SU832791A1

SU832791A1 - X-ray irradiator channel-cathode power supply circuit

Info

Publication number: SU832791A1
Application number: SU782698739A
Authority: SU
Inventors: Владимир Юрьевич Хлебцевич
Original assignee: Предприятие П/Я Р-6303
Priority date: 1978-12-19
Filing date: 1978-12-19
Publication date: 1981-05-23

Description

(54) СХЕМА ПИТАНИЯ МАКАЛЬНОГО КАТОДА РЕНТГЕНОВСКОГО ИЗЛУЧАТЕЛЯ(54) POWER SCHEME FOR A ROLLER CATALOD OF X-RAY EXCHANGE

рующего транзистора по мощности, содержаща дифференциальный перемножающий усилитель, масштабный усилитель и пороговый элемент, включенные по схеме обратной св зи между коллектором и базой регулирующего транзистора, причем перемножающие входы дифференциального усилител подключены к резистору, введенному vB цепь эмиттера регулирующего транзисора.a power transistor comprising a differential multiplying amplifier, a large-scale amplifier and a threshold element connected in a feedback scheme between the collector and the base of the regulating transistor, the multiplying inputs of the differential amplifier connected to a resistor introduced by the vB emitter of the regulating transistor.

На чертеже представлена предлагаема схема питани накального катода рентгеновского излучател .The drawing shows the proposed feeding scheme for the filament cathode of an x-ray emitter.

Схема питани нити накала рентгеновского излучател 1 содержит трансформатор 2 накала и сетевой трансформатор 3. Во вторичную обмотку сетевого трансформатора 3 включен выпр митель 4, к которому подключен коллектор регулирующего транзистора 5. Коллектор регулирующего транзистора 5 через резистор 6 подключен к дифференциальному перемножающему усилителю 7. В цепь эмиттера регулирующего транзистора 5 включены полупроводниковый диод 8 и резистор 9, который подключен к перемножающему входу дифференциально о усилител 7. Выход последнего соединен через масщтабный усилитель 10 и пороговый элемент 11 к базе регулирующего транзистора 5, образу цепь обратной св зи.The power supply circuit of the X-ray emitter filament 1 contains a transformer 2 of the heat and a mains transformer 3. A rectifier 4 is connected to the secondary winding of the mains transformer 3, to which the collector of the control transistor 5 is connected. The collector of the control transistor 5 is connected via a resistor 6 to the differential multiplying amplifier 7. V The emitter circuit of the control transistor 5 includes a semiconductor diode 8 and a resistor 9, which is connected to the multiplying input of the differential amplifier 7. The output of the last co masschtabny of the connections through the amplifier 10 and threshold element 11 to the base of the regulating transistor 5 forming a feedback circuit.

Схема работает следующим образом.The scheme works as follows.

Трансформатор 3 понижает напр жение сети (например, до 60 В). Это напр жение через регулирующий транзистор 5, подключенный к выпр мителю 4, прикладываетс к трансформатору 2 накала, питающему катод рентгеновского излучател 1, наход щегос под высоким напр жением относительно корпуса. Конструктивно излучатель соединен с трансформатором 2 кабелем. На практике при замене излучател возможно короткое замыкание накала, вызванное неправильной сборкой.Transformer 3 reduces the network voltage (e.g., to 60 V). This voltage through the regulating transistor 5, connected to the rectifier 4, is applied to the heating transformer 2 supplying the cathode of the X-ray emitter 1, which is under high voltage relative to the housing. Structurally, the emitter is connected to the transformer 2 cable. In practice, when replacing the radiator, a short circuit of the filament may be caused by improper assembly.

Напр жение на катоде излучател 1 регулируетс путем изменени проходного сопротивлени транзистора 5, управл емого от усилител (на чертеже не показан), задающего режим работы излучател .The voltage at the cathode of the emitter 1 is adjusted by changing the pass resistance of the transistor 5, controlled by an amplifier (not shown in the drawing), specifying the mode of operation of the emitter.

При возникновении короткого замыкани катода рентгеновского излучател напр жение на входе трансформатора 2 падает а усилитель, задающий режим трубки, открывает транзистор 5 до величины максимального тока. В то же врем на коллекторе по вл етс почти все напр жение источника питани .When a cathode of an x-ray emitter short-circuits, the voltage at the input of transformer 2 drops and the amplifier, which sets the tube, opens transistor 5 to the maximum current value. At the same time, almost all the voltage of the power source appears at the collector.

Напр жение на резисторе 9, пропорциональное коллекторному току регулирующего транзистора 5, подаетс на вход перемножающего дифференциального усилител 7. Так как коллекторное напр жение регулирующего транзистора приложено к общему резистору 6, то ток через него пропорционален коллекторному напр жению. Диод 8 компенсирует напр жение на переходе базаэмиттер транзистора усилител 7.The voltage across the resistor 9, proportional to the collector current of the regulating transistor 5, is applied to the input of the multiplying differential amplifier 7. Since the collector voltage of the regulating transistor is applied to the common resistor 6, the current through it is proportional to the collector voltage. Diode 8 compensates for the voltage across the base of the emitter of the transistor amplifier 7.

Известно, что напр жение на выходе перемножающего дифференциального усилител пропорционально произведению тока, протекающего через резистор 6 и напр жени на его входе, что соответствует произведению коллекторного напр жени и тока, т. е. мгновенной мощности на коллекторе.It is known that the voltage at the output of a multiplying differential amplifier is proportional to the product of the current flowing through the resistor 6 and the voltage at its input, which corresponds to the product of the collector voltage and current, i.e., the instantaneous power at the collector.

Это напр жение через масщтабный усилитель 10 прикладываетс к пороговому элементу 11, пробивное напр жение которого соответствует допустимой мощности регулирующего транзистора. При превыщении допустимой мощности замыкаетс цепь отрицательной обратной св зи транзистора 5 с его выхода на вход, что приводит к-уменьщению коллекторного тока до величины, соответствующей выражениюThis voltage is applied through the scale-up amplifier 10 to the threshold element 11, the breakdown voltage of which corresponds to the allowed power of the control transistor. When the permissible power is exceeded, the negative feedback circuit of transistor 5 closes from its output to the input, which leads to a decrease in the collector current to a value corresponding to the expression

IK Ik

при U иктак1к -%Z7 (в частном случае, когда коллекторное напр жение максимально, коллекторный токwith U iktak1k -% Z7 (in the particular case when the collector voltage is maximum, the collector current

ограничиваетс до 1/4 максимального тока).limited to 1/4 of maximum current).

Так как цепь обратной св зи практическиSince the feedback circuit is practically

безынерционна, то указанное неравенствоinertialess then the indicated inequality

выполн етс в каждый момент времени.performed at any time.

Следовательно, осуществл етс безынерционна защита регулирующего транзистора независимо от величины нагрузки и формы питающего напр жени .Therefore, inertia-free protection of the control transistor is carried out regardless of the magnitude of the load and the shape of the supply voltage.

Целесообразность применени схемы обусловлена тем, что дл мощных транзисторов характерны больщие величины допустимых напр жений и токов (например, дл КТ808А , 150 В, 1 10А), а допустима рассеиваема мощность значительно ниже их произведени (. 50 Вт). Таким образом, предлагаемое устройство позвол ет применить всего 2 транзистора в блоке накала рентгенодиагностического аппарата вместо 8 на мощность нагрузки 400 Вт и обеспечить высокую надежность блока накала при коротких замыкани х, как вторичной, так и первичной обмоток вы0 сокопотенциального трансформатора.The expediency of using the circuit is due to the fact that high-power transistors are characterized by large values of permissible voltages and currents (for example, for KT808A, 150 V, 1 10A), and the dissipated power is much lower than their product (. 50 W). Thus, the proposed device makes it possible to apply only 2 transistors in the X-ray diagnostic unit heater unit instead of 8 to a 400 W load power and to ensure high reliability of the heater unit during short circuits, both the secondary and primary windings of a high-potential transformer.

Claims

1. Published for Germany No. 2422844, cl. H 05 G 1/34, published. 1975.

2. Published for the Federal Republic of Germany No. 2102686, cl. H 05 G 1/12, published. 1972.

about +