SU819905A1 - Транзисторный преобразователь посто н-НОгО НАпР жЕНи - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к преобразовательной технике и может быть использовано в системах электропитани  промьаиленных установок и особенно эффективно при использовании в низковольтньрс источниках питани  с радиоизотопными тормоэлектрическими генераторами. Эти генераторы имеют очень высокую удельную стоимость электрической энергии (3-5 тыс.руб. ВТ) и поэтому в них должны и зпользватьЬ  преобразователи с высоким КПД.

По авт. св. -712909 известен транзисторный преобразователь посто нного напр жени , содержащий два транзистора, два диода и трансформатор , концы первичной обмотки которого соединены с коллекторами транзисторов, а их эмиттеры соединены с первым входным выводом преобразовател , отвод от средней точки первичной обмотки соединен со вторым входным и с первым выходным выводами преобразовател , концы вторичной обмотки через диоды подсоединены ко второму выходному выводу преобразовател  и св заны с базами транзисторов, он снабжен стабилитронами и резисторами, причем каждый из стабилитронов включен между базой одного из транзисторов и соответствующим концом вторичной обмотки , а каждый резистор включен параллельно переходу эмиттер-база транзистораСЛч

Недостатком известной схеьвл  вл етс  отсутствие стабилизации вы0 ходного напр жени . Особенно заметен этот недостаток при питании указанной схелвл от радиоизотопного термоэлектрического генератора, напр жение которого и.37эа большого внутреннего сопротивлени  может значительно (до 2 раз) измен тьс  при изменении тока нагрузки. При этом в известной схеме выходное напр жение будет также измен тьс  почти в 2 ра0 за,, что в р де случаев недопустимо.

Кроме того, работа преобразовател  недостаточно надежна при нескольких выходных каналах, когда нагрузка основного канала измен етс  в процессе работы. В этом случае при сбросе нагрузки в основном кангше происходит срыв колебаний преобразовател  из-за резкого уменьшени  базово.

30 го тока транзисторов.

Целью изобретени   вл ютс  стабилизаци  выходного напр жени  и повышение надежности преобразовател .

Дл  достижени  указанной цели преобразователь Г снабжен дополнительно двум  диодами, включенными параллельно эмиттер-базовым переходам транзисторов.

На чертеже дана схема преобразовател , в котором использованы транзисторы типа р-п-р.

Он содержит трансформатор 1 с двум  обмотками 2 и 3.

Средн   точка первичной обмотки

2Соединена с одним входным выводом дл  подключени  источника 4. Концы обмотки 2 соединены с коллекторами транзисторов 5 и 6, эмиттеры которых соединены с другим входа1м выводом . Концы вторичной обмотки 3 трансфОЕ 4атора 1 соединены с анодами диодов 7 и 8, катоды которых 4v,pe3 нагрузку 9 соединены с источником

4.Стабилитроны 10 и 11 соответственно включены между базг1ми транзисторов 5 и б и концами обмотки 3 трансФорматора 1. Параллельно эмиттербазовым переходс1М транзисторов 5 и

6 включены резисторы 12 и 13 И диода 14 и 15.

Преобразователь pia6oTaeT -следующим образом.

При открытом транзисторе 5 напр жение источника 4 приложено к обмотке 2 трансформатора 1. Ток обмотки

3замыкаетс  по двум параллельньа контурам.

Первый контур: диод 8, нагрузка 9, источники 4, переход эмиттер-база транзистора 5, стабилитрон 10, работающий в режиме диода на пр мом участке вольт-амперной характеристики; второй контур: стабилитрон 11, работающий на участке стабилизации, диод 15, переход эмиттер-база транзистора 5, стабилитрон 10.

Под действием напр жени , приложенного к обмотке 3, перемагничиваетс  магнитопровод трансформатора 1. В момент насыщени  магнитопровода резко возрастает намагничивающий ток трансформатора 1, а следовательно , и коллекторный ток транзистора

5.Падение напр жени  на транзисторе 5 увеличиваетс , а напр жение на обмотке 3 уменьшаетс .

Это приводит к уменьшению базово-. го тока транзистора 5. Транзистор 5 выходит из насыщени , и его коллекторный ток начинает уменьшатьс . Напр жени  на обмотках мен ют знак. е Транзистор 5 закрываетс , открываетс  транзистор 6. Далее процессы в схеме повтор ютс .

Резисторы 12 и 13 служат дл  дополнительной защиты переходов эмит тер-база транзисторов 5 и 6 при обрыве цепи диодов.

Стабилизаци  выходного напр жени  осуществл етс  следующим образом . Пусть при открытом транзисторе 5 увеличилось выходное нап  же5 ние источника 4 (например, из-за уменьшени  тока нагрузки). Это вызывает увеличение напр жени  на обмотках 2 и 3 трансфооматора 1. Увеличение напр жени  обмотки 3 привоQ дит к увеличению тока по следующему контуру:

- обмотка 3, стабилитрон 11, диод 15, переход эмиттер-база транзистора 5 и стабилитрон 10, работающий в режиме диода.

Увеличение тока через обмотку 3 вызывает увеличение тока источника 4. При этом увеличиваютс  падение напр жени  на его внутреннем сопротивлении и его выходное напр жение, а напр жение на обмотке 3 уменьшаетс  До первоначального уровн . Следовательно , напр жение на нагрузке 9 остаетс  посто нным. Аналогичные процессы происход т при открытом транзисторе 6.

Claims (1)

1. Авторское свидетельство СССР 712909, кл. Н 02 М-3/335, 07.07,78 (прототип).

Й

i

€)

i

12

7

s

: (

T