SU817990A1 - Формирователь импульсов - Google Patents

Формирователь импульсов Download PDF

Info

Publication number
SU817990A1
SU817990A1 SU792762276A SU2762276A SU817990A1 SU 817990 A1 SU817990 A1 SU 817990A1 SU 792762276 A SU792762276 A SU 792762276A SU 2762276 A SU2762276 A SU 2762276A SU 817990 A1 SU817990 A1 SU 817990A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
capacitor
transistor
thyristor
diode
control unit
Prior art date
Application number
SU792762276A
Other languages
English (en)
Inventor
Станислав Иванович Зиенко
Юрий Иванович Грушенко
Original Assignee
Смоленский Филиал Московского Орденаленина Энергетического Института
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Смоленский Филиал Московского Орденаленина Энергетического Института filed Critical Смоленский Филиал Московского Орденаленина Энергетического Института
Priority to SU792762276A priority Critical patent/SU817990A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU817990A1 publication Critical patent/SU817990A1/ru

Links

Landscapes

  • Generation Of Surge Voltage And Current (AREA)

Description

(54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ
1
Изобретение относитс  к импульсной технике и может использоватьс  дл  формировани  мощных наносекундных импульсов на низкоомной нагрузке. Оно может найти ирцмененке дл  запуска инжекционных лазеров , в устройствах электроискровой обработки металлов, управлени  электропотическими затворами и т. д.
Известны формир ователи импульсов, у которых на накопительном конденсаторе превышает напр жение источника питани  в 5-10 и более раз. К ним относ тс  импульсные регул торы посто нного напр жени , работающие в режиме прерывистых токов дроссел  1.
Недостатком этих формирователей  вл етс  плохое использование напр жени  источника питани .
Известно устройство, срдержащее транзистор , блок управлени , дроссель, диод, конденсатор 2.
Недостатком известного устройства  вл етс  то, что оно в случае низкоомной нагрузки (единицы и доли Ом) не может генерировать импульсы большой амплитудь, превышающей во много раз значение напр жени  источника питани . Кроме того, импульсы имеют большое врем  нарастани . Последнее объ сн етс  тем, что врем  нарастани  импульса определ етс  fвременем зар да выходного конденсатора (его величина может быть значительной) до пикового значени  током дроссел , f
Цель изобретени  - увеличение амплитуды импульсов и уменьшение времени их нарастани .

Claims (2)

  1. Указанна  цель достигаетс  тем, что в формирователь импульсов, содержащий транзистор типа п-р-п, блок управлени , дроссель диод и конденсатор, эмиттер транзистора подключен к отрицательной шине питани , база транзистора подключена к выходу блока управлени , коллектор транзистора соединен с анодом диода и через дроссель - с общей шиной, катод диода соединен с одним из выводов нагрузки и через конденсатор - с общей шиной, введены тиристор и дополнительный конденсатор, причем анод тиристора соединен с общей шиной управл ющей электрод тиристора соединен с дополнительным выходом блока управлени , а дополнительный , конденсатор выходом подключен параллельно упом нутому диоду. На фиг. 1 представлена принципиальна  схема устройства; на фиг. 2 - временные диаграммы, по сн ющие его работу. Формирователь импульсов содержит источник 1 питани , ключевой элемент, выполненный на транзисторе 2, управл емый блоком 3 управлени , накопительный дроссель 4, диод 5 с параллельно включенным ему конденсатором б, накопительный конденсатор 7, нагрузку 8 и тиристор 9. Устройство работает следующим образом . В исходном состо нии транзистор 2 и тиристор 9 закрыты. Напр жение на конденсаторе 7 и ток в дросселе 4 равны нулю. С приходом отпирающего импульса заданной длительности и амплитуды транзистор 2 открываетс  и входит в состо ние насыщени . Начинаетс  процесс накоплени  энергии в дросселе 4. При небольшом сопротивлении насыщенного транзистора 2 ток в дросселе нарастает во времени по закону, близкому к линейному. В момент окончани  импульса управлени  с блока 3 транзистор 2 закрываетс . ЭДС самоиндукции дроссел  мен ет пол рность, в результате чего диод 5 открываетс . Начинаетс  процесс передачи энергии дроссел  в емкость конденсатора 7. Когда напр жение на конденсаторе 7 достигнет пикового значени , фиксирующий диод 5 закроетс . На этом заканчиваетс  этап отдачи энергии, дросселем 4 в емкость конденсатора 7. Если предположить, что сопротивление контура в цепи элементов 4, 5 и 7-9 пренебрежимо мало, то энерги  дроссел  будет полностью передана конденсатору 4 и равна , где L - индуктивность дроссел  4, пиковое значение тока в дросселе, С - емкость конденсатора 7 и пиковое напр жение на нем. Поэтому амплитуда напр жени  на конденсаторе 7 равна U, In, При соответствующем выборе элементов значение амплитуды U, будет намного превыщать величину напр жени  .питани  1. Следует отметить, что пиковое напр жение U не зависит от сопротивлени  нагрузки, что имеет место в известном устройстве. После зар да конденсатора 7 до пикового напр жени  с блока 3 управлени  поступает отпирающий импульс на управл ю щий электрод тиристора 9. Последний включаетс . Начинаетс  разр д конденсатора 7 через нагрузку 8 и тиристор 9, в результате чего в нагрузке формируетс  мощный быстронарастающий импульс. Врем  его нарастани  практически не зависит от величины сопротивлени  нагрузки. При последующем отпирании транзистора 2 его коллекторный ток ответвл етс  в цепь дроссел  4 и через конденсатор 6 в цепь тиристора 9. Пол рность напр жени  источника 1 питани  пол рно инвертируетс  выходному (в данном случае оно отрицательно ) , благодар  чему под действием отрицательного импульса происходит быстрое рассасывание избыточных носителей зар да в базах тиристора и его запирание. Таким образом, наличие конденсатора 6 обеспечивает быстрое выключение тиристора 9 и, следовательно, повыщенную частоту следовани  импульсов. Таким образом, предлагаемое устройство принципиально обеспечивает значительно больщую амплитуду импульсов и меньщее врем  их нарастани . Указанные достоинства показывают, что предлагаемое устройство более эффективно, чем известное. Формула изобретени  Формирователь импульсов, содержащий транзистор типа п-р-п, блок управлени , дроссель, диод и конденсатор, эмиттер транзистора подключен к отрицательной шине питани , база транзистора подключена к выходу блока управлени , коллектор транзистора соединен с анодом диода и через дроссель - с общей шиной, катод диода соединен с одним из выводов нагрузки и через конденсатор - с общей щиной, отличающийс  тем, что, с целью уменьщени  времени нарастани  и увеличени  амп,итуды импульсов, в устройство введены тиристор и дополнительный конденсатор, причем анод тиристора соединен с общей щиной, управл ющий электрод тиристора соединен с дополнительным выходом блока управлени , а дополнительный конденсатор подключен параллельно упом нутому диоду. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Коссов О. А. и др. Полностью управл емые тиристоры в устройствах автоматики. М., «Энерги , 1970, с. 64.
  2. 2.Коссов О. А. Усилители мощности на транзисторах в режиме переключений. М., «Энерги , 1971, с. 291, рис. 12(2 в) (прототип ).
    -
    -9
    I
    5
    + 0V
    (риг. 1
SU792762276A 1979-05-07 1979-05-07 Формирователь импульсов SU817990A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792762276A SU817990A1 (ru) 1979-05-07 1979-05-07 Формирователь импульсов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU792762276A SU817990A1 (ru) 1979-05-07 1979-05-07 Формирователь импульсов

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU817990A1 true SU817990A1 (ru) 1981-03-30

Family

ID=20826057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU792762276A SU817990A1 (ru) 1979-05-07 1979-05-07 Формирователь импульсов

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU817990A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SU817990A1 (ru) Формирователь импульсов
US4293779A (en) Control of power semiconductors through center-tapped transformer with self-demagnetizing circuitry
JPH0221693B2 (ru)
SU669341A1 (ru) Ключевой стабилизатор напр жени посто нного тока
SU993450A1 (ru) Формирователь импульсов
SU1188873A1 (ru) Способ управлени силовым транзисторным ключом
SU482001A1 (ru) Модул тор длительности импульсов
SU1478308A2 (ru) Импульсный усилитель
SU478427A1 (ru) Мостовой генератор пилообразных импульсов тока
SU1023577A1 (ru) Устройство дл формировани импульсов управлени тиристорами
SU1580525A1 (ru) Двухтактный трансформаторный усилитель мощности
SU515275A2 (ru) Устройство сравнени импульсов
SU1354371A1 (ru) Преобразователь посто нного напр жени
SU644030A1 (ru) Пороговое устройство
SU1487171A1 (ru) Транзисторный ключ
SU400988A1 (ru) Импульсный усилитель
JPH0430819Y2 (ru)
SU731590A1 (ru) Электронный ключ
SU661721A1 (ru) Генератор импульсов
SU1480104A1 (ru) Формирователь импульсов
SU528690A1 (ru) Блокинг-генератор
SU752758A1 (ru) Формирователь пр моугольных импульсов
SU552678A1 (ru) Блокинг-генератор
SU1422389A1 (ru) Транзисторный ключ
SU726660A1 (ru) Импульсный усилитель