SU819971A1 - Multistable flip-flop - Google Patents

Multistable flip-flop Download PDF

Info

Publication number
SU819971A1
SU819971A1 SU792762271A SU2762271A SU819971A1 SU 819971 A1 SU819971 A1 SU 819971A1 SU 792762271 A SU792762271 A SU 792762271A SU 2762271 A SU2762271 A SU 2762271A SU 819971 A1 SU819971 A1 SU 819971A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
transistor
cells
trigger
cell
collector
Prior art date
Application number
SU792762271A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Бакиш Гарифуллинович Шарипов
Валентин Викторович Климов
Original Assignee
Предприятие П/Я Г-4671
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я Г-4671 filed Critical Предприятие П/Я Г-4671
Priority to SU792762271A priority Critical patent/SU819971A1/en
Application granted granted Critical
Publication of SU819971A1 publication Critical patent/SU819971A1/en

Links

Description

1one

Изобретение относитс  к импульсной технике и может быть использовано в устройствах дискретной автоматики и вычислительной техники.The invention relates to a pulse technique and can be used in devices of discrete automation and computer technology.

Известен многостабильный триггер, содержащий транзисторы разных типов проводимости , туннельные диоды и резистоРы 1.Known multistable trigger containing transistors of different types of conductivity, tunnel diodes and resistors 1.

Недостатком триггера  вл етс  ограниченное быстродействие.The disadvantage of the trigger is limited speed.

Известен также многостабильный триггер , содержащий р д однотипных  чеек на транзисторах разных типов проводимости и туннельных диодах 2.Also known is a multistable trigger containing a number of cells of the same type on transistors of different types of conductivity and tunnel diodes 2.

Недостаток триггера - низкое быстродействие , обусловленное значительным временем возврата в исходное состо ние.The lack of a trigger is a low response rate due to a significant time to return to the initial state.

Целью изобретени   вл етс  повышение быстродействи  триггера.The aim of the invention is to increase the trigger speed.

Поставленна  цель достигаетс  тем, что в многостабильном триггере, содержащем р д однотипных  чеек в последовательном включении, в котором вход триггера на туннельном диоде подключен ко входу  чейки, а выход - к базе транзистора первого типа проводимости, коллектор которого соединен с .базой транзистора второго типаThe goal is achieved by the fact that in a multistable trigger containing a series of identical cells in series, in which the trigger input on the tunnel diode is connected to the input of the cell and the output to the base of the transistor of the first conductivity type, the collector of which is connected to the base of the second transistor

проводимости, коллектор которого подключен к выходу  чейки, коллектор транзистора второго типа проводимости последней  чейки подключен к базе вновь введенного транзистора сброса, коллектор которого подключен к своему нагрузочному резистору непосредственно и через вновь введенные диоды с накоплением разр да - ко входам всех  чеек.conduction, the collector of which is connected to the output of the cell, the collector of the transistor of the second type of conductivity of the last cell is connected to the base of the newly introduced reset transistor, the collector of which is connected to its load resistor directly and through the newly entered diodes with accumulation of discharge to all the cells.

На чертеже представлена принципиальна  схема триггера.The drawing shows a schematic diagram of a trigger.

Триггер содержит р д однотипных  чеек 1 1-1 (п+1) в последовательном включении, в которых вход триггера 2 на, туннельном диоде подключен ко входу 3  чейки, а выход - к базе транзистора 4 первого типа проводимости, коллектор которого соединен с базой транзистора 5 второго типа проводимости, коллектор которого подключен к выходу 6  чейки. KoлJIeктop транзистора 5 второго типа проводимости последней  чейки 1 (п + 1) подключен кThe trigger contains a series of similar cells 1 1-1 (n + 1) in series, in which the input of the trigger 2 on the tunnel diode is connected to the input of the 3 cells, and the output to the base of the transistor 4 of the first conductivity type, the collector of which is connected to the base the transistor 5 of the second conductivity type, the collector of which is connected to the output of 6 cells. The junction transistor 5 of the second conductivity type of the last cell 1 (n + 1) is connected to

базе вновь введенного транзистора 7 сброса , коллектор которого подключен к своему нагрузочному резистору 8 непосредственно и через вновь введенные диоды 9 1-9 (п + 1) с накоплением зар да - ко входам 3 всех  чеек 1 1 - 1 (п+1) многостабильного триггера.the base of the newly introduced reset transistor 7, the collector of which is connected to its load resistor 8 directly and through the newly entered diodes 9 1-9 (n + 1) with accumulation of charge - to the inputs 3 of all cells 1 1 - 1 (n + 1) of multi-stable trigger

Устройство работает следующим образом .The device works as follows.

В исходном состо нии туннельные диоды 9 1-9 (п+ 1) наход тс  в состо нии низкого напр жени . Электронные ключи на транзистора( 4, 5 закрыты. Рабоча  точка туннельного диода смещена к максимуму вольтамперной характеристики током, протекающим от источника питани  через резисторы 10, П. На базе диода происходит накопление зар дов током, протекающим от источника питани  через резисторы 10, 8.In the initial state, the tunnel diodes 9 1-9 (n + 1) are in the low voltage state. The electronic switches on the transistor (4, 5 are closed. The working point of the tunnel diode is shifted to the maximum current-voltage characteristic by the current flowing from the power source through resistors 10, P. On the basis of the diode, charges are accumulated by the current flowing from the power source through resistors 10, 8.

С приходом первого счетного импульса положительной пол рности диод , образующий токовый переключатель, закрываетс . Ток, протекающий через туннельный диод  чейки 1 1, увеличиваетс , и, когда его величина превысит ток максимума туннельного диода, последний переключаетс  в состо ние высокого напр жени . Электронный ключ на транзисторах 4, 5  чейки 1 - 1 открываетс , и работа  точка туннельного диода  чейки 1 2 перемещаетс  к максимуму вольтамперной характеристики. Происходит подготовка к переключению второй  чейки . С приходом следующего импульса переключаетс  в состо ние высокого напр жени  туннельный диод 9 2 второй  чейки , а подготавливаетс  к работе треть   чейка 1 3, и т. д.With the arrival of the first counting pulse of positive polarity, the diode forming the current switch closes. The current flowing through the tunnel diode of the cell 1 1 increases, and when its value exceeds the maximum current of the tunnel diode, the latter switches to the high voltage state. The electronic switch on transistors 4, 5 cells 1 - 1 is opened, and the operation point of the tunnel diode of cell 1 2 moves to the maximum current-voltage characteristic. There is a preparation for switching the second cell. With the arrival of the next pulse, the tunnel diode 9 2 of the second cell switches to the high voltage state, and a third cell 1 3 is prepared for operation, and so on.

С приходом П+1-ВОГО импульса туннельный диод в (п + 1)-вой  чейке переключаетс  в состо ние высокого напр жени , электронный ключ на транзисторах 4, 5  чейки (п + 1) открываетс , и с коллектора транзистора второго типа проводимости 5 напр жение подаетс  на базу транзистора 7, который открываетс .With the arrival of the P + 1-VOGO pulse, the tunnel diode in (n + 1) cell switches to a high voltage state, the electronic switch on transistors 4, 5 cells (n + 1) opens, and from the collector of the transistor of the second conductivity type 5 the voltage is applied to the base of the transistor 7, which is opened.

Открытый транзистор 7 щунтирует нагрузочный резистор 8. Токи, протекающие через туннельные диоды  чеек 1 + -f 1), уменьщаютс , так как они щунтированы транзистором 8 через диоды9 1 - -9(п + 1) и туннельные диоды  чеек - 1 (п+1) одновременно переключаютс  в состо ние низкого напр жени . Устройство возвращаетс  в исходное состо ние .The open transistor 7 shunts the load resistor 8. The currents flowing through the tunnel diodes of the cells 1 + –f 1) decrease as they are threaded by the transistor 8 through the diodes 9 1 –9 (n + 1) and the tunnel diodes of the cells 1 (n + 1) simultaneously switch to the low voltage state. The device returns to its original state.

Claims (2)

1.Авторское свидетельство СССР № 362430, кл. Н 03 К 3/29, 13.12.72.1. USSR Author's Certificate No. 362430, cl. H 03 K 3/29, 13.12.72. 2.Авторское свидетельство СССР2. USSR author's certificate № 303730, кл. Н 03 К 23/02, 03.03.69 (прототип ).No. 303730, cl. H 03 K 23/02, 03/03/69 (prototype).
SU792762271A 1979-05-07 1979-05-07 Multistable flip-flop SU819971A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792762271A SU819971A1 (en) 1979-05-07 1979-05-07 Multistable flip-flop

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792762271A SU819971A1 (en) 1979-05-07 1979-05-07 Multistable flip-flop

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU819971A1 true SU819971A1 (en) 1981-04-07

Family

ID=20826054

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792762271A SU819971A1 (en) 1979-05-07 1979-05-07 Multistable flip-flop

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU819971A1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB920229A (en) Improvements in bistable circuits employing negative resistance devices
US4845391A (en) Switching circuits performing thyristor and triac functions
SU819971A1 (en) Multistable flip-flop
US3899689A (en) Electric power source
US3089967A (en) Pulse generator
US3215858A (en) High speed transistor switching circuit
GB1087858A (en) Switching circuits using two terminal negative resistance devices
SU369721A1 (en) 0SOOT
US3469114A (en) Electronic switch and control circuit therefor
US3376430A (en) High speed tunnel diode counter
SU1084976A1 (en) Bridge-circuit flip-flop
SU287403A1 (en) THRESHOLD TUNING DEVICE
SU453804A1 (en) MULTI-STABLE TRIGGER
SU1195427A1 (en) Ternary bridge flip-flop
SU1508299A1 (en) Arrangement of sectionated superconducting thermally protected magnetic system
SU479222A1 (en) Pulse shaper
SU417904A1 (en)
SU728120A1 (en) Multitron-apparatus for increasing operating voltage of non-linear elements with high output resistance
SU864505A1 (en) Device for multiplying pulse ampliture
SU921065A1 (en) Pulse shaper
SU486461A1 (en) Pulse shaper
SU123568A1 (en) The decimal reversive counter on plane semiconductor triodes
SU1081778A1 (en) Polyphase multivibrator
US3109109A (en) Circuit employing negative resistance asymmetrically conducting devices connected inseries randomly or sequentially switched
SU855952A1 (en) Unit for shortening pulse duration