by the program of movements and rotations relative to the ON, 0Y, and 0Ζ axes, respectively, 40 , due to the inclination of the device 2 around the axis of the op-amp, an effective angle of incidence is ensured a plasma beam on the surface of the product (= = 60 + 10 °). Then, signals from the control unit 45 ! Are sent sequentially to turn on the ion source 4, as well as the drives 14-16. As a result, the plasma beam is directed at an angle of 60 ^ 1СР to the surface of the product 3 50 (in the case of spraying) or to the target 9 in the case of spraying the material onto the surface of the product 3), while the continuously adjustable diaphragm 7 opens to the required effective diameter, and the shutter, depending from the shape of the processed surface area partially or completely opens the opening of the diaphragm 7.
Плазменный пучок, пройдя через диафрагму 7, бомбардирует поверхность изделия 3 и распыляет ее. При угле 60Р±.10°падения ионов пучка достигается, с одной стороны, высокая скорость обработки, а с другой - узкая диаграмма направленности распыленного материала. Последнее обуславливает возможность экранирования распыленного материала с помощью ловушки 10, что дает возможность полностью исключить его осаждение на обрабатываемую поверхность.The plasma beam, passing through the diaphragm 7, bombards the surface of the product 3 and sprays it. At an angle of 60P ± .10 ° the incidence of beam ions, on the one hand, a high processing speed is achieved, and on the other, a narrow radiation pattern of the sprayed material. The latter makes it possible to shield the sprayed material using a trap 10, which makes it possible to completely eliminate its deposition on the treated surface.
Одновременно система 6 контроля за формообразованием в виде электрического сигнала выдает информацию о толщине распыленного (или напыленного) слоя материала. Этот сигнал сравнивается в блоке 18 с базовым сигналом блока 17 управления заданной толщине. В случае их совпадения блок 17 управления последовательно [выдает сигналы на полное перекрытие диафрагмы заслонкой 8,. дискретные ^перемещения детали вдоль 0Ζ и поворотов вокруг осей 0Ν и. 0Y, затем в той же последовательности производится обработка нового участка поверхности изделия. При необходимости нанесения на обрабатываемую поверхность дополнительного слоя материала (процесс так называемого залечивания .дефектов) ионный источник 4 поворачивается с помощью привода 16, при этом плазменный пучок, пройдя диафрагму 7, попадает на мишень 9 под углом ё м = =60° + 10° и эффективно ее распыляет.At the same time, the shaping control system 6 in the form of an electrical signal provides information about the thickness of the sprayed (or sprayed) material layer. This signal is compared in block 18 with the base signal of the control unit 17 of a given thickness. If they coincide, the control unit 17 sequentially [gives signals to completely cover the diaphragm with a shutter 8 ,. discrete ^ movements of the part along 0Ζ and rotations around the axes 0Ν and. 0Y, then in the same sequence the new part of the surface of the product is processed. If it is necessary to deposit an additional layer of material on the surface to be treated (the so-called healing process of defects), the ion source 4 is rotated by means of a drive 16, while the plasma beam, having passed through the diaphragm 7, hits the target 9 at an angle ё m = 60 ° + 10 ° and efficiently spray it.
Направленный поток распыленного материала мишени падает нормально на заданный дефектный участок поверхности, например в виде ям, и осаждается в виде покрытия, обеспечивая залечивание дефектов.The directed flow of the sprayed target material normally falls on a given defective surface area, for example in the form of pits, and is deposited in the form of a coating, providing for healing of defects.
В предлагаемой установке возмржно использование источников плазменного пучка простой конструкции, так как не накладывается строгих ограничений на равномерность распределения энергии плазменного пучка по сечению. Выбором технологического процесса можно усреднить случайные флуктуации этого параметра пучка до значений, при которых· обеспечивается заданная точность обработки.In the proposed installation, it is possible to use sources of a plasma beam of a simple design, since there are no strict restrictions on the uniform distribution of the energy of the plasma beam over the cross section. By choosing a technological process, it is possible to average the random fluctuations of this parameter of the beam to values at which the specified processing accuracy is ensured.
На примере процесса доводки формы · поверхности плоского зеркала (фиг.4) имеющего отступление от плоскости произвольной формы, рассматривают расчет параметров обработки. Исходные данные; относительные вариации тока плазменного пучка от равномерного распределения Δ Ψ , максимальная высота N отступления от номинальной формы поверхности, средняя скорость глубины распыления (напыления) на диаметре пучка V, допустимая остаточная погрешность Δ N обработки и топограмма нормальных отклонений от· номинальной формы обрабатываемого изделия, представленная в нашем примере в виде линий равных нормальных отклонений.и Для выполнения условия усреднения флуктуаций тока плазменного пучка от равномерного искомое отступление по высоте разбиваем на η слоев (фиг. 5) В свою очередь слои с нечетным порядковым номером по ширине разбиваем на две одинаковые части, с четным на три. Ширина этих пятен определяет эффективный диаметр D регулируемой диафрагмы плазменного пучкаOn the example of the process of fine-tuning the shape · surface of a flat mirror (figure 4) having a deviation from a plane of arbitrary shape, consider the calculation of processing parameters. Initial data; relative variations of the plasma beam current from the uniform distribution Δ Ψ, the maximum deviation height N from the nominal surface shape, the average velocity of the spraying (spraying) depth on the beam diameter V, the permissible residual error Δ N of the processing, and the topogram of normal deviations from the nominal shape of the workpiece, presented in our example, in the form of lines of equal normal deviations. and To fulfill the condition of averaging the fluctuations of the plasma beam current from the uniform, the desired deviation in height azbivaem on η layers (Fig. 5) In turn, the layers with an odd sequence number in width split into two equal parts with even three. The width of these spots determines the effective diameter D of the adjustable diaphragm of the plasma beam
0,5 В, если η четно;0.5 V if η is even;
оabout
0,3 В, если η нечетно, где В - текущее значение ширины слоя Края верхних пятен примерно нахо-т дятся над центрами нижних, что способствует усреднению интегрального потока. По схеме, напоминающей так называемые пчелиные соты (фиг.б), каждый слой заполняется соответствую-з5 щим числом плазменных пятен (шестиугольной, треугольной форм). Так как шестиугольная плавно регулируемая диафрагма плазменного пучка может быть частично перекрыта заслонкой, то40 нетрудно видеть, что набором плазменных пятен шестиугольной, треугольной и промежуточной формы можно покрыть поверхность практически любой конфигурации. Одновременно из картины пок-45 рытия в(фиг.б) графически легко определяются координаты (Ψ и Ζ) оси плазт·. менного пучка на обрабатываемой поверхности. Остаточная кромка на краю обрабатываемого участка от следа плаз-50 менного пучка не должна превышать ΔΝ, поэтому высота одного слоя0.3 V, if η is odd, where B is the current value of the layer width. The edges of the upper spots are approximately above the centers of the lower spots, which contributes to the averaging of the integral flow. In Scheme resembling the so-called honeycomb (fig.b), each layer was filled with an appropriate conductive-5 number of plasma spots (hexagonal, triangular shapes). Since the hexagonal continuously adjustable diaphragm of the plasma beam can be partially blocked by a shutter, it is easy to see 40 that a surface of almost any configuration can be covered with a set of plasma spots of a hexagonal, triangular and intermediate shape. At the same time, the coordinates (Ψ and Ζ) of the plasma axis · are graphically easily determined from the coating pattern in (Fig. B). Variable beam on the treated surface. The residual edge on the edge of the treated area from the trace of the plasma-50 beam should not exceed ΔΝ, therefore, the height of one layer
4Vi] ’ а число слоев . <*>4Vi] ’a number of layers. <*>
С другой стороны допустимое значение относительных вариаций тока плазменного пучка.On the other hand, the allowable value of the relative variations in the plasma beam current.
О)ABOUT)
D-S (1)D-S (1)
Полагая, что коэффициент усреднения интегрального значения потока пропорционален корню квадратному из числа слоев Пу,последнее»определяется какAssuming that the averaging coefficient of the integral value of the flow is proportional to the square root of the number of layers Pu, the latter is defined as
Глубина слоя t =АОкончательное tуодного слоя число η слоев и высовыбираются наибольПу и соотта шими и наименьшими из η ветственно t^, ty.Layer depth t = AO The final t of a single layer is the number η of layers and are selected at most P y and the corresponding and smallest of η are respectively t ^, t y .
Время обработки одного элементарного участка, соответствующего одному положению плазменного пятна на детали, равноThe processing time of one elementary region corresponding to one position of the plasma spot on the part is
ТT
О уOU
Полное время обработки всего участ- .The total processing time for the entire parcel.
U) ка ’ (в’ £ - число плазменных пятен в где каждом слое. _ Так при ДО ^0,2; N=0,3 мкм, V=5 мкм/час, N=0,01 мкм, получаем {δ3]=3·102, п=Пу-50, 1=^=6--10 мкм и Тр= 0,07 мин.U) ka ' (in ' £ is the number of plasma spots in where each layer is. _ So for DO ^ 0.2; N = 0.3 μm, V = 5 μm / h, N = 0.01 μm, we obtain {δ3 ] = 3 · 10 2 , n = Pu-50, 1 = ^ = 6-10 μm and Tr = 0.07 min.
Введение плавно регулируемой диафрагмы с заслонкой и отверстием в виде правильного шестиугольника, центр которого расположен на оси плазменного пучка, позволяет плавно изменять размер распыляемого (напыляемого) участка поверхности обрабатываемого изделия, обеспечивать одновременный съем материала с максимально большой площади и получать оптические поверхности любой формыJ при этом помимо расширения технологических возможностей создаются благоприятные условия дЯя эффективного использования плазменных источников с б ст ъптим диаметром пучка, для увеличения производительности установки.The introduction of a continuously adjustable diaphragm with a shutter and a hole in the form of a regular hexagon, the center of which is located on the axis of the plasma beam, allows you to smoothly change the size of the sprayed (sprayed) surface area of the workpiece, to ensure simultaneous removal of material from the largest possible area and to obtain optical surfaces of any shape In addition to expanding technological capabilities, favorable conditions are created for the effective use of plasma sources with optimal diameters. Trom beam to increase plant capacity.
Введение мишени, поворота ионного источника вокруг центра диафрагмы '834800 1θ и наклона изделия в плоскости падения плазменного пучка позволяет изменять форму поверхности обрабатываемого изделия как распылением материала с ее поверхности, так и его напыления s потоком, направленным по нормали к поверхности. Реализация возможности изменения формы поверхности напылением дополнительного слоя материала увеличивает производительность про- ю цесса доводки формы оптических поверхностей в несколько раз и расширяются технологические .возможности установки. Наряду с этим становится возможным проведение с одинаковой 15 эффективностью процессов напыления и распыления при углах£м= £д =60°+ 10° падения плазменного пучка на распыляемую поверхность, обеспечивающих по сравнению с нормальным падением уве- 20 личение скорости распыления, а следовательно, и производительности.Introduction of the target, the ion source around the rotation center of the diaphragm '834800 1θ and tilt products in the plane of incidence of the plasma beam allows the shape of the surface of the workpiece as the spray material from its surface and its spraying s flow directed normal to the surface. The realization of the possibility of changing the surface shape by spraying an additional layer of material increases the productivity of the process of fine-tuning the shape of optical surfaces several times and the technological capabilities of the installation expand. Along with this, it becomes possible to carry out the spraying and sputtering processes with the same efficiency at angles £ m = £ d = 60 ° + 10 ° of the incidence of the plasma beam on the sprayed surface, which, in comparison with the normal incidence, provides an increase in the spraying rate, and, consequently, and performance.
При указанных углах падения диаграмма направленности распыленного материала сильно сужается, а это упрощает реше- 25 ние задачи локального напыления материала и эффективного экранирования обрабатываемой поверхности изделия от распыленного материала с помощью дополнительно введенной ловушки, что зо позволяет использовать для контроля формообразования сравнительно простые методы и устройства для контроля глубины распыления (напыления) материала на отдельных участках поверхности 35 обрабатываемого изделия с достаточной точностью. Кроме того, сохраняется точность и уменьшается общее время обработки изделия в 2-3 раза, а также упрощается система контроля установ-. 40 ки за формообразованием.At the indicated angles of incidence, the directivity pattern of the sprayed material narrows significantly, and this simplifies the solution of the problem of local spraying of the material and effective screening of the workpiece surface of the product from the sprayed material using an additional trap, which makes it possible to use relatively simple methods and devices for controlling the formation of control the depth of spraying (spraying) of the material in individual sections of the surface 35 of the workpiece with sufficient accuracy. In addition, accuracy is maintained and the total product processing time is reduced by 2–3 times, and the installation-control system is simplified. 40 ki for shaping.
Таким образом^использование предлагаемой установки позволяет при сохранении точности обработки увеличить 45 производительность, расширить техно логические возможности и упростить конструкцию установки.Thus, the use of the proposed installation allows, while maintaining the accuracy of processing, to increase 45 productivity, expand technological capabilities and simplify the design of the installation.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU782648366A SU834800A1 (en) | 1978-07-17 | 1978-07-17 | Installation for processing article optical surfaces |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU782648366A SU834800A1 (en) | 1978-07-17 | 1978-07-17 | Installation for processing article optical surfaces |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SU834800A1 true SU834800A1 (en) | 1981-05-30 |
Family
ID=20778647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU782648366A SU834800A1 (en) | 1978-07-17 | 1978-07-17 | Installation for processing article optical surfaces |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| SU (1) | SU834800A1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4108404A1 (en) * | 1990-04-09 | 1991-10-10 | Jenoptik Jena Gmbh | Ion beam machining control for lenses - using simulated machining strategy for computer control of aperture system |
| WO2019121268A1 (en) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. | Method and a device for producing a desired rotationally symmetric surface profile |
| RU2793080C1 (en) * | 2022-09-29 | 2023-03-28 | Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН) | Method for axisymmetric correction of optical parts of arbitrary shape |
-
1978
- 1978-07-17 SU SU782648366A patent/SU834800A1/en active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4108404A1 (en) * | 1990-04-09 | 1991-10-10 | Jenoptik Jena Gmbh | Ion beam machining control for lenses - using simulated machining strategy for computer control of aperture system |
| WO2019121268A1 (en) * | 2017-12-20 | 2019-06-27 | Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. | Method and a device for producing a desired rotationally symmetric surface profile |
| RU2793080C1 (en) * | 2022-09-29 | 2023-03-28 | Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" (ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН) | Method for axisymmetric correction of optical parts of arbitrary shape |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8308921B1 (en) | Mask for increased uniformity in ion beam deposition | |
| CN101861408B (en) | Optical thin film deposition device and optical thin film fabrication method | |
| JP7407832B2 (en) | Control method, control device and manufacturing device | |
| CA2110250C (en) | Depositing different materials on a substrate | |
| US7311939B2 (en) | Vacuum coating unit and a method for the differentiated coating of spectacle lenses | |
| CN107148494A (en) | Beacon scanner with revolving mirror and annulus target | |
| US20090186159A1 (en) | Method and Apparatus for Coating a Curved Surface | |
| AU2669500A (en) | Gantry system and method for operating same | |
| JPH0356670A (en) | Apparatus for stripping and grinding target material | |
| US6579420B2 (en) | Apparatus and method for uniformly depositing thin films over substrates | |
| US5980975A (en) | Thin-film-coated substrate manufacturing methods having improved film formation monitoring and manufacturing apparatus | |
| US20120080308A1 (en) | Plume steering | |
| SU834800A1 (en) | Installation for processing article optical surfaces | |
| US6171462B1 (en) | Device for holding lenses, especially for eye glasses to be coated in a vacuum coating or sputtering machine | |
| JP2002105627A (en) | Method and apparatus for treating substrate, and substance source holder | |
| US20090258151A1 (en) | Method and Apparatus for Coating Curved Surfaces | |
| US11274364B2 (en) | Sputter devices and methods | |
| US20080110745A1 (en) | Method and Device for Ion Beam Processing of Surfaces | |
| JPH03130359A (en) | Device for covering a flat surface with a uniformly thick layer | |
| WO2012047982A2 (en) | Plume steering | |
| KR20050000372A (en) | Device for the targeted application of deposition material to a substrate | |
| RU2049152C1 (en) | Apparatus for vacuum deposition of materials | |
| JPH0347964A (en) | Ion beam sputtering device | |
| EP0393764B1 (en) | Method of forming on a surface of a moving substrate a layer, and vacuum evaporation apparatus for forming vapor deposited layers | |
| Broadway et al. | Controlling thin film thickness distribution in two dimensions |